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GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色 |
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AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性，特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展，對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能，以滿足市場需求 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案 |
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記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
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工研院探討生成式AI驅動半導體產業 矽光子與先進封裝成關鍵 (2024.06.21)
在工研院連續舉辦兩天的「生成式AI驅動科技產業創新與機遇系列研討會」第二天（20日）場次，同樣由產學專家深度剖析生成式AI帶來的半導體產業機會，共涵蓋IC設計、製造到封裝各階段，協助業者掌握晶片設計、製造與封裝的最新進展，並指出矽光子與先進封裝將是未來應用發展關鍵 |
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台灣AI關鍵元件的發展現況與佈局 (2024.06.13)
就人工智慧（AI）裝置的硬體來看，關鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、記憶體、PCB板、以及散熱元件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角，更是使用者體驗能否優化的重要輔助 |
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AI世代的記憶體 (2024.05.28)
AI運算是專門處理AI應用的一個運算技術，是有很具體要解決的一個目標，而其對象就是要處理深度學習這個演算法，而深度學習跟神經網路有密切的連結，因為它要做的事情，就是資料的辨識 |
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SEMI：2024年半導體產能將創3,000萬片新高 (2024.01.04)
SEMI國際半導體產業協會今（4）日公佈最新一季全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast, WFF），全球半導體產能繼2023年以5.5%成長至每月2,960萬片晶圓（wpm, wafers per month）之後，預計2024年將增速成長6.4%，突破3,000萬片大關 |
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展現工控方案實力 宇瞻將2023 SPS國際工業自動化展登場 (2023.11.07)
Apacer宇瞻科技，將於11月14日至16日首次亮相SPS國際工業自動化展（SPS–Smart Production Solutions）。展期間將秀其高效能之工業用SSD、DRAM記憶體模組與創新技術，展示如何全面協助工業自動化產業提升資料安全性與完整性及電源穩定性（Hall 6，350號展位） |
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Solidigm推出為寫入密集型工作負載而設計的SLC SSD (2023.09.27)
Solidigm宣布為資料中心市場推出該公司首款超高速single-level cell（SLC）固態硬碟（SSD）－Solidigm D7-P5810，這是一款採用Solidigm成熟144層SLC 3D NAND的PCIe 4.0儲存裝置。
作為Solidigm高效能D7系列產品的新成員，D7-P5810專門為高耐用度和極端寫入密集型工作負載而設計 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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應材推出電子束量測系統 提升High-NA EUV製程的控制與良率 (2023.03.08)
由於包含極紫外光（EUV）和新興高數值孔徑（High-NA）的光阻越來越薄，量測半導體元件特徵的關鍵尺寸變得愈來愈具挑戰性。應用材料公司最新推出新的電子束（eBeam）量測系統，則強調專門用來精確量測由EUV和High-NA EUV微影技術所定義半導體元件的關鍵尺寸（critical dimension） |
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慧榮推出SM2268XT 滿足次世代TLC和QLC NAND設計需求 (2023.02.17)
慧榮科技今日宣布推出最新款高效能PCIe Gen4 SSD控制晶片解決方案SM2268XT。該產品專為具備高速傳輸功能的NAND所設計，其卓越的效能和高可靠性能支援次世代的TLC與QLC NAND，加速客戶新世代SSD產品的問世，在不須妥協頻寬與延遲的情況下，能完善確保資料的完整性和錯誤校正能力 |
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應材發表突破性電子束成像技術 加速開發先進製程晶片 (2022.12.19)
基於現今國內外半導體持續朝先進製程發展，晶片製造商也利用電子束技術來識別和描述無法用傳統光學系統辨識的小缺陷。應用材料公司今（19）日發表其突破性「冷場發射」（cold field emission, CFE）的電子束（eBeam）成像技術，便強調已成功商品化並供應客戶，未來將能更容易檢測與成像奈米級晶圓埋藏的缺陷 |
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KLA推出X射線量測系統 解決記憶體晶片製造量測挑戰 (2022.12.07)
KLA 公司宣佈推出 Axion T2000 X射線量測系統，供先進的記憶體晶片製造商使用。3D NAND 及 DRAM 晶片的製造包含極高結構之精密構造，具有深層、狹窄的孔洞和間隙，以及其它複雜精細的建構形狀：這些都需要控制在奈米尺度的等級 |
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美光全球首款232層NAND正式出貨 數據傳輸速度快50% (2022.07.27)
美光科技今宣布，其全球首款 232 層 NAND 已正式量產。它具備業界最高的單位儲存密度（areal density），並提供與前幾代 NAND 相比更高的容量和更佳的能源效率，能提供從終端使用者到雲端之間大部分數據密集型應用最佳支援 |
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Advanced Energy新型感測平台拓展高精度溫測系列 (2022.07.15)
美國Advanced Energy公司為高度工程化精密電源轉換、測量和控制解決方案供應商—利用一種新型轉換平台和兩種獨家專屬螢光配方，拓展螢光光纖測溫儀（FluorOptic Thermometry；FOT）解決方案中的Luxtron系列產品 |
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美光擴大NVMe SSD產品陣容 為高效能儲存提供更多選擇 (2022.07.07)
美光科技推出兩款全新消費級儲存裝置Crucial P3 Plus Gen4 NVMe和Crucial P3 NVMe SSD，進一步擴大Crucial屢獲殊榮的NVMe SSD產品陣容。全新Crucial P3 Plus SSD產品線提供極具吸引力的性價比指標，循序讀/寫速度高達5000及4200MB/s，而新一代Crucial P3 SSD的也提供讀/寫速度高達 3500及3000MB/s |
