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Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品 (2024.09.26)
先进半导体和储存解决方案供应Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基栅极二极体（SBD）产品线中增添1200 V新产品「TRSxxx120Hx系列」，适合应用於光伏逆变器、电动汽车充电站，以及用於工业设备用的开关电源供应器、不断电供应系统（UPS）等工业设备 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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Diodes推出首款极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司发布特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同级产品中实现了极高的电流密度，以低顺向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的可携式、行动和穿戴式设备克服了设计难题 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
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意法半导热切换二极体控制器问世 适用於ASIL-D汽车安全关键应用 (2023.09.19)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出的STPM801是率先业界所推出之车规整合热切换的理想二极体控制器，适合汽车功能性安全应用。
这款理想二极体控制器驱动一个外部MOSFET开关二极体，取代过去在输入反向保护和输出电压维持电路中常用的肖特基二极体 |
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智慧节点的远端运动控制实现可靠的自动化 (2023.08.25)
本文介绍如何在自动化和工业场景中整合新的10BASE-T1L乙太网路实体层标准，将控制器和使用者介面与端点相连接，所有元件均使用标准乙太网路介面进行双向通讯。 |
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贸泽电子2023年第二季推出近30,000项新品 (2023.07.20)
贸泽电子（Mouser Electronics）为原厂授权代理商，致力於快速导入新产品与新技术，协助超过1,200个半导体及电子元件制造商从设计链到供应链加快产品的上市速度，将新产品卖到全世界 |
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贸泽即日起供货安森美EliteSiC碳化矽系列解决方案 (2023.04.12)
贸泽电子（Mouser Electronics）即日起供货安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极体、MOSFET、IGBT与SiC二极体功率整合模组（PIM），以及符合AEC-Q100标准的装置 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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Bloom Energy选用英飞凌CoolSiC功率元件 助力电源供应 (2022.10.28)
当前的能源危机充分表明全球迫切需要寻找替代能源以建构气候友善型的能源供应能力。总部位於美国加州的 Bloom Energy 公司近期选用了英飞凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极体产品，用於该公司燃料电池产品 Bloom’s Energy Server 以及 Bloom Electrolyzer 电解系统中的功率转换 |
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美超微携手英飞凌高效率功率级产品 可降低资料中心耗电量 (2022.10.27)
数位化开创了新纪元，未来随着视讯串流、线上会议、云端服务、加密货币等大量数位应用的推动下，全球资料量也将出现指数型增长。专家预估，在未来15年间全球资料将增长146倍 |
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Diodes DC-DC转换器符合汽车规格 提高轻负载效率降低EMI (2022.08.23)
Diodes公司宣布其符合汽车规格的DC-DC转换器系列又添新成员。AP64060Q是一款600mA的同步降压转换器元件，输入电压范围为4.5V至40V。
它整合了600mΩ的高侧功率MOSFET和300mΩ的低侧功率MOSFET，可提供高效的降压转换（效率达90%），且占用的PCB机板空间最小 |
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英飞凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V单通道闸极驱动器系列 (2021.12.22)
英飞凌科技，推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 单通道闸极驱动器IC系列。新产品系列旨在提高CoolGaN肖特基闸极（SG）HEMT的性能，但也相容于其他GaN HEMT和矽MOSFET。闸极驱动器的目标锁定广泛应用，包括DC-DC转换器、马达驱动器、电信、伺服器、机器人、无人机、电动工具以及 D 类音讯放大器等 |
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保护自动驾驶汽车（AV）控制电路 (2021.04.14)
除非车辆的电子电路具有高度的可靠性和抗电冲击能力，否则自动驾驶汽车（AV）所提供的安全性和便利性无法实现。 |
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UnitedSiC发布线上功率设计工具 加速找出理想SiC FET方案 (2021.03.16)
碳化矽（SiC）功率电晶体制造商UnitedSiC推出FET-Jet Calculator，这是一款免费注册的简单线上工具，能方便设计人员为不同功率应用和拓扑结构选择器件和比较器件在其中的效能 |
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英飞凌推出650V碳化矽混合分立式元件 提升车用充电器效能 (2021.03.12)
英飞凌科技推出车用650V CoolSiC混合分立元件，内含一个50A TRENCHSTOP5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极体，能以符合成本效益的方式提升效能和可靠性。将IGBT与肖特基二极体结合 |
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英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体 |
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英飞凌CoolSiC助光宝推出80 PLUS??金认证之交换式电源供应器 (2020.09.25)
数位化趋势愈加迅速，使伺服器装置的数量激增，连带电源需求也不断上扬。同时，在全球暖化的效应下，如何提升运作的能源效率成为更加重要的课题。由北美80 PLUS计划(80 PLUS initiative)於2004年所制定的测量标准可用於评估及认证交换式电源供应器(SMPS)的效率 |
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意法半导体推出薄型表面黏着包装肖特基二极体提升功率密度和效能 (2020.08.24)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新推出26款采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极体。
此款二极体的厚度1.0mm，相较标准SMA和SMB封装产品薄50％，让设计人员能够在提升功率密度的同时节省空间 |
