 |
Ramtron在V系列增添串行512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列产品中的第二款串行组件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行周边接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
|
Ramtron推出1Mb并行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新并行和串行FRAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选组件的特性。Ramtron的V系列FRAM产品中的最新组件FM28V100，是100万位、2.0至3.6V的并行非挥发性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、无乎无限的读写次数和低功耗特性 |
 |
新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型内存解决方案 |
|
Ramtron兆位串行FRAM内存 (2008.09.18)
Ramtron宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选组件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款组件FM25V10，是100万位（Mb）、2.0至3.6V、具有串行外设接口（SPI）的非挥发性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速存取、无延迟（NoDelay技术）写入、1E14读/写次数和低功耗 |
|
Ramtron委任贝能国际扩大FRAM中国销售管道 (2008.08.18)
Ramtron International将进一步增强中国市场渗透的措施，委任贝能国际（Burnon International）在中国内地及香港地区分销其全系列产品。
过去七年半以来，Ramtron在中国市场的销售大幅度成长，现在中国市场销售额占该公司亚太地区销售额超过三分之二 |
|
其阳选择Ramtron的FRAM用于游戏机解决方案 (2008.08.08)
台湾应用工业计算平台制造商其阳科技（Aewin Technologies），已在其以Intel为基础的 GA-2000及以AMD为基础的GA-3000游戏和高分辨率多媒体PC电路板中，设计使用Ramtron的FM22L16 400万位FRAM非挥发性内存 |
|
Energy Optimizers选择FRAM用于管理插头 (2008.07.25)
Ramtron宣布，英国的 ZigBee和蓝牙智能节能设备设计和制造商Energy Optimizers已将Ramtron的FM25L512 512千位（Kb）串行F-RAM内存，设计用于其Plogg系列无线能量管理插头中。F-RAM所提供的无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的耐用性及低功耗特点 |
|
Ramtron串行F-RAM达汽车电子AEC-Q100标准 (2008.05.28)
Ramtron International扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM内存产品，FM24CL64 64Kb串行F-RAM已通过认证，可在-40至+85℃的Grade 3汽车温度范围内使用。FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1（+125℃）和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车内存产品的一部分 |
|
Ramtron推出FRAM增强型系统管理解决方案 (2008.03.25)
非挥发性铁电随机存取内存（FRAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，推出64Kb、3V的Processor Companion产品FM3135，它结合了非挥发性FRAM内存与增强型实时时钟/日历（RTC）及整合式32kHz时钟晶振之优点 |
 |
非挥发性FRAM记忆技术原理及其应用初探 (2007.10.26)
FRAM是以RAM为基础、运用铁电效应、并使用浮动闸技术作为一个储存装置。铁电结构是基本的RAM设计，电路读取和写入简单而容易。 FRAM不需要定期更新，即使在电源消失的情况下，仍能储存资料 |
|
美国宾州大学完成高密度FeRAM技术研究成果 (2007.10.24)
美国宾夕法尼亚大学结合化学以及机械工程的教授团队，近期在奈米多尺度力学领域的研究有了重要的突破。10月中他们宣布完成了铁电域壁（domain walls，亦称畴壁）的多尺度模型（multi-scale modeling），并提出新的铁电域壁移动理论，他们发现藉由可滑移的壁，能够分隔铁电域壁的扇区，藉由这项技术将可实现高密度的铁电内存 |
|
韩商将FRAM应用于DSP车用音响平台中 (2007.08.03)
非挥发性铁电随机存取内存（FRAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，韩国的Daesung-Eltec公司已将 FRAM内存设计于其以数字信号处理（DSP）为基础的汽车音响平台中 |
|
富士通全新2Mbit FRAM组件正式量产 (2007.06.22)
香港商富士通微电子有限公司台湾分公司宣布其2 Mbit FRAM内存芯片已开始供货上市，为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通的MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存 |
|
浅述嵌入式FRAM记忆体的MCU技术 (2007.05.16)
铁电记忆体（FRAM）现正成为许多设计工程师所喜欢的非挥发性记忆体。随着记忆体技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式，市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓，而本文将描述嵌入式FRAM 的应用实例 |
|
Ramtron发表新一代FRAM内存 (2007.03.30)
Ramtron发表业界第一款400万位的FRAM内存，此并为密度最高的FRAM产品，容量为既有FRAM内存的四倍。FM22L16采用44接脚、薄型小尺寸塑料（TSOP）封装的3V、4Mb并列式非挥发性RAM，具备高访问速度、几乎无上限的读/写次数、以及低功耗等优点 |
|
Ramtron推出+125℃ FRAM内存FM25C160 (2007.03.05)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International宣布推出首款 +125℃ FRAM内存 FM25C160。该款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM可满足Grade 1和AEC-Q100规范的要求，可在 -40℃到 +125℃ 的整个汽车温度范围内工作 |
|
Ramtron全新单芯片解决方案采用微型封装 (2006.11.03)
非挥发性铁电内存(FRAM)和整合半导体产品供货商Ramtron International公司，宣布推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion产品FM3130，在微型封装中将非挥发性铁电RAM和整合式实时时钟/日历(RTC)两者的效益结合在一起 |
|
Ramtron推出FRAM增强型8051 微控制器 (2006.06.18)
非挥发性铁电随机存取内存 (FRAM) 和整合半导体产品供货商及开发商Ramtron International宣布推出市场上以8051为基础、并具有非挥发性FRAM内存的微控制器VRS51L3074。Ramtron已将FRAM加进到其兼具高速与弹性的Versa 8051系列中，以便实现快速和可靠的非挥发性数据储存和处理系统，而这种系统只有FRAM增强型微控制器才能提供 |
|
高科技 安乐死 (2003.07.05)
在这个高度资讯化的时代，每天都有许多新科技、好科技，不断被提出，就像是曾引起广泛讨论与期待的FRAM（铁电记忆体）、MRAM（磁阻式记忆体）与Bluetooth （蓝芽）、HomeRF等技术一样，但是除了技术本身之外，许多外在因素包括市场等后天条件的配合，好像才是其能否避免「安乐死」－－尚未享受正常生命周期就必须殒落的关键 |
|
以提供高整合度半导体储存技术为职志 (2003.03.05)
从1989年首度提出Flash Disk概念就专注于快闪磁盘解决方案的M-System（艾蒙系统），耕耘闪存技术多年，近年来由于信息产品可携式的概念风行，同时具备高储存容量、体积小与重量轻的闪存技术，在可携式产品与可携式储存解决方案上相当受到市场欢迎，使得该公司在发展高整合度的半导体储存技术上更具信心 |
在1994年10月，网络的创造者Tim Berner-Lee，在麻省理工学院的计算机科学实验室里，成立了因特网联合公会，也就是现在的World Wide Web Consortium。
