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伺服器DC/DC设计拥抱数位化 (2015.11.11)
或许是因为伺服器需要因应多变的应用服务业者，
再加上营运成本也是极为重要的课题，
在DC/DC的设计难度，似乎不在AC/DC之下。
而数位化，就成了唯一的选择。 |
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ADI推出数字隔离型IGBT闸极驱动器 (2015.05.22)
全球高效能讯号处理解决方案厂商亚德诺半导体(ADI)推出隔离型IGBT闸极驱动器─ADuM4135，提升工业马达控制应用中电动马达的能源效率、可靠性和系统控制性能。 结合获奖的ADI iCoupler数字隔离技术 |
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宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管 (2015.01.23)
宜普电源转换公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增强型单片式氮化镓半桥元件。可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率。在于透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成为单个元件可以除去印刷电路板上元件之间的相连电感及空隙，使电晶体的占板面积减少50% |
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Diodes全新MOSFET闸极驱动器提升转换效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一对1A额定值的40V轻巧闸极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式电源以及马达驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和 ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩短MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率 |
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宜普电源推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 (2014.12.09)
为了协助功率系统设计增加效率与功率密度，宜普电源转换公司（EPC）推出60 V单片半桥式氮化镓功率晶体管-- EPC2101。透过整合两个eGaN功率场效应晶体管而成?单个组件，可以除去互连电感及电路板上组件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积?少50% |
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意法半导体新款智能型单路闸极驱动器整合电流隔离 (2014.12.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出先进的单路闸极驱动器（single-channel gate driver）STGAP1S。新产品在同一芯片上整合电流隔离（galvanic isolation）与模拟逻辑电路图（logic circuitry），可协助设计人员简化驱动器的设计，同时确保产品具有良好的噪声免除力（noise immunity），实现安全可靠的功率控制 |
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Linear推出高速、高输入同步MOSFET闸极驱动器 (2011.02.28)
凌力尔特（Linear）于日前宣布，推出新款H 等级版本的LTC4444/-5，其为高速、高输入供应电压 (100V) 同步 MOSFET闸极驱动器，专为在同步整流之转换器架构中，驱动较高和较低侧N 信道MOSFET 而设计 |
IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度，便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
