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三五年内英飞凌生产线全面升级12吋制程 (2002.12.23)
根据外电消息，日前德商DRAM厂英飞凌（Infineon）宣布，该公司12吋晶圆生产成本低于8吋晶圆，并计画未来三、五年内将生产线都升级为12吋晶圆制程。英飞凌表示，英飞凌德国德累斯顿12吋晶圆厂，将于2003年夏天投产，预计将为英飞凌节省30％的成本，月产能将达28000片 |
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联电获MoSys授权1T-SRAM技术 (2002.11.20)
联电与MoSys近日宣布，联电取得MoSys之1T-SRAM技术的授权，以加强联电现有的IP服务，提供更适合联电制程的记忆体给SoC设计工程师使用。联电并将此高密度（ultra-high density）1T-SRAM记忆体技术客制化，进而提供更多重的选择 |
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联电否认放弃0.15微米制程之报导 (2000.12.13)
针对媒体报导有关联华电子放弃0.15微米制程一事，联华电子特别为此郑重声明此项报导毫无根据。联电表示，事实上，0.15微米制程可能为铝制程世代的最后一项制程，本身具有其重要性；在该公司大力推动下，使用0.18、0.15微米及0.13微米制程之客户正逐渐增加中，所以并无放弃0.15微米制程之计划 |
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联电率光推出0.13微米2M SRAM (2000.05.21)
就当台积电5月16日即将于美国矽谷举办年度技术论坛研讨会，并陆续发布0.15微米的多项产品成功于近日量产之际，台积电头号竞争对手联华电子5月15日宣布，已成功采用0.13微米逻辑制程产出2M SRAM晶片，并于五月初产出，良率达到一定水准，成为业界宣布最早量产0.13微米的产品 |
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钰创可望从0.15微米SRAM中获利 (2000.05.12)
钰创科技与台积电共同宣布，台积在钰创委托下，以最先进的制程产出0.15微米的SRAM，该颗800万(M)位的低功率SRAM，不但是全世界最小的一颗，且兼具高速的特性。由于台积电生产该颗产品的良率相当高，若市场接受度高，钰创将因此获利丰沛，预估该最产品将可在第四季大量出货 |
ACPI规格让操作系统、中央处理单元与接口设备三方面整合起来，互相交换电源使用讯息，更加简便而有效益地共同管理电源。
