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CTIMES / Gan Hemt
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
ROHM高性能650V耐压GaN HEMT开始量产 (2023.05.18)
半导体制造商ROHM已开始650V耐压氮化??（GaN）HEMT 「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量产，此二款产品适用於伺服器和AC适配器等各类型电源系统。 据悉电源和马达的用电量占全世界用电量的一半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的重要课题

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