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英飞凌推出LPDDR快闪记忆体 助力打造下一代汽车E/E架构 (2023.05.08)
英飞凌推出业界首款LPDDR快闪记忆体，助力打造下一代汽车电子电气（E/E）架构。英飞凌SEMPER X1 LPDDR快闪记忆体为汽车域和区网域控制站提供至关重要的安全、可靠和即时的代码执行 |
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英飞凌推首款单一NOR Flash整合资料安全及功能安全 (2020.06.22)
收购赛普拉斯半导体(Cypress)助力英飞凌科技提升其在记忆体解决方案的能力。英飞凌宣布推出Semper Secure，扩展其Semper NOR快闪记忆体平台。基於Semper NOR Flash经实证肯定，强固耐用的智慧型记忆体架构 |
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英特尔与美光推新34奈米闪存芯片 Q4量产 (2009.08.13)
外电消息报导，英特尔和美光科技于周二（8/11）宣布，已开发出使用34奈米制程的NAND MLC闪存芯片。该芯片的储存容量为每个储存单元3 bit（3-bit-per-cell），高于目前标准的2 bit技术，进而提高芯片的储存容量 |
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AgigA Tech推出高密度非挥发性RAM系统 (2009.06.30)
Cypress Semiconductor宣布旗下子公司AgigA Tech推出业界首款高速、高密度的非挥发性RAM内存系统。新款AGIGARAM非挥发系统(NVS)技术，带来介于4 megabytes(32 megabits)及2 gigabytes (16 gigabits)之密度，尖峰传输率足以媲美DRAM |
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Spansion首座12吋 NOR晶圆厂产能具突破性发展 (2008.03.11)
Spansion宣布，该公司位于日本的旗舰级晶圆厂Spansion 1(SP1)（也是全球第一家采用300mm、65nm MirrorBit技术生产闪存的晶圆厂）产能具重要突破，每季产出超过25,000片晶圆。目前，许多Spansion的重要客户正在验证SP1生产的产品，包括MirrorBit Eclipse组件等领先的65nm产品 |
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M-Systems推出新一代行动内存解决方案 (2005.01.11)
M-Systems正式推出DiskOnChip G4，专为主流多媒体行动装置设计的新一代内存解决方案。采用MLC(多层式单元格)NAND技术的DiskOnChip G4，正是为了提供同类产品中最佳的成本结构而设计，同时具备优于DiskOnChip G3三倍、MLC NOR二十倍的写入性能，读取性能更胜于其他NAND装置 |
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市场供过于求 NAND型Flash前景堪虑 (2004.09.13)
市调机构Semico Research针对闪存市场发表最新报告指出，在一年前看来前景一片欣欣向荣的闪存（Flash）市场出现大幅变化，特别是NAND型闪存，销售似乎急速冷却，因此该机构调降2004年闪存成长预估，并预期2005年该市场将出现零成长 |
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Semico Research预估Flash缺货情况将持续4个月 (2003.11.27)
由于终端需求增加，目前市场正出现全球性的闪存（Flash）缺货状态，包括东芝等供应厂商随即宣布将增加资本支出，提高闪存产能，但据网站Silicon Strategies引述市调机构Semico Research报告，厂商扩产速度仍将缓不济急，估计目前闪存缺货期长达4个月 |
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谁是Flash龙头? 三星与英特尔分庭抗礼 (2003.11.25)
市调机构iSuppli公布2003年第三季全球闪存（Flash）供货商排名，南韩三星（Samsung）取代英特尔（Intel）成为全球最大供货商；但随后另一市调机构Semico Research公布相同的调查却显示，英特尔仍是最大Flash业者；对此Semico认为，NAND及NOR闪存不应加总计算，英特尔及三星分别应该是NOR及NAND型闪存最大供货商 |
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SanDisk成功打入快闪记忆体市场 (2003.07.02)
著名的快闪记忆体SanDisk目前已跃居所有快闪记忆体的市场之上，生产SanDisk的Sunnyvale公司创办人Eli Harari听到此一消息感到兴奋无比。
Eli Harari在十五年前创办Sunnyvale公司，在2002年的销售量达到五亿四千万美元，比起2001年的销售量上升了48%，而今年的销售量则更为看好 |
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半导体供应 2003年初可能面临短缺 (2002.09.09)
知名市调机构Semico Research认为，半导体市场在芯片业者消耗过多的库存后，2003年初可能面临供应突然短缺的问题。Semico预期2002年第四季半导体产业将较前季成长11.6％，达430亿美元，2003年第一季将持平，之后各季均将有个位数的成长率 |
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摩托罗拉推出第一款兆位MRAM (2002.06.11)
摩托罗拉半导体事业部(SPS)和摩托罗拉实验室于本周在2002年科技与电路超大规模集成电路座谈会(2002 VLSI Symposia on Technology and Circuits)中，联合发表第一款兆位MRAM(磁电阻式随机存取内存，magnetoresistive random access memory)通用内存芯片 |
