 |
NAND Flash市场发展与应用趋势 (2005.04.01)
4GB的NAND Flash将会是2005年和2006年的行动装置系统设计主流，除了取代行动装置的DVD和小型微型硬碟的使用外，并有效地完成行动数位影音录制所有需求；由于NAND Flash的售价持续下滑，将提供消费者真实的行动储存需求，而微型硬碟也将很快地功成身退 |
 |
三星承诺将尽快纾解闪存供货不足问题 (2005.03.23)
三星半导体执行长（CEO）黄昌圭来台参与该公司科技论坛时，行动电子产品市场对闪存（Flash）需求，估计2007年手机等可携式产品对内存的需求将超越PC。黄昌圭并对与会的台湾内存模块表示，三星将自4月起纾解闪存供货不足的问题 |
|
英特尔发表新款NOR闪存技术 (2005.03.09)
英特尔公布多款即将推出的NOR闪存产品，扩大其2005年手机与嵌入型方案产品的阵容。针对手机市场推出的第一款产品代号为 Sibley，这是第一款采用英特尔90奈米制程技术的NOR多层Cell(multi-level cell；MLC)闪存 |
 |
ST瞄准3G移动电话市场 发布256Mbit NOR型闪存 (2005.03.08)
ST日前发布了256Mbit的NOR型闪存芯片，该组件采用已建构的每单元（cell）2位架构，能在更小的裸晶尺寸中强化内存密度。ST的M30L0R8000x0是2位/cell系列的首款组件，目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片 |
|
M-Systems DiskOnChip将获得TTPCom支持 (2005.02.24)
M-Systems与数字无线技术厂商TTPCom于24日宣布：TTPCom的2.5G协议软件将支持DiskOnChip，藉此为日益成长的多功能手机市场，带来进一步的扩充性。这项新发展显示，多媒体多功能手机对于高容量嵌入式内存解决方案的迫切需求，亦让M-Systems的DiskOnChip能仰赖TTPCom的技术，内建至全球数百万部手机之中 |
|
东芝NAND闪存12吋厂正式开工 (2005.02.21)
NAND闪存市场供不应求，东芝去年四月宣布兴建的12吋NAND闪存厂，即将在2月21日于日本四日市正式开工；据了解，东芝也决定将12吋厂的NAND芯片后段封测订单交予台湾封测厂力成代工，预计六月起就会开始释出订单 |
|
三星以先进制程站稳NAND型Flash市场优势 (2005.02.17)
据南韩媒体报导，NAND型Flash龙头大厂三星电子（Samsung Electronics）正积极由90奈米制程转入70奈米制程，量产高容量4Gb NAND型Flash，而紧追在后的日本东芝（Toshiba）亦宣布计划于今年夏天导入70奈米制程科技投产8Gb NAND型Flash，两大厂积极以先进制程拉大与其他NAND型Flash后进者的差距 |
|
闪存2004年成长表现亮眼 (2005.02.04)
市调机构iSuppli针对全球闪存（Flash）发表最新报告指出，由于多媒体手机、数字相机、MP3等产品热销，NOR及NAND两种规格闪存2004年表现皆佳。在NOR芯片部份，营业额高达95亿5800万美元，成长28.7％；至于NAND芯片成长最大，全球营业额达63亿3700万美元，年成长率高达50.1％ |
|
IDM厂释单 内存测试代工产能吃紧 (2005.01.27)
据业界消息，国际IDM业者陆续释出内存委外测试代工订单，也让台湾测试代工业者首季业绩可望再创新高；其中京元电可望取得瑞萨（Renesas）、英飞凌的NOR规格闪存订单，力成也将接受超捷（SST）及超威的闪存晶圆测试（Wafer Sort）代工订单 |
|
不敌Intel削价竞争 AMD闪存恐陷亏损 (2005.01.18)
据外电消息，英特尔（Intel）和超威（AMD）在闪存（Flash）市场的消长之势又出现变化，Intel在2004年第四季成功以削价策略挽回市占，使得AMD的Flash事业大受打击，该部门恐陷入营运净损的窘境 |
