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CTIMES / 曾繁城
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
创意电子重申公司治理正派经营理念 (2007.01.26)
针对台湾证交所于1月24日晚间新闻稿指出,根据「公布或通知注意交易信息暨处置作业要点」规定,决议自1月16日至1月29日对创意电子股票交易实行处置方案乙事,创意电子对此保护公司及投资人之举表达尊重之意,也盼望各界了解创意电子尊重主管机关及市场机制的初衷
创意电子上市前法人说明会 (2006.10.31)
创意电子成立于1998年1月,为提供特殊应用集成电路(ASIC)服务、委托设计服务(NRE)、多客户晶圆验证服务(MPW)及开发硅智财组件(SIP)之IC设计服务厂商;创意电子运用累积多年之设计资源与可靠的技术支持服务
传台积电上海8寸厂将於2004年初完成装机 (2003.09.09)
据Digitimes报导,近期市场传出台积电松江厂专案部份设备工程人员,将在10月赴上海松江筹备装机事宜,预计2004年初可??装机完成,对此台积电??总执行长曾繁城并未证实,仅透露台积电松江厂将在9月底上梁
传台积电上海8吋厂将于2004年初完成装机 (2003.09.09)
据Digitimes报导,近期市场传出台积电松江厂项目部份设备工程人员,将在10月赴上海松江筹备装机事宜,预计2004年初可望装机完成,对此台积电副总执行长曾繁城并未证实,仅透露台积电松江厂将在9月底上梁
曾繁城成为创意董事长 (2003.01.24)
创意电子改选董监事,新任董事会名单近期已出炉,台积电??总执行长曾繁城担任创意电子董事长,总经理兼营运长由台积电美西业务部负责人赖俊豪担岗,创意电子原总经理石克强担任??董事长与执行长
工研院院友会成立 胡定华出任首届理事长 (2002.12.30)
近日工研院进行「院友会成立大会」,并且顺利推选旺宏电子董事长胡定华出任首届院友会理事长,其他常务理事为研考会??主委纪国钟、亚太优势董事长林敏雄、台积电??总及执行长曾繁城、高雄第一科大校长谷家恒、联电执行长宣明智及富鑫创投执行长邱罗火等人,常务监事由创新公司执行董事陈民瞻担任
工研院院友会成立胡定华出任首届理事长 (2002.12.30)
近日工研院进行「院友会成立大会」,并且顺利推选旺宏电子董事长胡定华出任首届院友会理事长,其他常务理事为研考会副主委纪国钟、亚太优势董事长林敏雄、台积电副总及执行长曾繁城、高雄第一科大校长谷家恒、联电执行长宣明智及富鑫创投执行长邱罗火等人,常务监事由创新公司执行董事陈民瞻担任
台积电与美商巨积合作发展制程技术 (2001.04.04)
台积电与美商巨积公司(LSI)4日共同宣布签署一项合作协定,双方将结合力量共同开发半导体尖端制造技术,并以发展0.13微米先进制程为初期合作目标。 根据台积电与LSI所签署的这项合作发展协定,双方将共同发展0
台积电为NVIDIA量产0.15微米GeForce3 GPU产品 (2001.03.26)
台积电26日宣布该公司已成功地使用其0.15微米制程技术为数家客户大量产出积体电路产品。其中,台积电提供0.15微米低电压(low-voltage)的高效能制程技术,为NVIDIA公司生产应用於微软公司新世代Xbox游戏主机中的主要处理器以及受到市场高度瞩目的GeForce3绘图处理器(Graphics Processing Unit;GPU)产品
台积电为NVIDIA量产0.15微米GeForce3 GPU产品 (2001.03.26)
