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富士通开发全新FRAM具有4 Mbit记忆容量 (2016.03.01)
香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司宣布，富士通成功开发具有4 Mbit记忆容量的全新FRAM（铁电随机存取记忆体）产品─MB85RQ4ML，此产品是以高速运算改善网路装置效能的非挥发性记忆体，于四线SPI介面非挥发性RAM市场中拥有高密度，并开始以样本量供货 |
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[专栏]记忆体撞墙效应谁来解？ (2014.12.15)
电脑系统的效能精进，在近年来遭遇一些问题，例如处理器的时脉撞墙（Clock Wall）问题，即运作时脉难以超越4GHz，2011年第4季Intel推出第二代的Core i7处理器达3.9GHz，至今Intel所有的处理器均未超过3.9GHz |
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美高森美太空产品长期促动罗塞塔号探测器任务 (2014.12.03)
美高森美太空产品逾一万五千个部署于长达十年的罗塞塔号探测器任务
美高森美公司（Microsemi）祝贺欧洲太空总署（ESA）、美国国家航空暨太空总署（NASA）和其合作伙伴的罗塞塔号（Rosetta）探测器成功达到了观测67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任务目标 |
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Ramtron非挥发性状态保存器通过汽车标准认证 (2009.05.21)
非挥发性铁电内存(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，其两款非挥发性状态保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1认证 |
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Ramtron在V系列增添串行512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列产品中的第二款串行组件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行周边接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
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Ramtron推出1Mb并行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新并行和串行FRAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选组件的特性。Ramtron的V系列FRAM产品中的最新组件FM28V100，是100万位、2.0至3.6V的并行非挥发性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、无乎无限的读写次数和低功耗特性 |
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新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型内存解决方案 |
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Ramtron兆位串行FRAM内存 (2008.09.18)
Ramtron宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选组件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款组件FM25V10，是100万位（Mb）、2.0至3.6V、具有串行外设接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速存取、无延迟（NoDelay技术）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
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Ramtron委任贝能国际扩大FRAM中国销售管道 (2008.08.18)
Ramtron International将进一步增强中国市场渗透的措施，委任贝能国际（Burnon International）在中国内地及香港地区分销其全系列产品。
过去七年半以来，Ramtron在中国市场的销售大幅度成长，现在中国市场销售额占该公司亚太地区销售额超过三分之二 |
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08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，根据统计数据，今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼，市场占有率已超过了30%，持续维持第一大内存厂的龙头地位 |
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其阳选择Ramtron的FRAM用于游戏机解决方案 (2008.08.08)
台湾应用工业计算平台制造商其阳科技（Aewin Technologies），已在其以Intel为基础的 GA-2000及以AMD为基础的GA-3000游戏和高分辨率多媒体PC电路板中，设计使用Ramtron的FM22L16 400万位FRAM非挥发性内存 |
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Energy Optimizers选择FRAM用于管理插头 (2008.07.25)
Ramtron宣布，英国的 ZigBee和蓝牙智能节能设备设计和制造商Energy Optimizers已将Ramtron的FM25L512 512千位（Kb）串行F-RAM内存，设计用于其Plogg系列无线能量管理插头中。F-RAM所提供的无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的耐用性及低功耗特点 |
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Ramtron串行F-RAM达汽车电子AEC-Q100标准 (2008.05.28)
Ramtron International扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM内存产品，FM24CL64 64Kb串行F-RAM已通过认证，可在-40至+85℃的Grade 3汽车温度范围内使用。FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1（+125℃）和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车内存产品的一部分 |
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Ramtron串行F-RAM应用于工业自动化设计 (2008.05.26)
FRAM产品开发商及供货商Ramtron International宣布，中国压力传送器与电磁流量计供货商上海威尔泰工业自动化公司已将Ramtron的FM25L16 16Kb串行F-RAM内存设计用于其2000S安全压力传送器中 |
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IBM成功开发自旋电子Racetrack Memory (2008.04.22)
IBM正式发表自旋电子技术的新型非挥发性内存Racetrack Memory。据了解，这种内存同时具备高性能、高稳定性等半导体优点，以及成本低、容量大等硬盘的特色。IBM表示，Racetrack Memory可在行动终端上储存50万首乐曲或3500部电影，相当于现有行动终端可储存容量的约100倍 |
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Ramtron推出首款2Mb串行FRAM内存 (2008.04.21)
Ramtron成功开发业界首款200万位（Mb）、采用8脚TDFN（5.0×6.0mm）封装的串行F-RAM内存。FM25H20以130奈米CMOS制程生产，是一款高密度的非挥发性F-RAM内存，它以低功耗操作，并且具有高速串行周边接口（SPI） |
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Ramtron推出FRAM增强型系统管理解决方案 (2008.03.25)
非挥发性铁电随机存取内存（FRAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，推出64Kb、3V的Processor Companion产品FM3135，它结合了非挥发性FRAM内存与增强型实时时钟/日历（RTC）及整合式32kHz时钟晶振之优点 |
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Ramtron升级FM31x Processor Companion系列 (2008.01.28)
Ramtron宣布升级其FM31x Processor Companion系列，纳入更高效的连续补充充电器和仅需标准12.5pF外部时钟晶振的实时时钟（RTC）。新型FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非挥发性F-RAM内存、高速双线接口及高度整合的支持与外设功能，适用于基于处理器的先进系统 |
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东芝成功开发MRAM专用之新TMR组件 (2007.11.09)
东芝成功开发可达1Gbit以上储存容量的MRAM新型TMR组件。据了解，东芝透过自旋注入反磁化方式（简称自旋注入方式），以及可大幅减小组件体积的垂直磁化技术。东芝并于美国佛罗里达州Tampa所举办的第52届磁学与磁性材料年会（Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials；MMM）上发表这项研究成果 |
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非挥发性FRAM记忆技术原理及其应用初探 (2007.10.26)
FRAM是以RAM为基础、运用铁电效应、并使用浮动闸技术作为一个储存装置。铁电结构是基本的RAM设计，电路读取和写入简单而容易。 FRAM不需要定期更新，即使在电源消失的情况下，仍能储存资料 |
