CTIMES - Dram

TrendForce：三星跳電第一季DRAM合約價起漲 (2020.01.09)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，隨著近一個月來DRAM現貨價格持續走揚，加上2019年12月31號三星華城廠區發生跳電，雖然整體記憶體的供給並沒有因此事件受到重大影響，但觀察到各產品別買方備貨意願進一步增強

美光DDR5 RDIMM進入樣品測試攻資料中心應用 (2020.01.09)
美光科技宣佈，其DDR5暫存器記憶體模組（RDIMM）已進入樣品測試階段，該產品採用了1znm製程技術，是目前DRAM產品中具備最先進的技術產品。美光DDR5將提升記憶體效能85%，並能因應次世代伺服器的工作負載量

TrendForce：2020年第一季繪圖用記憶體價格快速翻漲 (2019.12.26)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，2020年第一季除了因1X奈米良率問題導致供貨不及，使得伺服器記憶體價格領漲以外，繪圖用記憶體價格也快速反轉向上。由於繪圖用記憶體相較於其他產品類別，屬於價格波動明顯的淺碟市場，因此在買方積極拉貨下，預期價格將較前一季上漲逾5%，漲幅為所有產品中最高

TrendForce：現貨急漲 DRAM合約價提前於2020年第一季止跌 (2019.12.16)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，DRAM現貨價的翻揚，改變了市場氛圍。在預期性心理因素下，有利於合約市場中買方的備貨意願提高，目前預估合約價可能提前至2020年第一季止跌

TrendForce：旺季備貨需求回溫第三季NAND Flash廠商營收季增10% (2019.11.25)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查，2019年第三季NAND Flash產業營收表現，受惠於年底銷售旺季以及因應美中貿易衝突客戶提前備貨需求增加，激勵整體位元出貨量成長近15%，另一方面在供應商庫存水位改善下，抑制了以低價對Wafer市場倒貨的力道，進而帶動合約價跌幅收斂，第三季產業營收季成長為10.2%，達到約119億美元

TrendForce：採購力道回溫 DRAM第四季合約價跌幅明顯收斂 (2019.11.11)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，第四季DRAM均價相較前一季仍小幅下跌，但跌幅已縮小至約5%。10月交易量與先前季度的首月相比明顯放大，顯示買方購貨的意願逐漸增強

三星發表12層3D-TSV封裝技術將量產24GB記憶體 (2019.10.07)
三星電子今日宣布，已開發出業界首個12層的3D-TSV（Through Silicon Via）技術。此技術透過精確的定位，把12個DRAM晶片以超過6萬個以上的TSV孔，進行3D的垂直互連，且厚度只有頭髮的二十分之一

TrendForce：DRAM八月合約價格止跌九月持平可能性高 (2019.09.30)
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合約價與前月持平，DDR4 8GB均價來到25.5美元，而九月合約價格雖然仍在議定當中，但繼續持平的可能性高。從市場面來觀察，隨著日本政府批准關鍵半導體原料出口，七月開始的日韓貿易問題已正式落幕

TrendForce：紫光DRAM廠預計2021年完工製程是量產最大挑戰 (2019.09.05)
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，紫光集團於8月27日宣布與重慶市政府簽署合作協定，並在重慶投資DRAM研發中心與工廠，廠房預定2019年年底動工，並於2021年完工。這顯示在福建晉華遭到美國禁售之後，以及在中美貿易摩擦影響下，中國加速自主開發DRAM產品的進程

領先全球美光宣布量產1z 奈米16Gb DDR4 (2019.08.27)
美光科技今日宣佈，成為首家開始使用 1z nm 製程技術量產 16Gb DDR4 產品的記憶體公司。與上一代 1y nm 節點相比，美光的 1z nm 16Gb DDR4 產品顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本

美光推出16Gb低功率單片記憶體滿足AI邊緣和5G應用需求 (2019.08.27)
全球記憶體和儲存解決方案商美光科技，今日推出業界最高容量的單片16Gb低功率雙倍資料速率4X（LPDDR4X）DRAM。美光的16Gb LPDDR4X能夠在單一智慧型手機中提供高達16GB的低功率DRAM （LPDRAM），擴大了公司在目前和次世代行動裝置記憶體容量和效能方面的領導地位

TrendForce：第二季DRAM產值季減9.1%，第三季報價仍持續看跌 (2019.08.08)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查表示，第二季各產品別的報價走勢，除了行動式記憶體產品(discrete mobile DRAM/eMCP)跌幅相對較緩、落在10-20%區間外，包含標準型、伺服器、消費性記憶體的跌幅都將近三成，其中伺服器記憶體因庫存情況相對嚴峻，跌幅甚至逼近35%

第三季NAND Flash合約價跌幅收斂，Wafer價格則逆勢上揚 (2019.08.05)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查指出，7月各類產品合約價已出爐，整體而言合約價仍趨向走跌，但受到東芝跳電對產出直接衝擊，導致主流產品價格跌幅收斂

TrendForce : 第三季行動記憶體價格跌幅仍逾10% (2019.07.30)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查表示，第三季智慧型手機市場旺季需求增長幅度趨緩，不如以往旺季動輒10%以上的季成長表現，預估今年智慧型手機生產總量仍較去年衰退近5%

應用材料實現物聯網與雲端運算適用的新型記憶體技術 (2019.07.23)
應用材料公司因應物聯網 (IoT) 和雲端運算所需的新記憶體技術，推出創新、用於大量製造的解決方案，有利於加快產業採納新記憶體技術的速度。現今的大容量記憶體技術包括 DRAM、SRAM 和快閃記憶體，這些技術是在數十年前發明，已廣為數位裝置與系統所採用

紫光正式進軍DRAM產業中國決心發展記憶體自造 (2019.07.01)
TrendForce旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，紫光集團於6月30日正式發文公告籌組DRAM事業群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京擔任事業群董事長，而執行長由高啟全擔任

TrendForce：市場不確定性攀升第三季NAND Flash價格難反彈 (2019.06.20)
根據TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查指出，隨著中美貿易爭端升溫，2019年智慧型手機及伺服器的需求量將低於原先預期，加上CPU缺貨問題仍對筆記型電腦出貨略有影響，導致eMMC/UFS、SSD等產品第三季旺季出貨量恐不如預期，合約價跌勢難止

中國IC自製計畫來勢洶洶 IC Insights對成果持疑 (2019.06.14)
隨著中美關稅和貿易日趨緊張，中國政府和廠商更堅定要讓中國IC產業快速有效地成長，以削弱當前對美國和其他西方國家產出之IC零件的依賴性。就記憶體IC市場來說，一些頭條和報告已宣稱中國「勢不可擋」，將追上三星、SK海力士和美光的產量和技術水準，但IC Insights認為現實可能不是如此

中美貿易戰與華為事件Q3 DRAM價格跌幅將擴大至15% (2019.06.09)
TrendForce旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，受到美國禁用華為事件持續發酵，華為智慧型手機以及伺服器產品在未來的兩至三個季度恐將持續遭受嚴重的出貨阻礙，衝擊下半年DRAM產品的旺季需求與價格落底時間

[COMPUTEX] 美光助拳AI運算持續深耕記憶體與儲存技術 (2019.05.29)
針對越來越吃重的數據儲存與運算需求，美光（Micron）今日指出，在資料為王的今日，數據的重要性已被廣泛的注意，而記憶體和儲存的技術，對於建構更好的AI架構有著關鍵性的影響