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国研院携手台积电 成功开发磁性记忆体技术 (2024.02.20)
为满足快速读写、低耗电、断电後不会遗失资料的前瞻记忆体储存技术需求，全球各半导体大厂都积极投入研究人力，布局相关技术开发。国研院半导体中心今（20）日也宣布与台积电合作开发的「选择器元件与自旋转移力矩式磁性记忆体整合」（Selector and STT-MRAM Integration） |
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工研院与台积电合作开发SOT-MRAM 降百倍功耗抢高速运算商机 (2024.01.17)
面对现今人工智慧（AI）、5G构成的AIoT时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用须快速处理大量资料，要求更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为各家大厂研发重点 |
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创新SOT-MRAM架构 提升新一代底层快取密度 (2023.04.17)
要将自旋轨道力矩磁阻式随机存取记忆体（SOT-MRAM）用来作为底层快取（LLC），目前面临了三项挑战；imec在2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上提出一套创新的SOT-MRAM架构，能够一次解决这些挑战 |
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联电携手Avalanche推出航太用高密度P-SRAM装置 (2022.09.13)
因应现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要，半导体晶圆厂商联华电子与专精於MRAM技术的创新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持续性静态随机存取记忆体（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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工业储存技术再进化！ (2022.08.26)
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智慧、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智慧城市到国防航太等领域都可以应用大量晶片记录海量数据 |
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前瞻磁性记忆体技术突破 工研院与产学界合作在VLSI发表研发成果 (2022.06.15)
随着人工智慧（AI）、5G与AIoT等科技加速发展，工研院累积深厚的前瞻记忆体研发能量，工研院在今（15）日宣布，除了与晶圆制造龙头台积电合作开发前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列晶片 |
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2022 ISSCC台湾15篇论文获选 联发科、台积电与旺宏皆上榜 (2021.11.16)
国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference；ISSCC)一向被视为是全球先进半导体与固态电路领域研发趋势的指标，有晶片(IC)设计领域奥林匹克大会之称，此研讨会将于2022年2月20日至24日于美国旧金山举行，台湾共有15篇论文入选 |
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可在量产中实现良率管理的STT-MRAM磁性测试 (2021.06.02)
由于STT-MRAM（自旋转移距－磁性随机存取记忆体）具有快速、非挥发性、耐用，低功耗和可扩展的优点，是目前正迅速获得关注的新记忆体技术之一。它是替代eFlash的强大候选者，尤其是对汽车、物联网和其他低功耗应用特别有吸引力 |
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新一代记忆体发威 MRAM开启下一波储存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可实现更高的密度、更少的功耗，和更低的成本。此外，STT-MRAM也非常有可能成为未来重要的记忆体技术。不止可以扩展至10nm以下制程，更可以挑战快闪记忆体的低成本 |
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STT-MRAM技术优势多 嵌入式领域导入设计阶段 (2019.09.12)
目前有数家晶片制造商，正致力於开发名为STT-MRAM的新一代记忆体技术，然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种常规记忆体的特性而获得市场重视 |
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群联携手Everspin 发展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群联电子宣布与Everspin策略联盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群联的企业级SSD储存解决方案。
群联指出，MRAM是一种非挥发性记忆体技术，不仅断电时资料不会遗失，且有低功耗及读写速度高於NAND等特性 |
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爱德万测试研发出用於记忆测试系统STT-MRAM的切换电流测量系统 (2018.11.21)
半导体测试设备供应商爱德万测试宣布其与日本东北大学创新整合电子系统中心〈CIES〉的合作，本计画由东北大学电机研究所教授远藤哲夫主持，成功地研发出高速、高精确度模组，可以测量磁性随机存取记忆体〈STT-MRAM〉中记忆束的切换电流，这是众所期待用於爱德万测试记忆测试系统的次世代记忆技术，运作速度为微安培/奈米秒 |
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FURUYA金属：因应硬碟片材料需求增加 将扩张??精制产能 (2018.06.22)
株式会社FURUYA金属宣布将对土浦工厂（茨城县土浦市泽边）进行投资，扩增??（Ru）精制产能。
FURUYA金属的土浦工厂拥有精制与回收高纯度??靶材（薄膜材料）及触媒等制品的产线，可以在短期间内进行高纯度的精制 |
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2018 ISSCC引领先进半导体技术指标 台获选论文量居全球第三 (2017.11.16)
国际固态电路学会（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）2018年年会预计於2018年2月11日至2月15日於美国旧金山举行。ISSCC被誉为晶片(IC)设计领域奥林匹克大会，促进国际半导体与晶片系统之产学研专家的技术交流，在本次国际学术研讨会，台湾共有16篇论文入选，数量仅次於美国与韩国，居全球第三 |
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由STT MRAM展望自旋电子学的未来与台湾机会 (2016.11.19)
本座谈会议针对现今国际与台湾在STT MRAM与Spintronics上的产学研状况进行一系列分析与探讨，邀请国际重量级专家与公司代表，就MRAM技术进展与市场进行估测，分析台湾的投入重点与进程/优势及劣势，并就自旋电子学的未来机会及应用潜力深入讨论，冀望大家借此交流机会共同为台湾自旋电子产业寻求合作与开发的契机 |
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来扬科技携手主力分团 进军次世代记忆体市场 (2016.05.16)
传统记忆体的制程技术已达物理极限，国际大厂无不全力布局，一场次世代记忆体大战已隐然成型。为抢占未来全球记忆体市场，来扬科技整合本身电路设计能力后，以开放宏观的精神，进军次世代记忆体市场 |
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尔必达重生 20nm DRAM年内量产 (2013.08.02)
还记得尔必达(Elpida)吗？它回来了！
曾经，因为过量生产导致价格崩坏，使得DRAM产业的制造商倒得一蹋胡涂。台湾厂商当中最惨的属茂德，连亏五年后，2012年股票下市，狼狈地退出DRAM产业 |
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MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!（下） (2013.07.08)
MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构，在这当中最为关键的三层，上下两层为磁性层（一为参考层，一为自由层），中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列，并可由电流来控制旋转方向 |
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SSD产业将迎向另一次革命 (2012.08.23)
SSD近来在行动市场相当受到欢迎，平均售价也持续下降，让这种快速存取且低功耗的储存装置成长力道强劲。不过，现在市售的SSD仍存在一些技术问题，例如装置内的DRAM可能因断电而流失数据，因而新世代的技术仍在发展中 |
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抢占MRAM先机 韩政府携手三星与海力士 (2009.12.01)
外电消息报导，韩国政府日前宣布，将与三星电子及海力士合作，进行磁性随机内存（Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)）的研发，以维持韩国在全球内存产业的领先地位 |
