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AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性，特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展，對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能，以滿足市場需求 |
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SEMICON Taiwan 2024下月登場 揭櫫半導體技術風向球 (2024.08.15)
迎接現今人工智慧（AI）和高效能運算（HPC）需求的強勁增長，對先進封裝技術的要求也隨之提高。即將於9月4~6日假南港展覽館舉行的SEMICON Taiwan 2024國際半導體展，也集結最完整陣容的供應鏈與先進技術內容 |
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美光發表業界首款 PCIe Gen6 資料中心SSD 提供26GB/s連續讀取頻寬 (2024.08.08)
美光科技宣布，研發出業界首款推動生態系統的 PCIe Gen6 資料中心 SSD 技術，為美光支援 AI 廣泛需求的完整記憶體和儲存產品布局再添一員。美光資深副總裁暨運算與網路事業部總經理 Raj Narasimhan 並於 FMS 2024 展覽上針對「資料就是 AI 的核心 |
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美光宣布量產第九代NAND快閃記憶體技術 (2024.07.31)
美光科技宣布，採用第九代(G9) TLC NAND技術的SSD現已開始出貨。美光G9 NAND傳輸速率3.6 GB/s，不論是在個人裝置、邊緣伺服器，或是企業及雲端資料中心，這顆NAND新品均可展現效能，滿足人工智慧及其他運用大量資料的使用情境 |
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為AI應用奠基 美光推出全球最高速資料中心SSD (2024.07.25)
美光科技今日宣布，推出Micron 9550 NVMe SSD，為全球最高速率資料中心SSD，在AI工作負載效能及節能效率上亦領先業界 。美光9550 SSD整合了美光自有的控制器、NAND、DRAM與韌體 |
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美光最低延遲創新主記憶體MRDIMM正式送樣 (2024.07.18)
因應工作負載要求的日益嚴苛，為了充分發揮運算基礎架構的最大價值。美光科技（Micron）宣佈其多重存取雙列直插式記憶體模組（MRDIMM）開始送樣。MRDIMM針對記憶體需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用 |
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美光揭櫫永續行動進展 邁向未來創新目標 (2024.07.05)
美光科技發布 2024 年永續經營報告，詳述美光的永續發展成果，並持續推動可為未來創造全新機會與突破的技術進程。美光總裁暨執行長 Sanjay Mehrotra 表示，美光 2024 年永續經營報告展現透過科技回饋全球社群與環境的決心；期待協助引領整個半導體產業和生態系統取得更長足的進步 |
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美光發布2024年永續經營報告 強化發展永續經營和先進技術 (2024.07.04)
美光科技發布 2024 年永續經營報告。美光致力於實踐環保並已取得實質進展。2023 年，美光的直接排放（範疇一）溫室氣體排放量相比 2020 年減少了 11%。預計 2025 年底前實現在美國採用 100% 再生能源供應的承諾 |
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高速運算平台記憶體爭霸 (2024.07.02)
各類AI應用的市場需求龐大，各種記憶體的競爭也異常的激烈，不斷地開發更新產品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，只有隨時保持容量、速度與可靠度的優勢才是王道 |
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美光次世代繪圖記憶體正式送樣 (2024.06.06)
美光科技宣布，採用美光1β (1-beta) DRAM技術和創新架構的次世代GDDR7繪圖記憶體已正式送樣。最高位元密度的美光GDDR7以功率優化設計打造最高速度達每秒32 Gb。同時其系統頻寬提升至1.5 TB/s以上，頻寬相較前一代美光GDDR6高出60%，擁有四個獨立通道，提供最佳化工作負載與更快的回應速度、更流暢的遊戲體驗並顯著縮短處理時間 |
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[COMPUTEX] 美光正式送樣GDDR7繪圖記憶體 (2024.06.05)
美光科技宣布最高位元密度次世代GDDR7繪圖記憶體已正式送樣。採用美光1β (1-beta) DRAM技術和創新架構，美光GDDR7以功率優化設計打造最高速度達每秒32 Gb。同時其系統頻寬提升至1.5 TB/s以上，頻寬相較前一代美光GDDR6高出60%，美光GDDR7擁有四個獨立通道，提供最佳化工作負載與更快的回應速度、更流暢的遊戲體驗並顯著縮短處理時間 |
