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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用 |
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英飞凌HybridPACK Drive G2 Fusion结合矽和碳化矽至电动汽车先进电源模组 (2024.10.16)
英飞凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立新的电源模组标准。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技术，可随??即用的电源模组 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统（PV-ES）市场快速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为厂商得胜关键；英飞凌科技（Infineon）为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件，共同推动绿色能源发展 |
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英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
英飞凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化 |
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英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飞凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置，除了能够满足设计人员对更高功率密度的需求，即使面对严格的高电压和开关频率要求，也能够维持系统的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率 |
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英飞凌与英飞源合作 拓展新能源汽车充电市场 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场相关企业英飞源 (INFY) 达成合作 |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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英飞凌CoolSiC功率模组 推动节能电气化列车迈向低碳化 (2023.06.05)
为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有严苛的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行 |
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英飞凌携手Schweizer扩大晶片嵌入式领域 提高EV续航里程 (2023.05.15)
英飞凌和德国Schweizer Electronic公司宣布携手合作，透过创新进一步提升碳化矽（SiC）晶片的效率。双方正在开发一款新的解决方案，旨在将英飞凌的1200 V CoolSiC晶片直接嵌入PCB板，以显着提高电动汽车的续航里程，并降低系统总成本 |
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英飞凌推出 HybridPACK Drive G2 适用於新型汽车功率模组 (2023.05.11)
英飞凌科技股份有限公司近日推出一款新型汽车功率模组HybridPACK Drive G2。该模组承袭了成熟的HybridPACK Drive G1整合B6封装概念，在相同尺寸下提供可扩展性，并扩展至更高的功率和易用性 |
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TrendForce逆势看好电动车及再生能源应用 估2023年SiC产值将破22亿美元 (2023.03.10)
虽然近期因美系电动车大厂Tesla於投资者大会上，宣布将减少该公司下一代车用动力系统约75%以上的碳化矽用量而震撼市场。但依TrendForce最新发表研究报告，仍认为受惠於电动车及再生能源业者积极导入下，将推动2023年第三代半导体材料中的碳化矽功率元件产值达22.8亿美元，年成长41.4% |
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Bloom Energy选用英飞凌CoolSiC功率元件 助力电源供应 (2022.10.28)
当前的能源危机充分表明全球迫切需要寻找替代能源以建构气候友善型的能源供应能力。总部位於美国加州的 Bloom Energy 公司近期选用了英飞凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极体产品，用於该公司燃料电池产品 Bloom’s Energy Server 以及 Bloom Electrolyzer 电解系统中的功率转换 |
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英飞凌CoolSiC助力台达双向逆变器 化EV为家庭紧急备用电源 (2022.08.03)
英飞凌科技股份有限公司宣布旗下CoolSiC产品获得全球领先的电力与能源管理解决方案供应商台达电子（Delta Electronics）选用，助力台达朝向利用绿色电力实现能源转型与碳中和的目标迈出了一大步 |
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英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08)
数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙（WBG）元件碳化矽/氮化??（SiC/GaN）的需求。这类元件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。
英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂 |
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英飞凌扩展CoolSiC系列高电压产品 符合1500 VDC应用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成长，因此推动了开发人员在其应用中采用1500 VDC系统规格，以提高每台逆变器的额定功率和降低系统成本。不过，1500 VDC型系统在系统设计上带来更多挑战，例如在高DC电压下快速切换，这通常需要多层次拓扑，因此需要复杂的设计和相对较多的元件数量 |
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英飞凌推出全新CoolSiC技术产品组合 大幅提高灵活性 (2022.04.22)
英飞凌科技股份有限公司推出全新CoolSiC技术：CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化矽（SiC）晶片将透过常见的Easy模组系列以及.XT互连技术的独立封装，建置於广泛扩充的产品组合 |
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英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01)
英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。
这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和 |
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英飞凌推出EiceDRIVER F3增强型系列闸极驱动器 提供全面短路保护 (2022.03.11)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出EiceDRIVER F3（1ED332x）增强型系列闸极驱动器，进一步壮大其EiceDRIVER增强型隔离闸极驱动器的产品阵容。
该系列闸极驱动器能够提供可靠且全面的保护，防止短路故障的发生，让包括IGBT在内的传统功率开关以及CoolSIC宽能隙元件得到有效保护 |
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英飞凌推出XHP 2功率模组 降低有轨电车能耗与引擎噪音 (2022.03.08)
英飞凌科技股份有限公司将推出采用XHP 2封装，采用CoolSiC MOSFET和.XT技术的功率半导体，特别适用於轨道交通的定制需求。
英飞凌XHP 2功率模组的价值，已在西门子铁路系统（Siemens Mobility）和Stadtwerke Munchen（SWM）公司联合展开的实际道路测试中得到证明 |
