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立锜与宜特共同揭示MEMS G-Sensor检测合作成果 (2015.01.13)
立锜科技与宜特科技宣布一项MEMS检测合作成果，双方针对立锜积极开发的MEMS G-Sensor提出最佳分析除错解决方案。基于宜特建构出的一代MEMS G-Sensor标准失效分析流程，2013年双方已有成功的合作经验；2014年在二代MEMS分析技术
满足穿戴产品、3D封装验证需求 宜特引进高端设备 (2014.10.13)
在穿戴式与行动装置普及、电子产品朝轻薄短小演进下，产品内部结构的尺寸越趋微细浅薄，分析量测或观察产品各种特性亦面临前所未有的极限。为因应客户之需，iST宜特台湾总部增加资本支出引进并升级一批高端设备，包括故障分析缺陷侦测- Thermal EMMI（InSb）；材料表面元素分析- XPS/ ESCA 及Dual-Beam FIB升级，并于10月正式对外检测使用
宜特完成28奈米IC电路修改除错技术 (2012.02.16)
随摩尔定律的脚步，半导体市场在2012年将会正式跨入28奈米制程世代。宜特日前宣布，该公司从2010年开始布局，2011年与知名IC设计大厂合作，历经研究测试，2012年正式突破技术门坎，不仅替客户完成难度极高的28奈米最小线宽修改，且电路除错能力更深入至IC最底层(Metal 1)


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