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工研院主办VLSI TSA研讨会登场 聚焦异质整合与小晶片、高速运算、AI算力 (2024.04.23)
在经济部产业技术司支持下，今（23）日由工研院主办的「2024国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI TSA）」已逾41年，今年更聚焦人工智慧（AI）带来的科技革新，汇集国内外产官学研超过60位专家共襄盛举 |
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台团队实现二维材料铁电电晶体 次世代记忆体内运算有??成真 (2024.02.21)
由台湾师范大学物理系蓝彦文教授与陆亭桦教授组成的联合研究团队，在铁电材料领域取得了重大突破，开发出基於二维材料二硫化??的创新铁电电晶体(ST-3R MoS2 FeS-FET)，厚度仅有1 |
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掌握铁电记忆体升级关键 imec展示最新介面氧化技术 (2022.12.06)
於本周举行的2022年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）展示了一款掺杂镧（La）元素的氧化????（HZO）电容器，成功取得1011次循环操作与更隹的电滞曲线（电场为1.8MV/cm时，残留极化值达到30μC/cm2），并减缓了唤醒效应 |
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领先全球！工研院研发28nm铁电记忆体与记忆体内退火加速晶片 (2021.12.19)
工研院在美国旧金山的2021国际电子元件研讨会(2021 IEDM)中，发表可微缩于28奈米以下的铁电式记忆体，具高微缩性与高可靠度，唯一能同时达到极低操作与待机功耗的要求，未来更可应用在人工智慧、物联网、汽车电子系统 |
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2021 VLSI台湾供应链优势再现 实现记忆体内运算与AI创新 (2021.04.20)
2021国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI）是台湾半导体产业的年度盛事，今（20）日在经济部技术处的支持下顺利登场，今年焦点落在目前市场最热门的AI晶片、新兴记忆体、小晶片（chiplet）系统、量子电脑、半导体材料、生物医学电子等最新技术进展 |
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VLSI国际研讨会登场 工研院率专家剖析AI、5G创新技术 (2020.08.11)
由工研院主办的半导体年度盛事「2020国际超大型积体电路技术研讨会」（VLSI）於今（11）日登场，大会今年聚焦在最热门的人工智慧(AI)、5G、量子电脑、生物电子医学等相关技术发展与未来趋势，并邀请到台积电、联发科、IBM、Intel、NVIDIA、NTT Docomo、加州大学洛杉矶分校、东京大学等国内外大厂及专家学者进行分享 |
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工研院於IEDM发表下世代FRAM与MRAM技术获国际肯定 (2019.12.10)
工研院於今美国举办的IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting；IEDM)中发表三篇铁电记忆体(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻随机存取记忆体（Magnetoresistive Random-Access Memory；MRAM）相关技术重要论文，引领创新研发方向，并为新兴记忆体领域中发表篇数最多者 |
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3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制，以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。 |
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关注次世代嵌入式记忆体技术的时候到了 (2018.01.25)
次世代记忆体的产品，如FRAM，MRAM和RRAM，在物联网与智慧应用的推动下，开始找到利基市场。 |
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物联网与AI将推升次世代记忆体需求 (2017.12.25)
经过十多年的沉潜，次世代记忆体的产品，包含FRAM（铁电记忆体），MRAM（磁阻式随机存取记忆体）和RRAM（可变电阻式记忆体），在物联网与智慧应用的推动下，开始找到利基市场 |
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RS为更广大开发者社群带来NFC技术 (2015.03.17)
RS Components (RS) 公司宣布，将自即日起推出 Panasonic NFC 卷标平台，让近距离无线通信（NFC）应用变得更容设计易且更容易存取，该平台拥有各种 NFC 集成电路组以及易于使用的开发工具 |
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TI推出高整合度NFC感测器转发器 (2014.12.12)
符合ISO 15693标准的完全可编程设计13.56 MHz感测器转发器整合超低功耗微控制器和非挥发性铁电记忆体（FRAM）
德州仪器（TI）推出高灵活高频13.56 MHz感测器转发器系列。 |
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富士通半导体FRAM 铁电记忆体免费样品申请活动 (2014.06.30)
香港商富士通半导体有限公司台湾分公司宣布携手康淇科技股份有限公司推出富士通铁电记忆体(FRAM)免费样品申请活动，本次活动主旨是让更多的使用者了解并体验富士通半导体高效能的FRAM系列产品，及其在智慧生活的相关应用 |
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TI：物联网MCU功耗需达到μA等级 (2014.01.14)
物联网这个议题其实已经有讨论了不短的时间，而随着穿戴式应用的兴起加上诸多技术也来到了相对稳定而成熟的阶段，因此吸引了不少厂商的投入。
TI（德州仪器）亚洲区市场开发经理陈俊宏表示 |
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Ramtron开始供应高速串行F-RAM器件样品 (2011.10.31)
Ramtron日前宣布，已开始供应4-至64Kb串行非挥发性铁电RAM（F-RAM）内存的预认证样品，新产品于Ramtron在美国的新晶圆供应源以铁电内存制程生产，具有1万亿次（1e12）的读/写周期、低功耗和无延迟（NoDelay）写入等特性 |
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Ramtron推出64Kb串行F-RAM内存样片 (2011.07.27)
低功耗铁电内存（F-RAM) 和整合式半导体供货商Ramtron于近日共同宣布，该公司最新铁电随机存取内存（F-RAM） 产品的样片现已在IBM的新生产线生产。此一新产品FM24C64C是64 Kb、5V串行F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次（1e12）的读/写周期，这比相同等级的EEPROM器件高出100万倍 |
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针对奈米电子时代的非挥发性内存 (2010.02.02)
目前主流的基于浮闸闪存技术的非挥发性内存（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这样的环境驱使下，业界试图运用新的材料和概念研发更好的内存技术，以替代闪存，并更有效地缩小内存，提高储存效能 |
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Ramtron非挥发性状态保存器通过汽车标准认证 (2009.05.21)
非挥发性铁电内存(F-RAM)和整合式半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布，其两款非挥发性状态保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1认证 |
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Cypress新增2-Mbit与8-Mbit nvSRAM产品 (2008.07.14)
Cypress公司发表2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取内存（non-volatile static random access memory；nvSRAM），将Cypress的nvSRAM系列产品线从16-Kbit扩展至8-Mbit。此全新组件具备20奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色 |
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Ramtron推出基于F-RAM的事件数据记录器 (2008.05.13)
非挥发性铁电内存（F-RAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件数据记录器（Event Data Recorder；EDR）─FM6124，这是一款整合式的事件监控解决方案，能够对状态的变化进行连续性的监控，将数据储存在F-RAM中，并可以对系统发出有关变化的警报 |
