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英飞凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V单通道闸极驱动器系列 (2021.12.22)
英飞凌科技,推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 单通道闸极驱动器IC系列。新产品系列旨在提高CoolGaN肖特基闸极(SG)HEMT的性能,但也相容于其他GaN HEMT和矽MOSFET。闸极驱动器的目标锁定广泛应用,包括DC-DC转换器、马达驱动器、电信、伺服器、机器人、无人机、电动工具以及 D 类音讯放大器等
ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器,其采用了节省空间的窄体SO-8封装,具备稳定的效能和精准的PWM控制。 SiC功率技术被广泛使用于提升功率转换效率,而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间,并加强稳定性和可靠性
SiC MOSFET适用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽车认证 (2020.03.18)
中高压变频器应用闸极驱动器技术厂商Power Integrations(PI)今日宣布推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效单通道闸极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver,该产品现已通过AEC-Q100认证,可供汽车使用
英飞凌1EDC Compact系列单通道闸极驱动器 符合UL 1577认证 (2018.05.31)
英飞凌科技股份有限公司推出EiceDRIVER 1EDC Compact 300 mil系列的单通道闸极驱动器 IC。本系列电气隔离驱动器可承受60秒的 VISO= 2500V(rms) 隔离电压测试,符合UL 1577 认证。 由於切换频率高达1,000kHz,不仅能驱动IGBT,也能整合至要求严苛的SiC MOSFET拓扑中
Power Integrations的SCALE-Driver IC将SCALE-2驱动器技术引入1200 V应用 (2016.05.24)
为中高压变频器应用提供IGBT 和MOSFET 驱动器技术厂商Power Integrations(简称PI)宣布,推出输出电流范围在2.5 A 到8 A 之间的电化隔离式单通道闸极驱动器IC 系列,这是在不使用外部升压器时可达到的超高输出电流
英飞凌推出转换速率控制 EiceDRIVER (2014.06.17)
英飞凌科技股份有限公司推出最新EiceDRIVER 产品系列的单通道闸极驱动器,专为工业应用的高阶系统所开发。 1EDS20I​​12SV EiceDRIVER Safe 驱动器元件是第一款在IGBT 可即时调整转换速率控制(SRC)的驱动器
英飞凌推出 1EDI 精简型驱动器采用无核变压器技术 (2013.12.03)
英飞凌科技股份有限公司推出最新 1EDI EiceDRIVER 精简型单信道闸极驱动器,可用于高达 1200V 隔离电压之应用。这款具电气隔离的驱动器组件采用英飞凌开发的「无核变压器技术」,让输出可高达 6 安培的电流
TI推出精巧高速单信道闸极驱动器 (2012.04.30)
德州仪器 (TI) 日前宣布,推出高速及驱动电流效能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单信道低侧闸极驱动器,大幅减少 MOSFET、IGBT 电源组件及氮化镓 (GaN) 组件等能带间隙 (band-gap) 半导体的开关损耗


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