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CTIMES / Mosfet模組
科技
典故		 从演化到多元整合──浅介Bus规格标准的变迁

一个想要满足于不同市场需求的通用型Bus标准界面，能否在不断升级传输速度及加大带宽之外，达到速度、容量、质量等多元整合、提升效能为一体的愿望？
东芝首款2200V双碳化矽MOSFET模组协助工业设备高效和小型化 (2023.08.30)
东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流（DC）额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用，如光伏发电系统、储能系统等
三菱电机将推出商用双向无线电用的新型RF高功率MOSFET模组 (2022.07.14)
三菱电机株式会社宣布将於8月1日推出一款50W矽射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模组，用於商用双向无线电的高频功率放大器。该模组提供先进的763MHz至870MHz频段内功率输出50W，整体效率可达到40%，将有助於扩大无线电通信范围并降低功耗
东芝新款碳化矽MOSFET双模组适用于工业设备 (2022.01.27)
东芝(Toshiba)推出两款碳化矽(SiC)MOSFET双模组：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的MG600Q2YMS3；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的MG400V2YMS3。此为东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成1200V、1700V和3300V元件的阵容

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