外電消息報導，東芝、IBM與AMD日前共同宣佈，採用FinFET共同開發了一種靜態隨機記憶體（SRAM），其面積僅為0.128平方微米，是目前世界上最小的SRAM。這項技術是在上週（12/16）在舊金山2008年國際電子元件會議上所公佈的。

據報導，三方所開發的儲存元件使用高電介質金屬柵極（High-K metal gate）材料，研發出一個大規模FinFET SRAM。這是目前世界上最小的非平面FET SRAM單元，面積僅有0.128微米平方（μm2）。這項技術將為未來的新技術帶來了優於平面場效應電晶體（FET）元件的優勢。報導指出，更小的SRAM面積將有助於縮小處理器的尺寸，提高其處理速度，減少處理器的功耗。

三方在其論文上指出，使用傳統的平面電晶體來構建SRAM元件時，為了縮小電晶體的尺寸，IC設計者通常在元件區域添加更多雜質以調整其特性。但這種調整會破壞SRAM的穩定性，尤其是在22奈米及更先進的技術製程上更為明顯。而採用FinFET，不但可以縮小SRAM的尺寸，還可減少特性變異。

此外，三方的研究人員也證實，透過無混合的FinFET能使電晶體特性變異的情況減少28%以上。證明相較於平面FET SRAM，這種FinFET SRAM在先進製程上能帶來更穩定、更優異的性能。