|
厂商竞逐奈米制程 NAND Flash价格再跌 (2005.01.12)
据业界消息，NAND型闪存（Flash）价格竞争激烈，内存业者为降低成本，将以奈米制程全面迎战；市场龙头大厂三星即宣布已成功开发出63奈米的8Gb NAND Flash生产技术。而因每片晶圆产出量将因制程微缩而增多二成至三成以上，将再进一步压低芯片价格，三星预估NAND Flash芯片价格2005年至少要再跌四成 |
|
M-Systems推出新一代行动内存解决方案 (2005.01.11)
M-Systems正式推出DiskOnChip G4，专为主流多媒体行动装置设计的新一代内存解决方案。采用MLC(多层式单元格)NAND技术的DiskOnChip G4，正是为了提供同类产品中最佳的成本结构而设计，同时具备优于DiskOnChip G3三倍、MLC NOR二十倍的写入性能，读取性能更胜于其他NAND装置 |
|
力晶1Gb AG-AND Flash良率获突破 迈入量产 (2005.01.03)
据业界消息，内存大厂力晶12吋厂第四季在代工生产日本瑞萨科技（Renesas）的1Gb AG-AND Flash（闪存）产品上获得重大突破，目前良率已经有所突破，投片量也达每月1000片左右，是台湾第一家量产1Gb NAND Flash的晶圆厂 |
|
英飞凌打造全世界最小的非挥发性闪存单元 (2004.12.28)
英飞凌科技的科学家打造出了全世界最小的非挥发性闪存单元。这种新内存单元小达20奈米，大约比人的毛发细5,000倍。由于所有制造方面的挑战，包括微影，都能够被解决，所以这种新的发展将在近年内就可能使非挥发性内存芯片有高达32 Gbit 的容量 |
|
美光90奈米高容量NAND型Flash顺利量产 (2004.12.22)
DRAM大厂美光（Micron）宣布，该公司以90奈米制程制造的首款2G NAND型闪存（Flash）产品，已按照规划时程进入量产阶段。该公司切入高容量NAND型Flash领域动作迅速，从初期设计时间到量产在不到两年的时间内就完成 |
|
英特尔夺回NOR型闪存龙头宝座 (2004.11.23)
据市调机构iSuppli最新报告指出，全球半导体大厂英特尔降价策略奏效，旗下NOR型闪存终于得以重振雄风，打败劲敌Spansion，夺得市场占有率第一的位置；此外，第三季NOR型flash市场规模比Q2衰退8.9%，除英特尔和三星外，前10名厂商表现纷纷退步，而Spansion该季销售额更是掉了2成 |
|
抢占PROMISE REV超值优惠，就在12月信息展 (2004.11.22)
为让消费者可以近距离体验PROMISE REV分离式硬盘技术所带来的极速便利，乔鼎信息将在12月4日至12日信息月展览期间，于世贸一馆志旭国际摊位(C626-628;C725-727)实机展示，并提供超值优惠供民众现场抢购 |
|
Intel闪存业务表现佳 跃居全球第二 (2004.11.21)
市调机构iSuppli针对全球闪存（Flash）市场公布最新调查指出，2004年第三季全球Flash销售额为39.9亿美元，较2004年第二季的42亿美元下滑4％。而在厂商排名方面，大厂英特尔（Intel）的Flash业务在第三季度表现亮眼强劲，市场占有率从先前的第四跃居至第二位 |
|
挑战Flash市场龙头 Spansion推ORNAND架构 (2004.11.10)
外电消息，富士通（Fujitsu）与超威（AMD）合资成立的闪存（Flash）大厂Spansion，宣布将以其MirrorBit专利技术生产结合NOR与NAND型Flash特长的新产品；该公司执行长Bertrand Cambou表示，此一名为ORNAND架构的产品未来将横扫全球Flash市场 |
|
AMD更新最新之第三季业务展望 (2004.10.07)
AMD宣布，甫于2004年9月26日截止之2004会计年度第三季的业绩，净收入可望超越第二季的3200万美元。AMD先前原来预期，第三季的业绩将会较第二季营收之12.62亿美元持续微幅成长 |
