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CTIMES / 0.11微米溝槽式
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
英飞凌将量产0.11微米256Mb DRAM (2003.04.30)
继韩国三星日前宣布以0.11微米量产DRAM后，德商DRAM厂英飞凌也宣布以0.11微米沟槽式（Trench）制程试产256Mb DRAM，并且获得英特尔验证，目前已进入量产阶段，未来该制程将授权华邦、华亚、中芯等策略伙伴

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