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DRAM导入90奈米制程 八吋厂寻找新出路 (2007.04.30)
由于标准型DRAM纷纷导入90奈米制程，因此为了解决八吋厂成本竞争力不足的问题，DRAM厂有意将八吋厂产能转为逻辑芯片代工之用途，对于此举是否影响晶圆代工厂之产能利用，部份晶圆代工厂认为将不会有所影响 |
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力晶12C厂将以79.7亿元价值让与瑞晶 (2007.04.18)
力晶半导体召开董事会并决议通过，将力晶原有之12C厂房及该厂设备以79.7亿元的资产价值，让与力晶100％持有的瑞晶，并由瑞晶发行新股给力晶作为收购对价。而为了控制瑞晶之股本 |
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奇梦达与Advantest针对GDDR5开发测试解决方案 (2007.04.16)
全球内存产品供货商奇梦达宣布与Advantest合作，针对GDDR5测试作业开发硬件方案。双方的合作将针对GDDR5绘图DRAM组件开发具成本效率的量产型测试解决方案。
GDDR5将继GDDR3之后，成为下一个绘图DRAM标准 |
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美光将为西胁工厂引进90奈米制程技术 (2007.03.28)
美国美光科技已决定耗资100亿日圆（约8500万美元）为生产DRAM的日本兵库县西胁工厂引进90奈米制程技术。西胁工厂目前主要生产设计制程为110nm的DRAM产品。美光此次投资将把西胁工厂一半的产能转换成90nm制程 |
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抢占代工市场 中芯将扩大DRAM产量 (2007.03.22)
中芯国际对于DRAM的布局又有积极动作。该公司执行长张汝京在Semicon China 2007研讨会上，对外表示中芯北京厂即将针对65奈米逻辑产品进行投产，另外该公司旗下的武汉十二吋晶圆厂，初期产能也将全数用于DRAM的生产，此外中芯也正与奇梦达及尔必达商谈70奈米制程的授权计划 |
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日月光获选为奇梦达基板材料供货商伙伴 (2007.03.20)
半导体封装测试厂日月光半导体，今（20）日宣布获选为奇梦达(Qimonda)基板材料供货商的策略伙伴，供应该公司全球IC制造厂基板材料的服务。日月光以其能在快速变化的巿场环境中提供弹性和优质客户服务的杰出表现而获选，并得以协助奇梦达迅速且有效的完成生产制造 |
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台积电成功为客户生产65奈米嵌入式DRAM (2007.03.15)
台积电成功为客户产出65奈米嵌入式动态随机存取内存（embedded DRAM）客户产品，此一产品的DRAM容量达数兆位级，并且首批产出芯片就通过功能验证。
台积电过去已于2006年第二季为客户量产65奈米产品 |
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南亚最快明年达成DRAM全球市占一成目标 (2007.03.12)
据南亚科技总经理连日昌表示，南亚首座十二吋厂三A厂明年底便将达到每月6万2000片的产能，到时候南亚将拥有超过一成的全球市占率，并且也将正式进军NAND Flash市场。而第二座十二吋厂三B厂也会在今年下半开始动工兴建 |
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奇梦达考虑增建12吋晶圆新厂 (2007.01.30)
全球第二大DRAM厂奇梦达，其亚太区总裁黄振潮表示，为维持市占率，未来将增建一座十二吋厂，设厂地点目前倾向在中国大陆、新加坡跟台湾三地择一，预计年底作出决定 |
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力晶2007年营收可望挑战1500亿 (2007.01.04)
力晶2006年12月营收达新台币113.8亿元，拉开与联电间的差距，总计2006年营收约920亿元。预计力晶在2007年制程持续微缩至70奈米的贡献下，成长率至少达50％以上。预估若DRAM价格持稳，2007年营收则有机会挑战1500亿元 |
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力晶与尔必达合作打造最大12吋DRAM厂 (2006.12.11)
