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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE，这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体（IGBT）。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出，支援量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低 |
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Microchip全新车载充电器解决方案支援车辆关键应用 (2024.06.11)
因应节能减碳排放的迫切需求，电池电动汽车（BEV）和??电式混合动力电动汽车（PHEV）市场持续增长。车载充电器是电动汽车的关键应用之一，将交流电转换为直流电，为汽车高压电池充电 |
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明纬推出XLN/XLC系列：25W/40W/60W智能调光LED驱动电源 (2024.04.02)
LED照明已趋於成熟，不管在每瓦流明值的提升或搭配智能调光应用，各国也都制定详细安全规范及节能效益标准，以保障使用者安全及降低能耗。明纬最新LED驱动电源XLN/XLC系列，提供完整的安规认证及调光功能，结合灯具设计可符合高发光能效及安规要求，以支持全球实行节能减碳，达成 2050 年净零碳排目标 |
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明纬推出LOP-400/500/600系列：400W / 500W / 600W 5" x 3" 超薄基板型电源供应器 (2024.04.01)
明纬於超薄基板型电源供应器LOP家族4" x 2" 200W / 300W的LOP-200 / 300系列上市之後，紧接着重磅推出5" x 3"
400W / 500W/ 600W 的 LOP-400 / 500 / 600系列，此家族系列具有高可靠、高品质、高效能、高安全性、EMC性能隹、Class I 或II系统皆可使用的高性价比内置式基板型电源，适用安装於各种电子仪器设备内 |
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英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
英飞凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化 |
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48 V低速电动车叁考设计 微型交通技术加速发展 (2024.03.22)
许多国家致力於实现气候目标，促使城市交通实现零排放。除了乘用汽车的电气化之外，低速电动车也能做出重要贡献。 |
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英飞凌承诺制定科学基础碳目标并将气候战略扩展至供应链 (2024.01.16)
英飞凌科技将致力於制定科学基础的碳目标，进一步扩展气候战略。英飞凌正向着在 2030 年实现碳中和的目标稳步迈进，该目标包含与能源相关的直接和间接碳排放（范畴 1 和范畴 2） |
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Transphorm两款全新叁考设计应用於两轮和三轮电动车电池充电器 (2023.12.21)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm推出两款针对电动车充电应用的全新叁考设计。300W和600W??流/??压（CC/CV）电池充电器采用Transphorm的70毫欧和150毫欧SuperGaN元件，以成本实现高效的AC-DC 功率转换和高功率密度 |
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意法半导体持续专注永续发展 加速实现碳中和目标承诺 (2023.11.22)
在过去的几年里，我们已经了解许多关於ST碳足迹的进展。这一次，CTIMES再与
意法半导体??总裁暨永续发展负责人Jean-Louis Champseix访谈，并将聚焦更多关於减碳议题，也就是意法半导体为社会带来的积极影响 |
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筑波联手泰瑞达举办化合物半导体应用交流会 探讨最新市场趋势 (2023.11.14)
化合物半导体高功率、高频且低耗电等特色，已成为未来推动5G、电动车等产业研发产品的关键材料。筑波科技联手美商泰瑞达Teradyne近期策划举办2023年度压轴化合物半导体应用交流会，探讨化合物半导体最新市场趋势、测试方案及材料特性等议题 |
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Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚，将漏极与闸极之间的引脚间距，从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理，实现精巧的印刷电路板布局 |
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新唐科技推出适用於高效率马达和电源控制设计的MCU系列 (2023.10.02)
新唐科技推出专为马达和电源控制而设计的KM1M4BF系列MCU和KM1M7AF/KM1M7BF系列MCU，适合各种消费者、企业和工业应用，例如空调、热泵、电动自行车、EV充电、太阳能逆变器、储能和电源供应器等 |
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氮化??在采用图腾柱 PFC 的电源设计中达到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法规要求在交流/直流电源中使用 PFC 级，藉以促进从电网获得洁净电力。PFC 对交流输入电流进行调整以遵循与交流输入电压相同的形状... |
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Transphorm新款SuperGaN FET驱动器解决方案符合中低功率应用 (2023.06.16)
全球氮化??（GaN）功率转换产品供应商Transphorm 发布一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案针对中低功率的应用，适用於LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竞电脑，强化公司在此30亿美元电力市场客户的价值主张 |
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英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的开关式电源（SMPS）透过采用图腾柱PFC级中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3 |
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笙泉：无线化趋势不可逆 加速布局32位元MCU与类比电源方案 (2023.04.24)
电源管理在现代科技产品的应用上，扮演着至关重要的角色。由於行动穿戴式产品的需求不断增加，因此需要低功耗且高效能的电源晶片，来提供这些穿戴装置更好的电源转换效率与功耗表现 |
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半导体产业如何推动「绿色低碳」之目标？ (2023.03.30)
碳达峰、碳中和已经成为全球关注的话题。半导体技术的发展是打造绿色低碳社会的重要动力。同时，半导体产业亦积极迈向绿化与低碳化，是碳中和策略目标的积极实践者 |
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东芝新款650V分立式绝缘闸双极型电晶体适用於大型电源 (2023.03.10)
东芝（Toshiba）推出一种用於空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立式绝缘闸双极型电晶体（IGBT）GT30J65MRB。产品於今（10）日开始量产出货。
在高功率的工业设备和家用电器领域，由於变频器在空调中的应用越来越普遍，工业设备的大型电源也需要降低功耗，因此让高效率开关元件的需求成长 |
