外电消息报导，东芝、IBM与AMD日前共同宣布，采用FinFET共同开发了一种静态随机内存（SRAM），其面积仅为0.128平方微米，是目前世界上最小的SRAM。这项技术是在上周（12/16）在旧金山2008年国际电子组件会议上所公布的。

据报导，三方所开发的储存组件使用高电介质金属栅极（High-K metal gate）材料，研发出一个大规模FinFET SRAM。这是目前世界上最小的非平面FET SRAM单元，面积仅有0.128微米平方（μm2）。这项技术将为未来的新技术带来了优于平面场效应晶体管（FET）组件的优势。报导指出，更小的SRAM面积将有助于缩小处理器的尺寸，提高其处理速度，减少处理器的功耗。

三方在其论文上指出，使用传统的平面晶体管来构建SRAM组件时，为了缩小晶体管的尺寸，IC设计者通常在组件区域添加更多杂质以调整其特性。但这种调整会破坏SRAM的稳定性，尤其是在22奈米及更先进的技术制程上更为明显。而采用FinFET，不但可以缩小SRAM的尺寸，还可减少特性变异。

此外，三方的研究人员也证实，透过无混合的FinFET能使晶体管特性变异的情况减少28%以上。证明相较于平面FET SRAM，这种FinFET SRAM在先进制程上能带来更稳定、更优异的性能。