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德國DIANA專案研究開發汽車電子系統 (2010.07.30) 奧迪集團(AUDI AG)、開利耐特集團(Continental AG)、英飛凌(Infineon Technologies)及ZMD AG於日前共同宣布,研究提升汽車電子控制單元(ECU)之分析與診斷功能的方法。該研究計劃將持續至2013年,由英飛凌擔任主導,旨在讓汽車製造商及維修廠能夠更準確偵測錯誤,進而使故障維修更容易 |
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英特爾佈局手機晶片 三星硬要當程咬金? (2010.07.29) 英特爾(Intel)極力拓展手機晶片版圖的大業,有可能殺出三星(Samsung)這個程咬金!根據彭博社(Bloomberg)援引花旗集團(Citigroup)分析師所透露的消息指出,三星有可能與英特爾共同競爭併購英飛凌(Infineon)的無線晶片部門!
先前7月初德國國營日報Die Welt的報導透露 |
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CEVA與英飛淩科技聯手打造下一代無線平台 (2010.07.25) CEVA與英飛淩科技(Infineon)公司於日前宣佈,兩家企業已經擴展其長期策略合作夥伴關係,在英飛淩未來的行動電話和數據機平台解決方案中,將使用雙MAC、32位元CEVA-TeakLite-III DSP核心 |
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Infineon推出節能型RF電晶體 具備可靠度ESD防護功能 (2010.07.13) 英飛凌(ESD)防護功能的新型RF電晶體,適用於高敏感度與耐用性的無線通訊裝置設計。此新型低雜訊雙極電晶體提供業界最佳的ESD防護功能,採用與前一代產品相同的封裝方式,讓升級變得輕鬆容易,超薄的封裝還可節省板級空間 |
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Osram偕同英飛凌將節能LED燈引進斯里蘭卡 (2010.07.09) 歐司朗光電半導體(Osram)於日前發佈訊息,近期偕同英飛凌科技,由德商Diana Electronic Systems,透過與歐司朗合作夥伴網路LED Light for you的協助,為全球自然基金會,研發出一款在斯里蘭卡使用的節能LED燈,當地漁民將在晚間捕魚時使用這些 LED 燈,取代對環境有害的煤油燈 |
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真的是拆上癮! iPhone 4成本結構大曝光! (2010.06.29) 看起來大家真的是拆上癮了。iPhone 4正式問世沒多久,各界就無所不用其極地把iPhone 4拆解開來,進行鉅細靡遺的分析。不讓專業拆解網站iFixit專美於前,市調研究機構iSuppli的拆解分析服務部門,也對於iPhone 4內部各個主要零組件的成本進行細緻的推估 |
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英飛凌推出650V CoolMOS C6/E6高壓電晶體 (2010.06.28) 英飛凌(Infineon)日前宣佈推出全新650V CoolMOS C6/E6高效能場效電晶體(MOSFET),結合先進超接面(super junction)技術,低導通電阻以及降低電容切換損失之優勢、簡單易用的切換控制以及高度耐用的二極體 |
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Infineon開創硬體式安全性的新紀元 (2010.06.18) 英飛凌(Infineon)日前宣布旗下SLE 78安全控制器系列獲得德國國家資訊安全局(BSI)認證,獲准應用於電子ID文件和晶片卡等領域,英飛凌所提供的高度安全性表現再度獲得肯定 |
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英飛凌擬售無線晶片部門? 3G實力不容小覷 (2010.06.18) 根據英國金融時報報導,德國晶片大廠英飛凌(Infineon)已經委託美國投資銀行摩根大通(JPMorgan),為其無線通訊晶片事業部門尋求適當買主。不過英飛凌拒絕對此事發展任何評論 |
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Infineon推出第二代碳化矽蕭特基二極體 (2010.05.17) 英飛凌(Infineon)日前宣布推出採用TO-220 FullPAK封裝的第二代碳化矽(SiC)蕭特基二極體。全新的TO220 FullPak系列產品結合第二代ThinQ!碳化矽蕭特基二極體的高效能電氣標準以及完全絕緣的封裝優勢,無需使用絕緣套管及墊片,安裝更容易、可靠度更高 |
