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ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴 (2024.11.06)
现今电子系统的需求日益成长，尤其是在永续经营和急需创新的市场方面，先进技术将成为助力。半导体制造商ROHM将於11月12日至15日叁加在德国慕尼黑举办的2024慕尼黑电子展（electronica 2024），展示提高车用和工控中功率密度、效率和可靠性的先进功率和类比技术，并进行技术交流合作 |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高电源效率并降低待机功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，扩展电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基於GaN的反激式转换器而设计，用於PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式??座、条形??座、工业电源和辅助电源等设备及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用 |
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Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高电源效率并降低待机功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，为扩展电源IC产品组合的最新成员。 NEX806/8xx和NEX8180x专为诸如供电（PD）充电器、适配器、墙壁??座、条形??座、工业电源和辅助电源以及其他需要高功率的AC/DC转换应用等设备中的以GaN为基础的反激式转换器而设计 |
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三菱电机为 Ka 频段卫星通讯地球站提供GaN MMIC功率放大器样品 (2024.06.14)
三菱电机（Mitsubishi Electric）今（14）日宣布，将开始出货用於Ka 波段卫星通讯的8W 和14W 氮化??（GaN）单片微波积体电路（MMIC）功率放大器样品7 月 1 日起启用通讯（SATCOM）地球站 |
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ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台湾台达电子（Delta Electronics）的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高产品性能和可靠性的同时，更实现了小型化 |
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锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝（AlN）／氮化??（GaN）金属绝缘体半导体（MIS）高电子迁移率电晶体（HEMT），该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率 |
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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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ROHM推出LiDAR用120W高输出功率雷射二极体 (2023.10.31)
半导体制造商ROHM推出一款高输出功率半导体雷射二极体「RLD90QZW8」， 非常适用於搭载测距和空间识别用LiDAR的工控设备领域的AGV（Automated Guided Vehicle/无人搬运车） 和服务机器人、消费性电子领域的扫地机器人等应用 |
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Transphorm最新技术白皮书： 常闭型D-Mode与增强型E-Mode氮化??电晶体平台关键优势 (2023.10.19)
氮化??功率半导体产品的先锋企业Transphorm今（19）日发布《Normally-off D-Mode 氮化??电晶体的根本优势》最新白皮书。该技术白皮书科普了共源共栅 （常闭） d-mode氮化??平台固有的优势 |
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ROHM超高速奈秒级闸极驱动器IC可大幅发挥GaN元件性能 (2023.10.19)
近年来在伺服器系统等应用领域，由於物联网（IoT）设备的需求渐增，关於电源部分的功率转换效率提升和设备小型化已成为重要课题，要求功率元件需不断进行优化。另外，不仅在自动驾驶、工控设备和社会基础建设监控等应用领域中也非常广泛的LiDAR，也需要透过高速脉冲雷射光照射来进一步提高辨识精度 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助减少应用损耗及实现小型化 (2023.09.04)
近年来消费性电子和工控设备的电源在节能方面的要求升高，以期实现永续发展，因而能够帮助提高功率转换效率和实现元件小型化的GaN HEMT受到关注。但与Si MOSFET比较之下，GaN HEMT的闸极处理较为困难，必须与驱动闸极用的驱动器结合使用 |
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DigiKey於2023年新增逾175,000项产品SKU (2023.07.14)
DigiKey提供最丰富的技术元件与自动化产品品项，而且备妥现货可立即出货；DigiKey宣布，在2023年大幅扩增产品组合，今年至今已新增超过175,000项库存零件，包括在核心业务上新增将近40,000项新推出的产品SKU |
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ROHM高性能650V耐压GaN HEMT开始量产 (2023.05.18)
半导体制造商ROHM已开始650V耐压氮化??（GaN）HEMT
「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量产，此二款产品适用於伺服器和AC适配器等各类型电源系统。
据悉电源和马达的用电量占全世界用电量的一半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的重要课题 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
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CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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打造6G射频设计利器 imec推出热传模拟架构 (2022.12.06)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）利用一套蒙地卡罗（Monte Carlo）模型架构，首次展示如何透过微观尺度的热载子分布来进行先进射频元件的3D热传模拟，用於5G与6G无线传输应用 |
