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ROHM新款SiC萧特基二极体支援xEV系统高电压需求 (2024.11.14)
半导体制造商ROHM开发出引脚间沿面距离更长、绝缘电阻更高的表面安装型SiC萧特基二极体（SBD）。目前产品阵容中已经有适用於车载充电器（OBC）等车载应用的「SCS2xxxNHR」8款机型 |
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ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作 |
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用於快速评估三相马达驱动设计的灵活平台 (2024.09.29)
为了实现环境目标并减少排放，世界各国政府纷纷推出立法，要求提高电动马达的效率。 |
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开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品，是来自德州仪器（TI）一款业界首创的650V三相智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）━「DRV7308」，适用於250W马达驱动器应用。 |
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TI首款GaN IPM问世 实现更小更具能源效率的高电压马达设计 (2024.06.26)
德州仪器 (TI) 推出适用於 250W 马达驱动器应用的 650V 三相 GaN IPM（Intelligent Power Module）。这款全新 GaN IPM 能协助工程师克服在设计大型家用电器以及暖通空调（HVAC）系统时常面临的多数设计与性能的问题 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。 |
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英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统（PV-ES）市场快速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为厂商得胜关键；英飞凌科技（Infineon）为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件，共同推动绿色能源发展 |
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ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台湾台达电子（Delta Electronics）的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高产品性能和可靠性的同时，更实现了小型化 |
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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出首款具有电流隔离功能的氮化??（GaN）电晶体闸极驱动器，新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸，同时降低物料清单成本，能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助减少应用损耗及实现小型化 (2023.09.04)
近年来消费性电子和工控设备的电源在节能方面的要求升高，以期实现永续发展，因而能够帮助提高功率转换效率和实现元件小型化的GaN HEMT受到关注。但与Si MOSFET比较之下，GaN HEMT的闸极处理较为困难，必须与驱动闸极用的驱动器结合使用 |
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ST：提供全面系统解决方案 为工业激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
利用意法半导体2023年工业巡??论坛的机会，CTIMES零组件杂志也特别专访了意法半导体亚太区功率离散和类比产品部行销和应用??总裁 Francesco Muggeri，详细阐述ST在工业领域的技术创新 |
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东芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工业设备效率 (2023.07.13)
东芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD），这是该公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工业设备开关电源、电动汽车充电站、光伏逆变器为应用领域 |
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意法半导体100W和65W VIPerGaN功率转换晶片 可节省空间 (2023.05.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之高压宽能隙功率转换晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关准谐振（Quasi-Resonant，QR）返驰式转换器 |
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ROHM高性能650V耐压GaN HEMT开始量产 (2023.05.18)
半导体制造商ROHM已开始650V耐压氮化??（GaN）HEMT
「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量产，此二款产品适用於伺服器和AC适配器等各类型电源系统。
据悉电源和马达的用电量占全世界用电量的一半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的重要课题 |
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深耕智能快充技术 富采旗下威力赫电子打入日系车厂 (2023.04.13)
威力赫电子为富采控股旗下专注於快充技术与产品之公司，其 PD(Power Delivery)快充产品传出导入日系知名汽车品牌中，并将在Touch Taiwan展会中展出。
威力赫电子的PD系列采用关系企业汉威光电650V氮化??功率半导体 |
