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应材推出电子束量测系统 提升High-NA EUV制程的控制与良率 (2023.03.08)
由於包含极紫外光（EUV）和新兴高数值孔径（High-NA）的光阻越来越薄，量测半导体元件特徵的关键尺寸变得愈来愈具挑战性。应用材料公司最新推出新的电子束（eBeam）量测系统，则强调专门用来精确量测由EUV和High-NA EUV微影技术所定义半导体元件的关键尺寸（critical dimension） |
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imec最新High-NA EUV技术进展 加速微影生态系统开发 (2022.04.26)
比利时微电子研究中心（imec）於本周国际光学工程学会（SPIE）举行的先进微影成形技术会议（2022 SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference）上展示其High-NA微影技术的重大进展，包含显影与蚀刻制程开发、新兴光阻剂与涂底材料测试，以及量测与光罩技术优化 |
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应用材料公司推出新电子束量测系统 (2021.10.19)
应用材料公司发布独特的电子束 (eBeam) 量测系统，提供大量元件上、跨晶圆和穿透多层结构进行图形量测与控制的新攻略。
先进晶片是一层一层建构起来的，其过程中数十亿个结构的每一个都必须被完美地图案化 (patterned) 和对准，才能制造出具有最佳电性的电晶体和互连架构 |
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运动控制软硬并进 (2016.05.16)
运动控制是工厂自动化系统的核心环节，各自动化大厂在此均有完整产品布局，近年来工业4.0概念兴起，运动控制在软硬两端都有长足的进展。 |
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KLA-Tencor解决EUV研究和双次成像微影的挑战 (2010.02.22)
KLA-Tencor推出了最新一代的PROLITH虚拟黄光计算机仿真软件PROLITH X3.1。其让芯片厂商、研发机构及设备制造商能够迅速且具成本效益地解决超紫外线（EUV）和双次成像微影（DPL）制程中的挑战，包括与晶圆堆栈不平坦有关的边缘粗糙度（LER）和成像问题 |
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KLA-Tencor发表全新显影可修正平台 (2006.03.21)
KLA-Tencor于近日正式发表K-T Analyzer—该公司全新的显影可修正平台，能够提供全自动化的覆盖与关键尺寸(CD)度量数据的工具分析，以加速并改善进阶显影单元的限定与控制 |
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半导体量测检验市场加温 (2002.06.06)
Information Network 最新报告预估，2002年全球前端半导体设备市场将比2001年成长8.2﹪该年全球半导体量测(Metrology)与检验(Inspection)设备市场规模将达61亿美元，比2001年的45.8亿美元增加33.2﹪ |
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台湾应用材料林口办公室开幕 (2000.05.25)
台湾应用材料公司为协助南亚二厂进行厂能的扩充，特别于林口南亚二厂附近成立一新的服务据点，并成立一支技术服务团队，全力支援南亚二厂进行量产。
南亚二厂位于林口华亚工业园区，今年二月成立试产线，并计划于今年下半年进入量产 |