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美光32Gb伺服器DRAM通過驗證並出貨 滿足生成式AI應用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其採用高容量單片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 記憶體正式驗證與出貨。美光 128GB DDR5 RDIMM 記憶體速度高達 5,600 MT/s，適用於各種先進伺服器平台，該產品採用美光的 1β 技術，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆疊的產品，位元密度提升超過 45%，能源效率提升 22%，延遲則降低 16% |
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美光針對用戶端和資料中心等市場 推出232層QLC NAND (2024.04.25)
美光科技推出 232 層 QLC NAND，將其整合至部份 Crucial 消費型 SSD 產品中。目前 CrucialR SSD 已正式量產並向企業儲存裝置客戶出貨，美光 2500 NVMeTM SSD 則已向 OEM PC 製造商送樣 |
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美光正式量產HBM3E 功耗較前代降低約 30% (2024.02.27)
美光科技今宣布，其 8 層堆疊 24GB HBM3E解決方案已正式量產。美光 HBM3E 解決方案將應用於 輝達 H200 Tensor Core GPU，預計於 2024 年第二季出貨。
美光執行副總裁暨事業長 Sumit Sadana 表示：「美光在 HBM3E 此一里程碑上取得了三連勝：領先的上市時間、業界最佳的效能、傑出的能源效率 |
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美光推出128GB DDR5 RDIMM記憶體 為生成式AI應用提供更佳解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 記憶體，採用 32Gb 單片晶粒，以高達 8,000 MT/s 的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載。此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料處理需求所設計，包含人工智慧（AI）、記憶體資料庫（IMDBs）、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等 |
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台灣美光台中四廠正式啟用 將量產HBM3E及其他產品 (2023.11.06)
今日美光科技宣布台中四廠正式落成啟用，這棟具指標性的建築將進一步推動台灣先進 DRAM 製程技術的開發和量產。美光台中四廠將整合先進探測與封裝測試功能，以量產 HBM3E 及其他產品，從而滿足人工智慧、資料中心、邊緣運算及雲端等各類應用日益成長的需求 |
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Micron採用先進1β技術 推出高速DDR5記憶體 (2023.10.19)
美光科技推出 16Gb DDR5 記憶體，奠基於1β 製程節點技術，美光 1β DDR5 DRAM 的內建系統功能速率可達 7,200 MT/s，目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。美光 1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數 CMOS 製程、四相位時脈及時脈同步，相較於前一代產品，效能可提升 50%，每瓦效能功耗可降低33% |
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SEMICON TAIWAN推動供應鏈升級 資安防護、智慧製造、淨零永續深化韌性 (2023.08.17)
受到全球政經情勢快速變動，以及永續、資安等意識高漲等因素影響，過去數十年所累積成形的國際供應鏈正進入重整階段，以期深化產業韌性、推升全球產業升級。台灣年度最大半導體產業盛事SEMICON TAIWAN 2023今（16）日也宣佈，本屆論壇將聚焦多項供應鏈韌性升級關鍵領域 |
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美光發布記憶體擴充模組 加速CXL 2.0應用 (2023.08.14)
美光科技推出 CZ120 記憶體擴充模組，並已開始向客戶和合作夥伴送樣。美光 CZ120 模組提供 128GB 與 256GB 容量，採用 E3.S 2T 外型規格，並支援 PCIe Gen 5X8 介面。此外， CZ120 模組能夠提供高達 36GB/s 的記憶體讀寫頻寬，同時在需要增量記憶體容量和頻寬時強化標準伺服器系統 |
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美光發布首款8層堆疊24GB HBM3 實現1.2TB/s頻寬 (2023.07.30)
美光科技宣布推出業界首款第二代 8 層堆疊（8-High）24GB HBM3，並開始送樣。此產品頻寬達 1.2TB/s 以上，每腳位傳輸速率超過 9.2Gb/s，較目前市面上的HBM3解決方案高出 50%。此外，美光第二代HBM3的每瓦效能較前幾代產品提升2.5 倍，刷新 AI 數據中心的關鍵性能、容量及功耗指標 |
