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旺宏：高阶NOR Flash需求稳定 3D ROM有??年底量产 (2018.02.02)
全球NOR Flash记忆体市占第一的台湾记忆体制造商旺宏电子，日前在法说会上表示，2018年高容量NOR Flash的价格仍稳定上扬，但低阶的NOR Flash产品则会有供过於求的状况；另外，旺宏研发已久的3D ROM产品将有??在今年底量产 |
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旺宏电子NOR Flash提前导入75奈米预计Q4量产 (2010.10.03)
旺宏电子（MXIC）于日前宣布，该公司由于制程技术研发成果顺利，其生产制造的NOR型闪存，将跳过90奈米制程，直接导入至75奈米，超前原先时程规划。采用75奈米新制程的产品将广泛应用于网络通讯、计算机、消费电子与手持式装置等应用市场 |
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Computex 2008展后报导 (2008.06.03)
全球第二大资讯展「Computex Taipei 2008」于6月6日圆满落幕。今年的展会首度启用南港展览馆，并与信义馆同步展出，有1725家厂商参展，共4492个摊位，较2007年成长了53％。此外 |
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华邦电子推出低功率行动内存 (2008.02.29)
华邦电子即将参加由Global Sources所主办的2008 IIC-China深圳（3/3-4深圳会展中）、上海（3/10-11上海世贸商城），届时也将展出华邦两大系列行动内存产品－低功率耗易失存储器及虚拟静态内存，并推出一系列低功耗易失存储器512Mb Low Power DRAM |
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奇梦达1、2GB省电DDR3 SO-DIMMs开始出货 (2008.01.28)
奇梦达公司宣布1GB和2GB的DDR3 SO-DIMM内存模块（Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules）的样品开始出货给主要客户，以布局次世代的笔记本电脑市场。奇梦达将其最新的DDR3 SO-DIMMs优化，提供高度的省电功能 |
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华邦电子参与中国杭州电子信息博览会 (2007.09.04)
华邦电子将于2007年9月5日至9月8日参加由台湾区电机电子工业同业公会（TEEMA），商务部外贸发展事务局及杭州市人民政府共同举办的中国杭州电子信息博览会，于此会中将展出华邦两大系列行动内存产品－低功耗易失存储器及虚拟静态内存 |
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奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议 (2007.08.22)
内存供货商奇梦达公司（Qimonda）与中芯国际集成电路公司（SMIC） ，21日宣布签署协议，扩大双方于标准内存芯片（DRAM）的技术合作。
根据该项协议，奇梦达将转移其80奈米DRAM沟槽技术予中芯国际位于北京的12吋晶圆厂 |
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内存低迷 华邦第二季税后纯损近14亿台币 (2007.08.06)
华邦电子股份有限公司三日召开董事会，通过2007年度第二季会计师查核签证之财务报表，公布2007年第二季的营业收入为新台币72亿6千7百万元，营业毛利为2亿2千万元，税后纯损为新台币13亿7千4百万元，每股纯损为0.37元 |
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Qimonda开始供应512Mbit Mobile-RAM样品 (2007.07.19)
奇梦达（Qimonda）宣布开始供应新款512Mbit Mobile-RAM（低功耗存取内存）75奈米技术的样品。Mobile-RAM是超低功耗的DRAM内存，耗电量比密度相同的标准DRAM减少80%，适合应用于各种行动装置，包括智能型与多功能手机、可携式卫星导航装置、数字相机，以及MP3随身听 |
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奇梦达提供华邦75奈米和58奈米DRAM制程技术 (2007.07.06)
德国奇梦达（Qimonda AG）将提供台湾厂商华邦电子（Winbond Electronics）75奈米和58奈米制程之DRAM制造技术。据了解，华邦将在台湾的12吋晶圆厂生产在线导入75奈米和58奈米制程技术，并生产提供给奇梦达的DRAM芯片 |
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奇梦达2007年第二季营收为9.84亿欧元 (2007.04.27)
奇梦达发布截至2007年3月31日的2007会计年度第二季与上半年营收结果。奇梦达在2007会计年度第二季的营收为9.84亿欧元，较去年同期的9.28亿欧元为高，但比2007会计年度第一季的11.7亿欧元下滑 |
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旺宏正式启动NAND闪存开发计划 (2007.02.01)
旺宏将正式启动NAND闪存的开发计划，以SONOS技术为基础，预期四年后完成，届时以45奈米制程技术投入量产，初期生产16GB与32GB的产品，今年并有意寻求策略合作伙伴。
旺宏今年资本支出预计为30亿元至35亿元 |
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奇梦达考虑增建12吋晶圆新厂 (2007.01.30)
全球第二大DRAM厂奇梦达，其亚太区总裁黄振潮表示，为维持市占率，未来将增建一座十二吋厂，设厂地点目前倾向在中国大陆、新加坡跟台湾三地择一，预计年底作出决定 |
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奇梦达与南亚科技获得75奈米DRAM技术之验证 (2006.09.19)
奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75奈米DRAM沟槽式（Trench）技术之验证，最小之制程尺寸为70奈米，第一个75奈米之产品将为512Mb DDR2内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德勒斯登（Dresden）和慕尼黑（Munich）的奇梦达开发中心所开发的 |
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尔必达移转80奈米技术 力晶受益 (2005.07.26)
国内DRAM龙头厂力晶半导体宣布，与技术合作伙伴尔必达签订新技转合约，尔必达将技转力晶80奈米及75奈米制程技术。力晶为尔必达代工的标准型DRAM，已经开始采用0.1微米量产中 |
