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CTIMES / 射頻金氧半導體
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
台積電提供0.18微米混合信號及射頻金氧半導體製程技術 (2000.08.08)
台積電(TSMC)宣佈,該公司率先為客戶提供0.18微米混合信號以及射頻金氧半導體(mixed signal/RF CMOS)製程。台積電表示,其實該公司之混合信號(mixed mode)製程早已為客戶量產多時,此次再成功結合射頻CMOS製程,除了第一個商品化產品預計於今年9月上市外,初期測試晶片已經成功嵌入了頻率高達2.4GHz之電壓控制振盪器(VCO)及低雜訊放大器(LNA)

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