内存大厂力晶半导体与日商尔必达共同宣布，将在台湾中部科学园区设立单月总产能可达24万片的全球最大12吋晶圆厂区；同时，双方也决定共同研发新世代制程技术。透过制造与研发的合作，力晶与尔必达联盟企图藉由整合台湾与日本的产业优势，携手争取DRAM市场世界第一的宝座 |
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圣诞旺季近 DDR2价格上涨2～4％ (2006.11.22)
由于欧美PC业者在耶诞前夕压低NB价格强力促销，并且将主流机种的DRAM搭载率普遍提升到1GB水平，此销售策略奏效，欧美地区NB出货畅旺，11月下旬DDR2价格上涨2％到4％，而反观现货市场买气依旧低迷，因此报价仅与上周持平，但因明年首季Vista家庭版将上市，届时应可使DRAM价格表现超出淡季应有的水平 |
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爱德万看好明年DRAM晶圆侦测市场 (2006.11.02)
有鉴于明年台湾有数座十二吋DRAM厂陆续投产，加上VISTA效应，全球最大的内存测试设备厂爱德万认为，假设DRAM报价不要一直好过头，加上NAND Flash厂毛利率不要衰退的太离谱，市场能维持现有的恐怖平衡，则明年DRAM市况应该是不错的 |
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DRAM厂出清库存 DRAM价格持续下滑 (2006.10.30)
由于受到DRAM厂月底清库存的压力影响，10月中旬以来现货价持续下滑，上周下半跌势则加重，由于本周上旬DRAM厂仍有出货压力，预计现货价走势仍有下跌空间，价位应等到时序进入11月后，DRAM厂开始准备合约市场出货，价格才有止跌空间 |
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Hynix、ST在中国合资内存制造厂举行开业典礼 (2006.10.11)
意法半导体和海力士半导体正式为在中国江苏省无锡市合资建立的内存前端制造厂举行开业典礼。中国中央及地方政府的高阶官员皆出席了此盛大的典礼。将负责制造NAND闪存和DRAM内存产品 |
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良率不佳及产能延迟 DRAM供给Q4吃紧 (2006.08.30)
第四季DRAM需求大好，但供给面恐不如预期，继先前华亚爆出90奈米良率不佳的问题后，近期也传三星80奈米良率不稳，及三星新十二吋DRAM厂Fab15产能要等到明年以后才开出，此举恐导致第四季DRAM供给告急压力将再度升高 |
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奇梦达正式公开发行股票 每股13美元 (2006.08.10)
英飞凌科技(Infineon Technologies AG)和奇梦达(Qimonda AG)公司与主办承办商，今天在纽约共同确定奇梦达公司首次公开发行(IPO)的价格及发行规模。首次公开发行的价格为每股美国存托股票(American Depository Share, ADS)13美元，每股ADS对应一股奇梦达普通股 |
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力晶90奈米制程比重超过八成 (2006.08.09)
力晶半导体90奈米制程比重持续提升，7月毛利率已经突破三成，估计8月90奈米制程比重上看到85％，加上内存报价稳定，毛利率估计将稳定成长。法人估计，由于个人计算机换机潮提前加温，内存合约价格看涨，估计力晶9月毛利率有机会达到四成 |
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尔必达考虑于台湾设立DRAM新厂 (2006.07.20)
根据报导，日本DRAM制造厂尔必达（Elpida）考虑将计划中的先进工厂设在台湾。该公司将和在日本国内设厂的优劣进行比较之后，再作出最后决定。
据了解，尔必达计划的新厂设备可制造加工宽度只有70奈米的DRAM半导体回路线，预定月产10万片，同时也计划生产下一代的半导体PRAM |
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需求未浮现 DDR2价格续下跌 (2006.07.04)
DRAM供给端季底作帐行情在上周结束，本周起对市场放货压力大减，让DRAM现货价大部份均呈现持平走势，不过个人计算机市场虽然逐步进入旺季，但因供给商端库存周转率已由二周拉长至三周，实质需求又还没正式回笼，所以价格上涨无力 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
