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意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求，还针对电动车（EV）动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化，在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿 |
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英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
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意法半导体碳化矽技术为致瞻提升新能源汽车车载空调控制器效能 (2024.01.30)
意法半导体（STMicroelectronics；ST） 宣布与聚焦於碳化矽（SiC）半导体功率模组和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为其电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化矽（SiC）MOSFET技术 |
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英飞凌与英飞源合作 拓展新能源汽车充电市场 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场相关企业英飞源 (INFY) 达成合作 |
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安森美和麦格纳签署策略协议 投资碳化矽生产 (2023.07.30)
安森美（onsemi）和麦格纳（Magna）达成一项长期供货协议，麦格纳将在其电驱动（eDrive）系统中，整合安森美的EliteSiC智能电源方案。麦格纳是一家行动科技公司，也是全球最大的汽车零组件供应商之一 |
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Microchip推出碳化矽E-Fuse示范器 提高设备保护可靠性 (2023.05.10)
电池电动汽车（BEV）和混合动力汽车（HEV）的高压电气子系统需要具备一种保护机制，在超载情况下保护高压配电和负载。
为了向BEV和HEV设计人员提供更快、更可靠的高压电路保护解决方案，Microchip Technology Inc.今日宣布推出碳化矽（SiC）电子保险丝示范器（E-Fuse Demonstrator Board） |
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英飞凌推出全新PQFN 系列源极底置功率MOSFET (2022.12.23)
为了满足电力电子系统设计趋向追求更先进的效能和功率密度，英飞凌科技（Infineon）在 25-150 V 等级产品中推出全新源极底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）两个版本 |
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2022.11月(第372期)「硬」是安全 (2022.11.01)
自2020年开始，
物联网装置的数量首度超过非物联网设备，
成为全球最主要连上网路的装置。
而这意味着，现在上网的机器数量，
已远远超过人类。
换句话说，
我们的物联网设备所可能面临的资安风险 |
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美超微携手英飞凌高效率功率级产品 可降低资料中心耗电量 (2022.10.27)
数位化开创了新纪元，未来随着视讯串流、线上会议、云端服务、加密货币等大量数位应用的推动下，全球资料量也将出现指数型增长。专家预估，在未来15年间全球资料将增长146倍 |
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英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08)
数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙（WBG）元件碳化矽/氮化??（SiC/GaN）的需求。这类元件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。
英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂 |
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英飞凌扩展CoolSiC系列高电压产品 符合1500 VDC应用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成长，因此推动了开发人员在其应用中采用1500 VDC系统规格，以提高每台逆变器的额定功率和降低系统成本。不过，1500 VDC型系统在系统设计上带来更多挑战，例如在高DC电压下快速切换，这通常需要多层次拓扑，因此需要复杂的设计和相对较多的元件数量 |
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NIO选用安森美VE-Trac Direct SiC主驱功率模组 达到最高能效 (2022.05.13)
安森美（onsemi），今日宣布全球汽车创新企业蔚来（NIO Inc.）为其下一代电动车（EV）选用安森美的最新VE-TracTM Direct SiC功率模组。
这以碳化矽（SiC）为基础的功率模组使电动车的续航里程更远、能效更高，加速度也更快 |
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英飞凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封装提高灵活性 (2022.03.15)
英飞凌科技股份有限公司，推出全新采用PQFN 2 x 2 mm2封装的OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立式功率MOSFET技术树立全新的业界标准。这些新元件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显着的性能优势 |
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ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要，由於全球能源需求正在不断成长，因此必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标 |
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英飞凌推出全新MOTIX BTN99xx智慧半桥驱动整合晶片 (2022.03.02)
英飞凌科技股份有限公司再度推出，全新 MOTIX BTN99xx（NovalithIC+）系列智慧半桥驱动整合晶片。该晶片在单个封装内整合P通道高侧MOSFET和N通道低侧MOSFET，以及多个智慧驱动IC |
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英飞凌OptiMOS 6 100 V采用全新功率MOSFET技术 (2021.12.03)
因应电信与太阳能等高切换频率最佳化应用，当前切换式电源供应(SMPS)及电池供电的应用显著趋势是提高效率和可靠性。顺应这一发展趋势，英飞凌科技推出采用全新功率MOSFET技术的OptiMOS 6 100 V |
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三星首款MOSFET冰箱变频器 采用英飞凌600V功率产品 (2021.05.27)
英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱 |
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英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式，导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷，因此适合高功率密度应用，如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等 |
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马达变频器内的关键元件: 功率半导体 (2021.04.20)
全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高，未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。 |
