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力旺電子NeoFuse成功導入華邦25奈米DRAM製程平台 (2019.06.25)
力旺電子今日宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電子25奈米DRAM製程平台,即將進入量產階段,有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機
【COMPUTEX心得報告】:5大人物登場 聚焦資料儲存與防護 (2019.06.03)
繼歐、美、日等國先後將5G科技導入企業專網領域,為了鼓勵中小企業能加速導入智慧機械,建立智慧製造能量,行政院也自2019年起分別將《產業創新條例第10-1條文》等部份修正草案中,納入有關智慧機械投資抵減稅方案適用期限訂為3年;並搭配2020年後全面商用化期程,讓5G應用設備延長1年落日
COMPUTEX聚焦智慧製造 共論5大人物時代資安主題 (2019.05.31)
面對近來中美貿易戰烽火連天,甚至即將演變成為新一代科技冷戰鐵幕,製造業智慧化生產競爭力已成為先進大國博奕的籌碼,尤其面臨「5大人物(5G、大數據、人工智慧、物聯網)」時代即將到來
力旺電子NeoMTP成功導入格芯130nm BCDLite及BCD製程平台 (2018.12.17)
力旺電子今日宣佈,其嵌入式可多次編寫(MTP)記憶體矽智財NeoMTP已成功導入格芯130nm BCD與BCDLite製程平台,專攻消費性及車用市場,以及日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求
力旺二代MTP佈局Dongbu Hitek BCD製程 專攻電源管理應用 (2018.08.07)
力旺電子宣佈其第二代嵌入式可多次編寫(Multiple-Times Programmable,MTP)記憶體矽智財NeoMTP已於Dongbu Hitek 0.18um BCD製程完成佈局,專攻電源管理IC,因應日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求
力旺NeoMTP矽智財布局TowerJazz BCD製程 (2018.08.01)
為因應無線充電和USB Type C客戶之需求,力旺電子宣布其嵌入式可多次編寫記憶體矽智財NeoMTP已於TowerJazz 0.18um BCD 製程平台完成可靠度驗證,即日起可供使用,力旺在專攻電源管理應用的BCD製程又完成一重大布局
力旺電子將於TSMC 7nm製程推出安全防護功能更強的記憶體IP (2018.04.27)
力旺電子今天宣布其安全記憶體矽智財NeoFuse已成功在台積高階製程平台完成驗證,並即將在台積7nm製程推出更多安全防護功能,提供人工智慧(AI)結合物聯網(IoT)的AIoT和高階車用晶片最根本的資安保護
科技部舉辦「科技大擂台2:AI資安攻防戰」 祭出兩千萬創業金號召資安菁英 (2018.04.24)
科技部今日宣布,將舉辦「科技大擂台2:AI資安攻防戰」競賽,端出兩千萬創業金,號召資安菁英同台較勁。正式賽採開放提案方式,邀請資訊安全能人志士踴躍參與,以創新且具挑戰性的資訊安全解決戰技贏得獎金
力旺電子和Europractice合作協助歐洲IC產業創新 (2018.04.02)
力旺電子和歐洲頂尖奈米電子研究機構IMEC今天宣布一項合作計畫,將力旺的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)矽智財提供給歐洲學術界和新創公司使用。這項合作計畫將有助IMEC促進歐洲IC產業創新,也將進一步擴大力旺矽智財在歐洲的滲透率
2018 ISSCC引領半導體技術趨勢 台論文獲選量居全球第三 (2017.11.16)
國際固態電路學會(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)2018年年會預計於2018年2月11日至2月15日於美國舊金山舉行。ISSCC被譽為晶片(IC)設計領域奧林匹克大會,促進國際半導體與晶片系統之產學研專家的技術交流,在本次國際學術研討會,台灣共有16篇論文入選,數量僅次於美國與韓國,居全球第三
2018 ISSCC年會臺灣16篇論文入選;AI晶片受關注 (2017.11.16)
有IC設計奧林匹克大會之稱的國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC),即將於2018年2月11日至2月15日於美國舊金山舉行。本次研討會臺灣共有16篇論文入選,數量僅次於美國與韓國,居全球第三
力旺電子推出最新車規嵌入式EEPROM IP編寫次數達50萬次以上 (2017.10.25)
力旺電子最新推出編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可複寫唯讀記憶體)矽智財(Silicon IP),符合高溫、耐用及生命週期長的車規標準,為力旺在車用電子市場的最新佈局
力旺電子為物聯網應用推出超低功耗MTP矽智財 (2015.06.08)
力旺電子宣佈,其新開發之超低功耗多次可程式(Multiple-Time Programmable,MTP)矽智財具有3uW以下低讀取功耗、0.7 V低讀取電壓、10萬次以上多次存取、尺寸微小與優異的成本優勢
力旺電子NeoFuse技術於16nm FinFET成功完成驗證 (2015.05.06)
力旺電子宣佈,其單次可程式(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)製程平台成功完成驗證,並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用
晶心與力旺共推晶片安全防護解決方案 (2015.03.30)
隨著物聯網的快速發展,使得各種系統與電子產品資料透過網路緊密相連,在使用者對資料安全與保護機制的高度重視下,激發相關晶片安全防護解決方案的強烈需求。著眼物聯網市場之發展趨勢
力旺嵌入式非揮發性記憶體已完成可靠度驗證 (2011.07.18)
力旺電子(ememory)於日前宣佈,其單次可程式記憶體NeoBit技術,已順利於台積公司80奈米高電壓製程完成可靠度驗證,並已成功導入客戶之高畫質顯示驅動晶片,將應用於下一世代智慧型手機
力旺80奈米高電壓製程驗證成功 搶攻智慧手機市場 (2011.06.15)
力旺電子近日宣佈,其單次可程式記憶體矽智財NeoBit,已於台灣一線晶圓代工廠80奈米12吋晶圓廠完成可靠度驗證,並已成功導入客戶產品試產,未來將應用於下一世代智慧型手機之高畫質顯示驅動晶片(Display Driver ICs)
力旺電子NeoFlash搶搭觸控與節能熱潮 (2011.04.06)
力旺電子於日前宣布,其嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash除可廣泛使用於MCU、消費性電子產品外,近期內已成功實現於觸控晶片與電池容量偵測晶片廠商產品上,提供具成本優勢之嵌入式快閃記憶體解決方案
力旺NeoFlash提供可靠的車規嵌入式快閃記憶體 (2010.12.22)
力旺電子近日宣佈,繼推出車規NeoBit OTP之後,力旺電子凝聚創新開發續航力,嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash亦於技術上大幅躍進,應用範圍自消費性電子如觸控面板(Touch Panel)、微控制器(MCU)、無線射頻識別(RFID)等產品
力旺電子新技術可協助IC設計業降低30%成本 (2010.11.18)
力旺電子近日宣佈,該公司近期開發的嵌入式非揮發性記憶體創新技術,可協助IC設計公司降低設計與製造成本近30%,為台灣IC設計產業提供創新成本解決方案,更有利於各電子廠商搶攻正在快速成長的中國大陸消費電子產品市場


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