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Infineon推出新High Speed 3 IGBT產品 突破切換與效率的限制 (2010.05.13) 英飛凌(Infineon)日前推出600 V及1200V第三代高速型IGBT High Speed 3產品系列,特別適用於高頻率和硬式切換相關應用。這一系列的裝置為降低切換損失以及極優異效率立下了新的標竿,可適用於高達 100 kHz的拓樸切換 |
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Infineon推出全新.XT技術 大幅延長IGBT模組的使用年限 (2010.05.12) 英飛凌(Infineon)日前在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2010展場(2010年5月4-6日),推出了創新 IGBT 內部封裝技術,能大幅延長IGBT模組的使用年限。全新的.XT技術實現IGBT模組內所有內部接合的最佳化,以延長產品壽命 |
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Infineon發表具高功率密度與可靠性的新款IGBT模組 (2010.05.11) 在德國紐倫堡舉行的PCIM Europe 2010(2010 年 5月 4-6 日)展覽會上,英飛凌(Infineon)發表了具高功率密度與可靠性的新款IGBT模組:採PrimePACK 3封裝,1700 V 、1400 A的PrimePACK模組,以及旗艦級EconoDUAL系列產品— 1200V、600 A的EconoDUAL 3模組 |
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意法半導體推出一款全新高性能功率封裝 (2010.05.11) 意法半導體(ST)於日前宣佈,推出一款高性能功率封裝,這項新技術提高該公司最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。
此高度1mm的新型表面黏著封裝,將TO-220工業標準晶片尺寸置於面積僅8x8mm的無針腳封裝內,並具備裸露的金屬汲極接墊,可有效排除內部產生的高溫 |
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英飛凌推出ThinPAK 8x8無鉛SMD封裝的高壓MOSFET (2010.05.07) 飛凌日前宣佈推出新型 ThinPAK 8x8 無鉛 SMD 封裝的高壓 MOSFET。新型封裝面積僅有 64mm² (小於 D2PAK 的 150mm²),且高度僅 1mm(低於 D2PAK 的 4.4mm),不但尺寸極小,又具備標準的低寄生電感,為設計人員提供一個全新且有效縮小系統方案尺寸的功率密度設計 |
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英飛凌與三菱電機攜手共進全球電力電子產業 (2010.05.05) 英飛凌昨(4)日宣布與三菱電機株式會社雙方已協議,將針對全球工業馬達控制及驅動裝置市場提供高階IGBT模組封裝—SmartPACK及SmartPIM。此創新的封裝概念由英飛凌所開發,將應用於兩家領導廠商最新一代的功率晶片技術 |
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Infineon與Fairchild達成Power MOSFET相容性協議 (2010.04.26) 英飛凌科技和快捷半導體22日宣佈,兩家公司就採用提升其功率場效電晶體MLP 3x3(Power33)和PowerStage 3x3封裝的功率MOSFET,達成封裝合作夥伴協定。
該項相容性的相關協議,在滿足產品供應穩定的同時,也兼顧了直流對直流轉換時的高效率和熱性能的表現 |
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晶片整合廠商腳步快 WiMAX+LTE浮出檯面 (2010.03.16) 在兩者底層技術相近、中國TD-LTE市場的推波助瀾、以及廠商設計晶片組諸多考量的多重因素下,WiMAX整合LTE晶片設計的腳步是越來越快,包括Sequans、Beceem、Wavesat和聯發科等,都已推出或計畫朝向此整合目標發展 |
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BMS電池管理加速奔馳快感! (2010.03.09) 純電動車在技術上仍有一些問題尚待克服。目前首要之務,便是強化電池的電源管理效能,並且讓電池與純電動車其他零配件的整合搭配更為順暢,純電動車的商業化路途,才會越開越平坦 |
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英飛凌推出8位元微控制器 可耐受150 °C環境溫度 (2010.03.09) 英飛凌科技近日宣佈推出可耐受高達150 °C環境溫度的8位元微控制器(MCU)系列產品,以滿足汽車及工業電子應用環境中最嚴苛的標準。新款XC800 150°C系列產品的工作溫度範圍可從-40 °C至高達150 °C,因此能有效取代現今為了在嚴苛的環境下操作MCU所使用昂貴且複雜的散熱冷卻系統和其他替代方法 |