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相位阵列波束成形IC简化天线设计 (2020.11.27)
本文介绍现有的天线解决方案以及电控天线的优势所在。此外，在此基础上，介绍半导体技术的发展如何实现改进电控天线SWaP-C目标，并举例说明ADI技术如何做到这一点。
Marvell 在新加坡设立新营运中心 持续扩展亚洲业务 (2018.11.15)
Marvell Technology Group Ltd. 宣布在位於新加坡工业园区中心位置的大成中心(Tai Seng Center)设立卓越营运中心。 Marvell 在新加坡开展业务二十多年，极大促进了公司在全球的成功和持续成长
ADI 55 MHz至15 GHz宽频微波频率合成器 功耗减半且尺寸更小 (2018.07.19)
亚德诺半导体(ADI)推出一款整合压控振荡器(VCO)的宽频频率合成器，突破的性能和弹性适合航太、无线基础设施、微波点对点链路、电子测试与测量、卫星终端等多种市场应用
是德科技与美加大圣地牙哥分校联合展示快速28 GHz 5G频段双向相位阵列 (2017.06.08)
是德科技与美加大圣地牙哥分校联合展示快速28 GHz 5G频段双向相位阵列 是德科技与美加大圣地牙哥分校联合展示快速28 GHz 5G频段双向相位阵列 是德科技（Keysight）日前与美国加州大学圣地牙哥分校（UCSD）共同宣布，全球最快的28 GHz 5G频段双向相位阵列链路已成功通过验证
ADI新型宽频RF合成器可达到13.6 GHz高性能 (2017.05.04)
产品 供货情况 千颗量报价 封装 ADF5356 已开始提供样品 $39.98 32引脚，5 mm x 5 mm LFCSP封装 ADF4356 全面量产 $20.36 32引脚，5 mm x 5 mm LFCSP封装 EV-ADF5356SD1Z 现可提供预先发布的评估板 单价$450
英飞凌射频解决方案实现快速、高效率且可靠的5G通讯 (2017.03.14)
【德国慕尼黑讯】即将到来的5G 网路具备了前所未见的规模、速度与复杂性，无论是大型或小型公司，其业务运作方式将随之产生革命性的变化，为现有市场和新兴市场带来全新商机，同时也将让家庭、城市、汽车及工业更佳智慧化、自动化，并且互连连网化
是德科技与UCSD共同展示5G无线通讯链路 (2016.12.14)
双向链路可在60 GHz频段运作，具有相位阵列波束指向功能，可支援5G和航太与国防应用? 是德科技（Keysight）日前与美国加州大学圣地亚哥分校（UCSD）共同宣布全球最长的60 GHz双向相位阵列链路已成功通过验证
奥地利微电子为0.35μm类比特殊制程推出可交互操作制程设计套件 (2016.03.22)
奥地利微电子（ams AG）推出应用于0.35μm类比特殊制程的可交互操作制程设计套件（iPDK）。该可交互操作制程设计套件基于开放存取（OpenAccess）资料库，透过使用标准语言以及统一的架构实现多种EDA工具的可共同操作性
凌力尔特20dB 增益宽带差动放大器提供51dBm OIP3线性度 (2014.10.17)
凌力尔特（Linear）日前发表20MHz至2G Hz差动输入和输出20dB增益放大器LTC6430-20，组件可提供+51dBm OIP3的线性度（输出第3阶截点）和于240MHz的2.9dB噪声指数，并拥有最佳的+23.9dBm OP1dB（输出1dB压缩点）
Tektronix在新一代示波器上采用IBM硅锗芯片 (2013.07.01)
全球示波器的领导制造商 Tektronix 日前宣布，其新一代的高效能实时示波器将纳入IBM的最新9HP硅锗 (SiGe) 芯片制造过程。第五代IBM的半导体技术搭配其他的发展，如先前宣布的「异步时间交错功能」(Asynchronous Time Interleaving，正在申请专利)，将使示波器拥有70 GHz的带宽能力和改善的讯号完整性
Maxim推出通用型汽车级GNSS接收器和前端放大器 (2012.03.23)
Maxim 日前推出，针对全球导航卫星系统(GNSS)推出新一代高性能方案MAX2769B和MAX2670。灵活的接收器设计方案支持GPS、GLONASS、伽利略和北斗等多种导航系统，并通过PPAP和AEC-Q100认证
一款4.5-5.8 GHz 差分 LC 压控振荡器使用0.35 ptm SiGe BiCMOS工艺技术-一款4.5-5.8 GHz 差分 LC 压控振荡器使用0.35 ptm SiGe BiCMOS工艺技术 (2011.05.30)
一款4.5-5.8 GHz 差分 LC 压控振荡器使用0.35 ptm SiGe BiCMOS工艺技术
ＮS新中继器可延长3倍高传输接口电缆传送距离 (2011.05.11)
美国国家半导体（NS）于日前宣布，推出一系列全新的第三代PCI Express（8Gbps）中继器，其特点是可提供前所未有的讯号调节效能而且功耗极少，特别适用于数据中心服务器和储存系统
安捷伦射频/微波设计仿真平台开始出货 (2011.05.05)
安捷伦科技（Agilent）于日前宣布，旗下最新版的射频/微波设计与仿真平台ADS 2011，已经开始出货。该平台提供工程师可以使用不同的技术，来设计个别的射频／微波集成电路
NS推出讯号调节能力加倍而功耗减半的全新中继器 (2011.02.08)
美国国家半导体（NS）于日前宣布，推出三款多信道PowerWise 10Gbps中继器，其特点是具有高36dB等化增益，每信道仅55mW的功耗，并可延长一倍的电缆长度，以24-AWG电缆为例，传送距离可长达20公尺
数字IF的SiGe BiCMOS发射器IC为3G WCDMA手机应用-数字IF的SiGe BiCMOS发射器IC为3G WCDMA手机应用 (2011.01.24)
数字IF的SiGe BiCMOS发射器IC为3G WCDMA手机应用
凌力尔特推出全差动放大器LTC6409 (2010.10.15)
凌力尔特（Linear Technology）于昨（14）日宣布，推出全差动放大器LTC6409，其能驱动DC至100MHz的讯号，并具备仅1.1nV /√Hz的噪声和- 88dBc HD2/HD3失真。此组件以先进的SiGe BiCMOS制程建立，拥有10GHz的增益带宽乘积，达 40MHz 的100dB SFDR及1.9ns 的1％ 完毕时间，使其非常适合驱动最新的高速ADC，如1.8V 14位150Msps的 LTC2262 - 14
ADI新款RF/IF可变增益放大器问世 (2010.10.10)
美商亚德诺（ADI）近日宣布，发表一系列的高整合度RF/IF可变增益放大器（VGA）。ADI全新ADL5201、ADL5202、ADL5240与ADL5243可变增益放大器，将高达4组的分离式RF/IF区块结合在单一组件当中
Tektronix推出可扩充效能示波器平台 (2010.08.31)
Tektronix公司于昨30日宣布，推出新一代可扩充效能示波器平台，将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术。Tektronix致力于协助全球各地的工程师，加速未来设计的除错与测试作业。130奈米（nm） SiGe双橿互补金属氧化半导体（BiCMOS）铸造技术，可提供较前一代技术高出2倍的效能—目标在提供实时带宽超过30 GHz的示波器
Design and Scaling of W-Band SiGe BiCMOS VCOs-Design and Scaling of W-Band SiGe BiCMOS VCOs (2010.08.26)
Design and Scaling of W-Band SiGe BiCMOS VCOs


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