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imec展示首款3D电荷耦合元件 锁定AI记忆体应用 (2026.05.13)
在类似3D NAND的架构内制造电荷耦合元件（CCD）的可行性有助於推动具备高成本效益的高位元密度记忆体方案，以应对AI特定工作负载所面临的记忆体墙挑战。 |
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imec推出NanoIC制程设计套件 加速研发逻辑和记忆体微缩技术 (2026.02.03)
迎合现今AI热潮对於先进逻辑和记忆体需求，由比利时微电子研究中心（imec）协调整合的欧洲研究计画奈米晶片（NanoIC）试验制程，持续致力於加速2奈米以後的晶片技术创新 |
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imec推出NanoIC制程设计套件 加速研发逻辑和记忆体微缩技术 (2026.02.03)
迎合现今AI热潮对於先进逻辑和记忆体需求，由比利时微电子研究中心（imec）协调整合的欧洲研究计画奈米晶片（NanoIC）试验制程，持续致力於加速2奈米以後的晶片技术创新 |
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DRAM供需缺囗有解 估2027年供给量可??上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年开始，ASIC和AI推论应用发展，分别带动HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（动态随机存取记忆体）供需缺囗持续扩大，并推升整体DRAM利润率。除了大厂积极扩充产能，期待能在2027年上修供给量外，也不忘持续开发新品 |
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DRAM供需缺囗有解 估2027年供给量可??上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年开始，ASIC和AI推论应用发展，分别带动HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（动态随机存取记忆体）供需缺囗持续扩大，并推升整体DRAM利润率。除了大厂积极扩充产能，期待能在2027年上修供给量外，也不忘持续开发新品 |
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三星发表10奈米以下DRAM技术 结合CoP架构与耐热新材料 (2025.12.17)
三星电子(Samsung)与三星综合技术院(SAIT)，周二在旧金山举行的IEEE第70届国际电子元件会议(IEDM)上，正式发表了制造10奈米(nm)以下DRAM的关键技术。该技术透过Cell-on-Peri(CoP)架构将记忆体单元堆叠在周边电路上，并导入新型高耐热材料，成功克服制程中的高温挑战，为记忆体微缩化开启新页 |
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三星发表10奈米以下DRAM技术 结合CoP架构与耐热新材料 (2025.12.17)
三星电子(Samsung)与三星综合技术院(SAIT)，周二在旧金山举行的IEEE第70届国际电子元件会议(IEDM)上，正式发表了制造10奈米(nm)以下DRAM的关键技术。该技术透过Cell-on-Peri(CoP)架构将记忆体单元堆叠在周边电路上，并导入新型高耐热材料，成功克服制程中的高温挑战，为记忆体微缩化开启新页 |
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突破DRAM物理极限 ??侠发表8层堆叠氧化物半导体通道电晶体技术 (2025.12.14)
记忆体厂??侠(Kioxia)日前宣布，已开发出极具堆叠潜力的氧化物半导体通道电晶体技术，这将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。该技术於12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上发表，不仅证实了8层堆叠电晶体的运作，更可??降低包括AI伺服器和IoT物联网元件在内的广泛应用功耗 |
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突破DRAM物理极限 ??侠发表8层堆叠氧化物半导体通道电晶体技术 (2025.12.14)
记忆体厂??侠(Kioxia)日前宣布，已开发出极具堆叠潜力的氧化物半导体通道电晶体技术，这将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。该技术於12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上发表，不仅证实了8层堆叠电晶体的运作，更可??降低包括AI伺服器和IoT物联网元件在内的广泛应用功耗 |
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DDR4现货价格短短两周??涨100％ 背後原因曝光 (2025.07.01)
根据资料显示，DDR4记忆体现货价格在6月中以来急速攀升，相较不到半个月时间价格翻了一倍。其中，主流8Gb及16Gb DDR4 3200MT/s模组现货价从约?4－5美元，攀升至?8－10美元，甚至出现部分高达?150％的涨幅 |
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DDR4现货价格短短两周??涨100％ 背後原因曝光 (2025.07.01)
根据资料显示，DDR4记忆体现货价格在6月中以来急速攀升，相较不到半个月时间价格翻了一倍。其中，主流8Gb及16Gb DDR4 3200MT/s模组现货价从约?4－5美元，攀升至?8－10美元，甚至出现部分高达?150％的涨幅 |
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生成式AI为中国记忆体产业崛起带来契机 可??在中低阶市场站稳根基 (2025.01.17)
随着生成式AI技术的快速发展，全球记忆体市场需求急剧上升，这波趋势不仅刺激了全球供应链的加速转型，也为中国记忆体产业带来崭新的发展契机。长鑫存储（CXMT）等中国企业，正凭藉技术突破与市场拓展，努力缩短与全球领先企业的差距，为整个产业的竞争格局注入新的变数 |
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生成式AI为中国记忆体产业崛起带来契机 可??在中低阶市场站稳根基 (2025.01.17)
随着生成式AI技术的快速发展，全球记忆体市场需求急剧上升，这波趋势不仅刺激了全球供应链的加速转型，也为中国记忆体产业带来崭新的发展契机。长鑫存储（CXMT）等中国企业，正凭藉技术突破与市场拓展，努力缩短与全球领先企业的差距，为整个产业的竞争格局注入新的变数 |
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卢超群：以科技提高生产力 明年半导体景气谨慎乐观并逐步成长 (2024.12.19)
CES 是全球最具影响力的科技盛会，2025年的CES展会，??创科技集团以「创新落实、AI 落地，连结 MemorAiLink 开创未来」为主轴叁展，将展示「普识智慧 (Pervasive Intelligence) 与异质整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 产品理念，展现其在创新产品开发上的不懈努力 |
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卢超群：以科技提高生产力 明年半导体景气谨慎乐观并逐步成长 (2024.12.19)
CES 是全球最具影响力的科技盛会，2025年的CES展会，??创科技集团以「创新落实、AI 落地，连结 MemorAiLink 开创未来」为主轴叁展，将展示「普识智慧 (Pervasive Intelligence) 与异质整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 产品理念，展现其在创新产品开发上的不懈努力 |
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Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超频电竞记忆体，以全新 6,400 MT/s 的速度，为玩家提供更流畅、更快速的游戏体验。此次产品更新是继 2月首次推出的6,000 MT/s 电竞记忆体解决方案後的进一步升级 |
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Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超频电竞记忆体，以全新 6,400 MT/s 的速度，为玩家提供更流畅、更快速的游戏体验。此次产品更新是继 2月首次推出的6,000 MT/s 电竞记忆体解决方案後的进一步升级 |
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美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新类别的时脉驱动器记忆体━Crucial DDR5 时脉无缓冲双列直??式记忆体模组（CUDIMM）和时脉小型双直列记忆体模组（CSODIMM），现已大量出货。这些符合 JEDEC 标准的解决方案运行速度高达 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的两倍之多，比传统的非时脉驱动器 DDR5 快 15% |
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美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新类别的时脉驱动器记忆体━Crucial DDR5 时脉无缓冲双列直??式记忆体模组（CUDIMM）和时脉小型双直列记忆体模组（CSODIMM），现已大量出货。这些符合 JEDEC 标准的解决方案运行速度高达 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的两倍之多，比传统的非时脉驱动器 DDR5 快 15% |
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美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5,600 MT/s，适用於各种先进伺服器平台，该产品采用美光的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16% |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
