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传制程有缺陷 三星68奈米DDR2芯片遭退货 (2008.06.22)
有消息指称，继海力士66奈米制程的DRAM生产出现问题后，使用68奈米制程的三星DRAM也在日前传出有技术缺陷，并导致8000万颗1GB的DDR2芯片被客户退货。
据报导，在今年4月时，海力士半导体的66奈米制程因生产良率不高的问题，而导致大批的1GB DDR2晶圆报废 |
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海力士开发新型高速内存芯片 速度达1000兆 (2008.04.07)
外电消息报导，韩国海力士(Hynix)半导体日前表示，该公司已为手机及其他便携设备开发出一种高速的内存技术。该芯片的数据处理速度最高可达1000兆。
为了积极抢攻内存市场，海力士不断的在其制程技术上创新，自去年第四季开始，海力士已采用66奈米制程生产内存芯片 |
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海力士将开始生产54奈米制程内存芯片 (2008.03.31)
外电消息报导，海力士（Hynix）半导体执行长Kim Jong-kap日前表示，该公司预计将从今年开始生产使用54奈米制程的DRAM内存芯片，并可能交由茂德进行生产。
Kim Jong-kap表示，他对2008年下半年的内存芯片市场表示乐观 |
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茂德最快第二季将获海力士54奈米制程技术 (2008.03.17)
茂德与海力士间的次世代技术授权谈判近期将出现进展。据了解，由于南韩政府放行，海力士可将技术移转海外合作伙伴，因此茂德与海力士间的技术授权谈判已重新开启，未来茂德可望取得海力士先进的54奈米制程技转 |
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iSuppli: 07年Q3全球DRAM市场排名三星持续领先 (2007.11.19)
外电消息报导，市场研究机构iSuppli日前公布2007年第三季的全球DRAM市场排名报告，报告中指出，三星电子（Samsung）在全球DRAM内存市场排名依旧领先，达27.7％，而海力士（Hynix）半导体则逆势成长，为唯一一家销售成长的厂商 |
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韩国海力士开发出全球最小最快1GB内存 (2007.08.13)
外电消息报导，韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)于上周六（8/11）表示，海力士已经开发出目前世界上体积最小、处理速度最快的1GB内存，据了解该产品将会被应用在手机平台上 |
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全球DRAM业四强体制已然确立 (2003.08.08)
据中央社报导，据南韩朝鲜日报报导，1998年时，全球有22家DRAM 制造商并存，但在东芝（Toshiba）、富士通（Fujitsu）与摩托罗拉（Motorola）等相继撤退后，现在只剩下12 家公司幸存 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
