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Aledia全球首款9V microLED正式商用量產推動消費性市場發展 (2026.04.01)
microLED方案商Aledia今日宣布，全球首款支援9V操作電壓的FlexiNOVA microLED（FN1530F9）正式投入商業量產供貨。 FlexiNOVA產品採用Aledia專利的氮化鎵奈米線矽基板（GaN Nanowire-on-Silicon）技術，在200mm矽晶圓上製造而成

Aledia全球首款9V microLED正式商用量產推動消費性市場發展 (2026.04.01)
microLED方案商Aledia今日宣布，全球首款支援9V操作電壓的FlexiNOVA microLED（FN1530F9）正式投入商業量產供貨。 (圖一) FlexiNOVA產品採用Aledia專利的氮化鎵奈米線矽基板（GaN Nanowire-on-Silicon）技術，在200mm矽晶圓上製造而成

瑞士新創CCRAFT擴大薄膜鋰鈮酸鹽光子整合晶片製造能量 (2025.11.10)
瑞士新創 CCRAFT 擴大薄膜鋰鈮酸鹽（TFLN, LiNbO?）光子整合晶片（PIC）製造能量，瞄準 AI 資料中心正快速成長的光連結需求。該公司近期取得瑞士國家創新署（Innosuisse）支持、啟動約 250 萬瑞郎計畫，強化本地光子晶片產能與生態系連結

冷電漿技術助沙漠植物抵抗鹽鹼提升存活率 (2025.07.20)
據外媒報導，一項新興的「冷電漿」（Cold Plasma）種子預處理技術，在提升植物耐受性方面展現出巨大潛力。最新研究指出，透過冷電漿處理，一種對乾旱地區生態至關重要的豆科植物「波斯皂莢」（Prosopis koelziana），其種子在鹽度逆境下的發芽率與幼苗存活率獲得顯著提升，為對抗沙漠化帶來了新的科技曙光

SEMI：2025年將啟動18座新晶圓廠建設 (2025.01.08)
根據國際半導體產業協會（SEMI）最新發布的「全球晶圓廠預測報告」，預計 2025 年全球半導體產業將啟動 18 座新晶圓廠建設項目，其中包括3座200mm晶圓廠和15座300mm晶圓廠，大部分預計將於 2026年至2027年投產

建準電機將於2024 OCP全球峰會首展最新液冷技術 (2024.10.08)
建準電機宣布將參加在美國加州聖荷西在10月15~17日舉行的全球雲端服務和伺服器產業的指標性盛事—「OCP全球峰會」（OCP Global Summit），首次展示先進液冷技術及散熱解決方案

博世2023年度營收、獲利逆勢成長歸功交通及工業事業群貢獻 (2024.02.07)
即使歷經2023年全球經濟不景氣逆風來襲，根據博世集團今（日）最新宣告該集團不畏挑戰，仍逆勢達成該年度財務目標，總營業額約為916億歐元，實質成長8%；營業利潤率5%，較前一年4.3%微幅成長，合乎預期

應材及東北微電子聯手為MIT.nano挹注200mm晶圓研製能力 (2024.02.05)
因應當前地緣政治衝突威脅，讓國際半導體產業不得不分散各地建廠佈局，卻未必都能在當地找到數量足夠且技術純熟的人才。必須從設備端開始，積極朝上游學研界吸引關鍵技術與人才，進而透過最先進機台組合銜接學術創新與產業路徑，擴大半導體、微電子和其他關鍵技術領域的規模

愛思強200mm MOCVD系統獲艾邁斯歐司朗認證聚焦Micro LED應用 (2023.02.15)
艾邁斯歐司朗和愛思強聯合宣佈，200mm晶圓AIXTRON G5+ C和G10-AsP系統已獲得艾邁斯歐司朗的認證，可用於滿足Micro LED應用需求。愛思強的MOCVD系統AIX G5+ C和全新G10-AsP提供AIXTRON行星衛星式氣浮旋轉水準技術（Planetary Technology），為下一代高解析度microLED顯示幕鋪平了道路

汽車與功率元件助攻全球8吋晶圓廠產能年增20% (2022.10.19)
SEMI國際半導體產業協會發佈「8吋晶圓廠至2025年展望報告」(200mm Fab Outlook to 2025)指出，2021年到2025年，全球半導體製造商8吋晶圓廠產能可望增加 20%。 (圖一) 根據「8吋晶圓廠至2025年展望報告」，自2021年至2025年，汽車和功率半導體晶圓廠產能，將以58%的成長速度居首，其次為MEMS成長21%、代工成長20%、類比成長14%

汽車與功率元件助攻全球8吋晶圓廠產能年增20% (2022.10.19)
SEMI國際半導體產業協會發佈「8吋晶圓廠至2025年展望報告」(200mm Fab Outlook to 2025)指出，2021年到2025年，全球半導體製造商8吋晶圓廠產能可望增加 20%。根據「8吋晶圓廠至2025年展望報告」，自2021年至2025年，汽車和功率半導體晶圓廠產能，將以58%的成長速度居首，其次為MEMS成長21%、代工成長20%、類比成長14%

功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。

新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。