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msystems将满足车内导航及娱乐系统内存需求 (2006.06.14)
智能型个人储存装置厂商msystems与导航及娱乐系统（Navigation Infotainment System，NIS）芯片系统平台厂商－掌微科技（Centrality Communications），14日宣布共同推出全新解决方案，以满足车内高阶可携式导航系统的特殊嵌入式内存需求 |
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英特尔致力开发NOR Flash嵌入式组件市场 (2006.06.12)
英特尔宣布将针对市场规模达数十亿美元的嵌入式组件市场，扩展NOR闪存产品阵容。英特尔宣布计划推出3伏特(3V)版本的Intel StrataFlash嵌入型内存架构。英特尔同时宣布其将进军快速成长的序列快闪市场，推出首款 Serial Peripheral Interface(SPI)产品 |
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首款以Flash为储存主装置的NB已在南韩问世 (2006.05.25)
Samsung Electronics宣布开发出无硬盘的笔记本电脑和UMPC（ultra mobile PC），并将于2006年6月上旬在南韩上市。上述产品分别配备以OneNAND闪存为内容的储存磁盘SSD（solid state disk），其储存容量为32GB |
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三星微软合作的混合硬盘在WinHEC 2006公开亮相 (2006.05.25)
在2006年Microsoft硬件工程师展览会（Windows Hardware Engineering Conference；WinHEC 2006）上，Microsoft展示商用型混合硬盘（Hybrid Hard Disc；HHD）试用产品。HHD是在传统硬盘上配备高容量的闪存，以降低耗电量、并可缩短读取时间的新储存技术，因此可让笔记本电脑的续航时间增加36分钟之久 |
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NAND闪存 下半年进入旺季 (2006.05.18)
NAND闪存报价第一季持续下跌，除了东芝（Toshiba）营收与市占率逆势成长外，全球NAND闪存主要供货商第一季营收与市占率同步衰退，而龙头厂三星NAND闪存市占率，则首度跌至50％以下 |
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SONY将推出闪存取代硬盘储存的小型计算机 (2006.05.18)
根据日经BP社报导，SONY在东京举办的个人计算机VAIO新产品发表会上，公布将推出可替代硬盘配备的储存装置选择──以闪存为储存主装置的小型个人计算机。
SONY将推出配备闪存的个人计算机基本架构，将基于SONY小型个人计算机VAIO Type U的新款式VGN-UX50而设计 |
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三星新款混合硬盘能延长使用笔记型36分钟 (2006.05.17)
根据国外媒体报导，南韩三星电子（Samsung Electronics）高层主管表示，即将于下周在Microsoft硬件工程师大会（Windows Hardware Engineering Conference；WinHEC 2006）上，展示商用版的混合硬盘（Hybrid Hard Drive；HHD）产品，其能够把现有笔记本电脑的续航时间增加36分钟之久 |
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Spansion获Discretix CryptoFlash安全技术的用户许可证 (2006.05.15)
闪存解决方案供货商Spansion宣布获得Discretix CryptoFlash安全技术的用户许可证，用于支持其安全闪存解决方案。这是Spansion近期为MirrorBit闪存未来产品增添安全功能开发创新解决方案所签署的第三项协议 |
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三星与微软共推Flash混合磁盘的新款硬盘 (2006.05.09)
根据外电消息引述南韩媒体报导指出，三星电子（Samsung Electronics）和Microsoft一同研发可整合闪存和磁盘的混合硬盘进度相当顺利，双方决定于本月即将召开的2006年微软硬件工程师大会上，共同展示此款成熟的混合硬盘产品 |
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储存驱动控制技术 扮演最佳配角 (2006.05.02)
数位储存随着消费性电子产业的兴起，多媒体影音功能又成为主要的应用时，储存需求也变得无所不在；在各式储存设备中，记忆体尽管是主角，负责协助做好储存管理的驱动与控制技术 |