台积电26日宣布该公司已成功地使用其0.15微米制程技术为数家客户大量产出集成电路产品。其中,台积电提供0.15微米低电压(low-voltage)的高效能制程技术,为NVIDIA公司生产应用于微软公司新世代Xbox游戏主机中的主要处理器以及受到市场高度瞩目的GeForce3绘图处理器(Graphics Processing Unit;GPU)产品
科胜讯宣布与台积电签定长期技术交流与晶圆供应协议 (2001.02.06)
科胜讯系统(Conexant)于近日宣布已与台积电(TSMC)展开长期半导体交互授权晶圆供应与技术协议,科胜讯指出在此项协议下,台积电将获得科胜讯系统的授权,使用其先进的专业射频(RF)制程技术智能财产(IP),应用在双极与硅锗双极金氧互补半导体(SiGe BiCMOS) 产品中,此将为科胜讯系统提供这些技术的铸造产能
台积电扩建12寸厂计画不停歇 (2001.01.30)
台积电位於南科的版图不断扩建,继南科六厂及14厂之後,位於南科的15厂已於过年前开始动工,预计今年结构体将可完成。虽然半导体仍有疑虑景气,但是半导体的整体需求仍将扩增,台积电为确保市场,仍将继续扩建12寸厂,以维持市场占有率
台积电扩建12吋厂计划不停歇 (2001.01.30)
台积电位于南科的版图不断扩建,继南科六厂及14厂之后,位于南科的15厂已于过年前开始动工,预计今年结构体将可完成。虽然半导体仍有疑虑景气,但是半导体的整体需求仍将扩增,台积电为确保市场,仍将继续扩建12吋厂,以维持市场占有率
应用材料低k介电常数制程获得台积电选用 (2001.01.18)
应用材料公司的黑钻石(Black Diamond)化学气相沉积低k介电常数薄膜制程,已被全球最大专业晶圆制造服务的台湾集成电路公司选用,将用来支持其最先进的高效能0.13微米铜导线制程
应用材料低k介电常数制程获得台积电选用 (2001.01.18)
应用材料公司的黑钻石(Black Diamond)化学气相沉积低k介电常数薄膜制程,已被全球最大专业晶圆制造服务的台湾积体电路公司选用,将用来支援其最先进的高效能0.13微米铜导线制程
台积电12吋厂首批晶圆产出良率已超越8吋厂 (2000.12.27)
台积电12吋厂首批晶圆产出良率已超越8吋厂,将使12吋厂扩厂速度加速。台积电总经理曾繁城26日表示,台积电有把握,12吋厂开始量产的一年后,经济效益即可超过八吋晶圆厂,三年后,该公司12吋厂产能将超越8吋的总产能
台积电12寸厂首批晶圆产出良率已超越8寸厂 (2000.12.27)
台积电12寸厂首批晶圆产出良率已超越8寸厂,将使12寸厂扩厂速度加速。台积电总经理曾繁城26日表示,台积电有把握,12寸厂开始量产的一年後,经济效益即可超过八寸晶圆厂,三年後,该公司12寸厂产能将超越8寸的总产能
台积电绝不轻言放弃12吋晶圆厂 (2000.12.26)
台积电今(26)日下午开放媒体参观南科6厂12吋晶圆生产线,台积电总经理曾繁城强调,12吋晶圆是台积电的重要目标,绝对不会因景气差而减缓开发计划,未来3~4年12吋产能的规划上一定会超越8吋晶圆
台积电绝不轻言放弃12寸晶圆厂 (2000.12.26)
台积电今(26)日下午开放媒体叁观南科6厂12寸晶圆生产线,台积电总经理曾繁城强调,12寸晶圆是台积电的重要目标,绝对不会因景气差而减缓开发计画,未来3~4年12寸产能的规划上一定会超越8寸晶圆
台积电、联电对明年晶圆代工景气 一致转趋保守 (2000.12.20)
台积电总经理曾繁城、联电董事长宣明智两人对明年晶圆代工景气的看法,一致转趋保守。曾繁城昨(19)日表示,如果明年第二季晶圆代工景气仍延续第一季往下修正的趋势,明年景气可能趋缓

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