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CTIMES / N溝道
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
东芝针对汽车应用推出40V N沟道低导通电阻功率MOSFET (2016.02.01)
东芝公司（Toshiba）旗下半导体与储存产品公司针对直流-直流转换器、电动辅助转向系统（EPS）大容量马达驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40V N沟道功率MOSFET。 MOSFET产品阵容的最新产品TKR74F04PB出货即日启动

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