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筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来 (2024.11.15)
筑波科技(ACE Solution)携手美商泰瑞达(Teradyne)近日举办年度压轴「化合物半导体与矽光子技术研讨会」。本次活动由国立阳明交通大学、中原大学电子工程学系共同主办,打造产官学交流平台
Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计,功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合,具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸,旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求
三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric)宣布,将开始发货用於驱动马达的碳化矽 (SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)裸晶片样品11月14日,三菱电机推出电动车(EV)、??电式混合动力车(PHEV)和其他电动车(xEV)的逆变器
ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值 (2024.11.11)
面对近年来工业4.0概念持续发展,并加入人工智慧(AI)普及化、节能减碳等热门议题引发关注,意法半导体(ST)也在近期提出包含MEMS感测器和碳化矽(SiC)等高效解决方案,探讨可在边缘AI领域扮演的关键角色,使其更易於普及,让每个人都能受益
SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽(SiC)市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。
意法半导体公布第三季财报 工业市场持续疲软影响销售预期 (2024.11.08)
全球半导体领导厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)公布依照美国通用会计准则(U.S. GAAP)编制截至2024年9月28日的第三季财报。意法半导体第三季净营收达32.5亿美元,毛利率37.8%,营业利润率11.7%,净利润为3.51亿美元,稀释每股盈馀37美分
Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关
国科会新增10项核心关键技术 强化太空、量子、半导体领域保护 (2024.11.03)
为强化国家核心关键技术保护,避免国家安全、产业竞争力及经济发展受损,国科会预告修正「国家核心关键技术项目及其技术主管机关」草案,新增10项太空、量子科技、半导体及能源领域之关键技术,预告期至11月15日止
化合物半导体设备国产化 PIDA聚焦产业链发展 (2024.10.27)
为推动化合物半导体设备国产化,经济部产业署委托金属中心及光电协进会(PIDA),於10月24日在台北南港展览馆举办「化合物半导体设备产业的前瞻未来」研讨会。 研讨会邀请稳唼材料、台湾钻石工业、蔚华科技、致茂电子及台湾彩光科技等业界专家
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列 (2024.10.22)
工业技术制造公司Littelfuse推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极体,为市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化矽(SiC)MOSFET栅极免受过压事件影响而设计
英飞凌HybridPACK Drive G2 Fusion结合矽和碳化矽至电动汽车先进电源模组 (2024.10.16)
英飞凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion,为电动汽车领域的牵引逆变器确立新的电源模组标准。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌矽(Si)和碳化矽(SiC)技术,可随??即用的电源模组
是德科技3kV高电压晶圆测试系统专为功率半导体设计 (2024.10.15)
是德科技(Keysight)推出4881HV高电压晶圆测试系统,扩展其半导体测试产品组合。该解决方案可实现高达3kV的叁数测试,支援一次性完成高、低电压测试,进而提高功率半导体制造商的生产效率
意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)正式推出第四代STPOWER碳化矽(SiC)MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求,还针对电动车(EV)动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化,在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求,具备低缺陷率、高制程稳定性,成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本,促进了碳化矽元件的更广泛应用
数位电源驱动双轴转型 绿色革命蓄势待发 (2024.10.01)
CTIMES日前举办了「数位电源驱动双轴转型:电子系统开发的绿色革命」为主题的东西讲座研讨会,此次会议深入探讨了数位电源技术在推动电子系统开发的双轴转型中的关键作用,即实现更高的能源效率和更快的产品创新
电动压缩机设计核心-SiC模组 (2024.09.29)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心零组件,对於电驱动系统的温度控制具有重要作用,对电池的使用寿命、充电速度和续航里程均至关重要,本文主要讨论SiC MOSFET 离散元件方案
用於快速评估三相马达驱动设计的灵活平台 (2024.09.29)
为了实现环境目标并减少排放,世界各国政府纷纷推出立法,要求提高电动马达的效率。
机械聚落结盟打造护国群山 (2024.09.27)
受惠於当今人工智慧(AI)驱动全球半导体产业显着增长,从材料到技术的突破,更仰赖群策群力,半导体技术也需要整合更多不同资源,涵括先进与成熟、前後段制程设备,才能真正强化供应链韧性与创新实力
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品 (2024.09.26)
先进半导体和储存解决方案供应Toshiba公司在第三代碳化矽(SiC)肖特基栅极二极体(SBD)产品线中增添1200 V新产品「TRSxxx120Hx系列」,适合应用於光伏逆变器、电动汽车充电站,以及用於工业设备用的开关电源供应器、不断电供应系统(UPS)等工业设备
英飞凌首创12寸氮化??功率半导体制程技术 推动市场快速增长 (2024.09.11)
英飞凌科技(Infineon)宣布成功开发出全球首创12寸氮化??(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握此一技术的企业,这项突破将大幅推动GaN功率半导体市场的发展


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