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PC主記憶體邁向DDR2世代 (2005.01.01)
DRAM的高速化是PC主記憶體重要發展趨勢之一；目前400MHz的DDR DRAM已逐漸無法滿足未來PC的高速需求，而更新一代的DDR2儼然成為接班主流；DDR2擁有比DDR更高的效能、速度及低耗電等特性，並有效提升周邊介面及裝置整體操作效能 |
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多孔性低介電常數材料的非損害性清洗製程 (2004.12.04)
本文所探討的晶圓表面處理技術，將介紹如何在批次型噴霧清洗設備的協助下，利用飽和臭氧含量的去離子水來處理化學氣相沉積的有機矽玻璃低介電常數薄膜，並且分析所得到的光阻去除結果；這項製程不會導致低介電常數性質或微距的改變，此外也證明利用腐蝕抑制劑，就能降低臭氧製程對銅腐蝕效應 |
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茂德科技DDR DRAM產品獲IBM及DELL認證通過 (2004.08.19)
茂德科技今(19)日宣佈以自行研發之0.12微米製程所生產256Mb DDR DRAM產品，獲一線大廠IBM及Dell驗證通過，該項殊榮同時顯示茂德自行研發能力獲國際合作夥伴肯定。
茂德科技發言人林育中指出 |
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設備交期難縮短 半導體產能擴充有限 (2004.06.07)
工商時報引述外資券商SG Cowen Securities針對半導體市場所發布之最新報告指出，因關鍵半導體生產設備交期難以縮短，包括晶圓製造、封裝測試下半年產能擴充幅度有限，所以下半年旺季來臨後，產能吃緊情況將更為嚴重 |
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12吋晶圓設備搶手 業者首推預付訂金制 (2004.04.20)
工商時報消息，因各大半導體業者積極興建12吋晶圓廠，相關設備搶手，設備業者甚至推出預付四成訂金保證優先交機權的條件，首開風氣之先的是12吋晶圓顯影設備（photolithography）最大業者ASML |
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聯電與Numerical延續相移技術授權協議 (2003.01.22)
聯電(UMC)與次波長蝕刻技術供應商Numerical近日表示，為因應晶圓專工邁向90奈米製程，聯電將延續與Numerical的相移技術授權協議。雙方除了延續1999年開始的合作研究及促進100奈米以下的積體電路製程技術發展外，此項三年協議亦延續雙方在2000年12月開始的授權合作關係 |
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Numerical授權三星相移技術 (2002.12.25)
根據外電消息，次波長蝕刻技術供應商Numerical，日前與三星電子（Samsung）簽署授權協議，三星將以Numerical的相移技術（phase-shifting）生產新一代的SRAM，預計明年初開始投產 |
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Numerical與Samsung簽署生產授權協議 (2002.12.20)
Numerical與三星電子近日簽署一份授權協議，Samsung將透過Numerical的相移技術（phase-shifting）生產新一代SRAM產品。在簽署此項協議之前，雙方團隊歷經長時間的研發合作，為此項產品進行120奈米元件生產製程的改良，預計將於明年初開始進行量產 |
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90/130奈米發展的瓶頸與挑戰 (2002.10.05)
當半導體產業推進到100奈米以下時，物理極限的困難即接踵而至，使得業者紛紛提出的90奈米先進製程量產化，讓許多專家仍抱著觀望態度﹔加上130奈米製程中仍有許多未解的技術瓶頸，同樣也會成為90奈米的困境﹔這種種現象，即是本文想探討的問題 |
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Mentor Graphics Calibre部門與IMEC合作 (2002.06.03)
Mentor Graphics於5月28日宣佈，Mentor Calibre部門已和IMEC達成一項合作協議，將共同發展次波長微影技術（subwavelength microlithography）。IMEC是歐洲最重要的獨立研究中心，研究領域涵蓋微電子、奈米技術、資訊和通信系統的設計方法和技術 |
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Intel開發出一平方微米的SRAM電路元 (2002.03.13)
英特爾公司研發人員已成功製造出全球最小、面積僅1平方微米的SRAM(靜態隨機存取記憶體)記憶體電路元。這些電路元是記憶體晶片的建構基礎，被用於運用英特爾新一代90奈米(nm)製程技術所生產出功能完整的SRAM裝置 |
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黃光技術力求突破 (2001.09.01)
黃光，即是為避免產品曝光，產品在黃光下進行一連串的半導體微影製程動作，目前已有的微影技術為可見光、近紫外光、中紫外光、深紫外光、真空紫外光、極短紫外光 |