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手机微型储存卡SD格式将威胁iPod市场 (2006.04.27)
市场调查分析机构Strategy Analytics副总裁Stephen Entwistle表示，2005年全球手机储存卡的成长幅度为160%，并且2005年全球销售的手机储存卡平均容量为112MB，到2010年其平均容量将提高到1.6G，这相当于每年容量的成长速度达到70%以上 |
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受产能排挤影响 DRAM价格大幅上扬 (2006.04.19)
受到DRAM厂的DDR及DDR2产能调配，以及DRAM大厂的DRAM及NAND闪存的产能排挤等因素影响，四月以来DRAM现货价格明显向上拉高，其中又以DDR价格上涨动力最强，有效测试（eTT）256Mb DDR十八日单日就大涨逾5％收2.35美元 |
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英特尔NOR Flash导入65奈米制程 (2006.04.11)
英特尔推出采用65奈米(nm)制程技术的1Gb多层单元(Multi-Level Cell；MLC) NOR闪存芯片样本。英特尔的NOR闪存芯片被应用在包括手机的装置，用以管理手机作业、处理个人信息管理(Personal Information Management)的数据、以及储存相片/音乐/影片等数字内容 |
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SPANSION获得ARM处理器授权 (2006.04.10)
Spansion宣布获得ARM7TDMI-S处理器和SecurCore SC100处理器的用户许可证。这项用户许可证使Spansion可以整合ARM处理器及其MirrorBit闪存于一个裸片上。根据这项授权协议，Spansion可设计、制造及提供整合了ARM处理器和MirrorBit技术的解决方案 |
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Spansion将提供兼容的闪存解决方案 (2006.04.04)
闪存解决方案供货商Spansion近日宣布，Spansion所提供的闪存解决方案正与QUALCOMM部份参考设计平台进行预先验证。Spansion预估，MirrorBit NOR和ORNAND闪存解决方案的验证工作将于2006年第二季完成 |
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力晶中科新厂动土 总投资额3000亿元 (2006.04.02)
首家进驻中科后里园区的力晶半导体与中部科学工业园区开发筹备处共同举行联合动土典礼。力晶将斥资300亿元，兴建四座十二吋晶圆厂（Fab 12C/ D/E/F）并创造逾五千个工作机会，结合新竹科学园区既有三座十二吋晶圆厂的庞大产能，更凸显力晶跻身世界级内存大厂的企图心 |
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Spansion荣获思科系统2005年度优秀供货商奖 (2006.03.31)
闪存解决方案供货商－Spansion宣布，荣获思科系统所颁发的2005年度优秀供货商奖。思科第14届年度优秀供货商奖计划中，有十个奖项是颁发给其优秀供货商的。Spansion所获得的业界著名奖项则是这十个奖当中的一个 |
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DRAMeXchange：淡季DDR价格底部即将浮现 (2006.03.21)
DRAMeXchange指数(DRAM总产值综合指数)于本月份7号到13号，由3007下降至3000，反映DDR与DDR2现货市场的价格均微幅走跌。现货市场方面，DRAM价格买气不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT价格维持在1.79美元并无太大变化 |
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M-Systems与厂商合作推出512MB高容量SIM卡 (2006.03.20)
个人智能型储存媒体厂商－M-Systems，与Orange及Oberthur Card Systems二十日宣布，三家公司合作推出512MB高容量SIM卡，其快闪记忆容量较现今标准64 KB SIM卡高出八千倍。此外M-Systems也与专注于智能卡技术之分公司Microelectronica，宣布M-SIM产品的2006年发展蓝图，涵盖了M.MAR系列（2G与3G SIM卡）及MegaSIM系列（高容量SIM卡） |
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ST推出多芯片封装NAND闪存解决方案 (2006.03.03)
ST发表全新的多芯片封装（MCP）内存产品线，新组件能满足3G与CDMA移动电话，以及其他需要大容量内存，但受到空间及功耗限制之多媒体应用的需求。这一系列新组件在单一封装中整合了密度高达1Gbit的NAND闪存以及密度达512Mbit的LPSDRAM（低功耗SDRAM） |
