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PC主存储器迈向DDR2世代 (2005.01.01)
DRAM的高速化是PC主存储器重要发展趋势之一；目前400MHz的DDR DRAM已逐渐无法满足未来PC的高速需求，而更新一代的DDR2俨然成为接班主流；DDR2拥有比DDR更高的效能、速度及低耗电等特性，并有效提升周边接口及装置整体操作效能 |
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多孔性低介电常数材料的非损害性清洗制程 (2004.12.04)
本文所探讨的晶圆表面处理技术，将介绍如何在批次型喷雾清洗设备的协助下，利用饱和臭氧含量的去离子水来处理化学气相沉积的有机矽玻璃低介电常数薄膜，并且分析所得到的光阻去除结果；这项制程不会导致低介电常数性质或微距的改变，此外也证明利用腐蚀抑制剂，就能降低臭氧制程对铜腐蚀效应 |
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茂德科技DDR DRAM产品获IBM及DELL认证通过 (2004.08.19)
茂德科技今(19)日宣布以自行研发之0.12微米制程所生产256Mb DDR DRAM产品，获一线大厂IBM及Dell验证通过，该项殊荣同时显示茂德自行研发能力获国际合作伙伴肯定。
茂德科技发言人林育中指出 |
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设备交期难缩短 半导体产能扩充有限 (2004.06.07)
工商时报引述外资券商SG Cowen Securities针对半导体市场所发布之最新报告指出，因关键半导体生产设备交期难以缩短，包括晶圆制造、封装测试下半年产能扩充幅度有限，所以下半年旺季来临后，产能吃紧情况将更为严重 |
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12吋晶圆设备抢手 业者首推预付订金制 (2004.04.20)
工商时报消息，因各大半导体业者积极兴建12吋晶圆厂，相关设备抢手，设备业者甚至推出预付四成订金保证优先交机权的条件，首开风气之先的是12吋晶圆显影设备（photolithography）最大业者ASML |
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联电与Numerical延续相移技术授权协议 (2003.01.22)
联电(UMC)与次波长蚀刻技术供应商Numerical近日表示，为因应晶圆专工迈向90奈米制程，联电将延续与Numerical的相移技术授权协议。双方除了延续1999年开始的合作研究及促进100奈米以下的积体电路制程技术发展外，此项三年协议亦延续双方在2000年12月开始的授权合作关系 |
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Numerical授权三星相移技术 (2002.12.25)
根据外电消息，次波长蚀刻技术供应商Numerical，日前与三星电子（Samsung）签署授权协议，三星将以Numerical的相移技术（phase-shifting）生产新一代的SRAM，预计明年初开始投产 |
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Numerical与Samsung签署生产授权协议 (2002.12.20)
Numerical与三星电子近日签署一份授权协议，Samsung将透过Numerical的相移技术（phase-shifting）生产新一代SRAM产品。在签署此项协议之前，双方团队历经长时间的研发合作，为此项产品进行120奈米元件生产制程的改良，预计将于明年初开始进行量产 |
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90/130奈米发展的瓶颈与挑战 (2002.10.05)
当半导体产业推进到100奈米以下时，物理极限的困难即接踵而至，使得业者纷纷提出的90奈米先进制程量产化，让许多专家仍抱着观望态度﹔加上130奈米制程中仍有许多未解的技术瓶颈，同样也会成为90奈米的困境﹔这种种现象，即是本文想探讨的问题 |
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Mentor Graphics Calibre部门与IMEC合作 (2002.06.03)
Mentor Graphics于5月28日宣布，Mentor Calibre部门已和IMEC达成一项合作协议，将共同发展次波长微影技术（subwavelength microlithography）。IMEC是欧洲最重要的独立研究中心，研究领域涵盖微电子、奈米技术、信息和通信系统的设计方法和技术 |
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Intel开发出一平方微米的SRAM电路元 (2002.03.13)
英特尔公司研发人员已成功制造出全球最小、面积仅1平方微米的SRAM(静态随机存取内存)内存电路元。这些电路元是内存芯片的建构基础，被用于运用英特尔新一代90奈米(nm)制程技术所生产出功能完整的SRAM装置 |
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黄光技术力求突破 (2001.09.01)
黄光，即是为避免产品曝光，产品在黄光下进行一连串的半导体微影制程动作，目前已有的微影技术为可见光、近紫外光、中紫外光、深紫外光、真空紫外光、极短紫外光 |
