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应用材料取得两项低介电技术专利授权 (2001.11.28)
应用材料公司宣布取得美国专利商标局第6,287,990号与第6,303,523两项专利授权，范围涵盖运用于介质化学气相沉积薄膜技术的先进低介电材料，将可增加下一世代芯片的速度及工作效能
应用材料推出Ultima X HDP-CVD设备 (2001.06.07)
应用材料公司Ultima高密度电浆化学气相沉积（HDP-CVD:High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition）家族再添新成员。新推出的Ultima X设备将提供下一世代组件所须的隙缝填补能力，包括先进的浅沟隔离（STI：Shallow Trench Isolation）、金属层间介质沉积（IMD: Inter-Metal Dielectric）和前金属介质沉积（PMD: Pre-Metal Dielectric）等制程应用
联电12吋晶圆厂采用应用材料300mm Producer S制程设备 (2001.03.12)
应用材料公司宣布联华电子已经采购该公司Producer S 300化学气相沉积制程设备，并且安装在台南科学园区内的12吋晶圆厂。应用材料已是目前半导体业界12吋晶圆制程设备的主要供货商，这次的采购行动则进一步强化了应用材料的领导地位
应用材料低k介电常数制程获得台积电选用 (2001.01.18)
应用材料公司的黑钻石（Black Diamond）化学气相沉积低k介电常数薄膜制程，已被全球最大专业晶圆制造服务的台湾集成电路公司选用，将用来支持其最先进的高效能0.13微米铜导线制程


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