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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2023年11月13日 星期一

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意法半导体(STMicroelectronics,ST)推出首款具有电流隔离功能的氮化??(GaN)电晶体闸极驱动器,新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸,同时降低物料清单成本,能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求。

意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能,具有卓越安全性和可靠性
意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能,具有卓越安全性和可靠性

此款单通道驱动器可连接最高1200V的电压,而窄版STGAP2GSN则可连接高达1700V的电压,闸极驱动电压最高达15V。该驱动器能够为所连接的GaN电晶体闸极灌入和源出最高3A的电流,即使在高运作频率下也能精准控制功率电晶体的开关操作。

STGAP2GS跨越隔离闸的传播延时极短,动态回应快速仅45ns。此外,在整个温度范围内,dV/dt 瞬变电压耐量为±100V/ns,可防止电晶体闸极电流发生不必要的变化。STGAP2GS具备独立的灌电流和源电流脚位,可轻松调整闸极驱动操作方式和性能。

STGAP2GS驱动器无需使用光学隔离离散元件,便於消费性电子、工业控制等产品设备采用高效、稳定的GaN技术。目标应用包括电脑伺服器电源、工厂自动化设备、马达驱动器、太阳能发电、风力发电系统、家电、家用电风扇和无线充电器。

除了整合电流隔离功能外,新驱动器还内建系统保护功能,包括针对GaN技术优化的热关断和欠压锁定(UVLO),确保驱动器的可靠性和耐变性。

EVSTGAP2GS和EVSTGAP2GSN两个展示板分别整合标准版STGAP2GS和窄版STGAP2GSN,以及ST 的SGT120R65AL 75mΩ、650V增强型GaN电晶体,协助使用者评估驱动器的功能。

采用 SO-8宽体封装的STGAP2GS和 SO-8窄体封装的STGAP2GSN现已上市。

關鍵字: SiC  GaN  宽能隙半导体  化合物半导体  ST  ST 
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