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High NA EUV将登场 是否将加速半导体产业寡占？ (2026.02.13)
随着 2 奈米以下制程逐步逼近量产阶段，High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）设备被视为延续摩尔定律的重要关键。然而，在技术突破的光环之下，产业界也开始讨论一个更现实的问题：当导入门槛与投资规模再创新高 |
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High NA EUV将登场 是否将加速半导体产业寡占？ (2026.02.13)
随着 2 奈米以下制程逐步逼近量产阶段，High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）设备被视为延续摩尔定律的重要关键。然而，在技术突破的光环之下，产业界也开始讨论一个更现实的问题：当导入门槛与投资规模再创新高 |
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艾司摩尔2025年全年财报亮眼 全球半导体设备迎来新一波红利期 (2026.01.28)
艾司摩尔（ASML）近日揭晓 2025 年全年财报，数据表现亮眼。2025 年全年销售净额达到 327 亿欧元，净收入为 96 亿欧元。光是第四季的单季销售额就以 97 亿欧元创下历史新高，其中包括两套最先进的 High NA EUV 设备收入认列，显示出先进制程的需求正处於爆发期 |
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艾司摩尔2025年全年财报亮眼 全球半导体设备迎来新一波红利期 (2026.01.28)
艾司摩尔（ASML）近日揭晓 2025 年全年财报，数据表现亮眼。2025 年全年销售净额达到 327 亿欧元，净收入为 96 亿欧元。光是第四季的单季销售额就以 97 亿欧元创下历史新高，其中包括两套最先进的 High NA EUV 设备收入认列，显示出先进制程的需求正处於爆发期 |
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中国公布EUV原型机研发进展 (2025.12.19)
根据报导指出，中国在极紫外光（EUV）光刻机领域已完成原型机阶段的进展。此一成果被视为中国推动高阶半导体设备自主化的重要里程碑，也是外界所称「中国曼哈顿计画」的关键环节之一，显示中国正积极尝试突破先进制程设备长期依赖海外供应的结构性限制 |
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中国公布EUV原型机进展 (2025.12.19)
根据报导指出，中国在极紫外光（EUV）光刻机领域已完成原型机阶段的进展。此一成果被视为中国推动高阶半导体设备自主化的重要里程碑，也是外界所称「中国曼哈顿计画」的关键环节之一，显示中国正积极尝试突破先进制程设备长期依赖海外供应的结构性限制 |
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美光1γ制程可有效缓解AI负载记忆体频宽不足的问题 (2025.06.10)
美光科技近日开始出货采用1γ（1-gamma）制程节点的低功耗双倍资料速率（LPDDR5X）记忆体认证样品。1γ制程之所以能实现这些突破，关键在於美光采用了多项先进的半导体制造技术 |
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美光1γ制程可有效缓解AI负载记忆体频宽不足的问题 (2025.06.10)
美光科技近日开始出货采用1γ（1-gamma）制程节点的低功耗双倍资料速率（LPDDR5X）记忆体认证样品。1γ制程之所以能实现这些突破，关键在於美光采用了多项先进的半导体制造技术 |
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乾式光阻技术可有效解决EUV微影制程中的解析度与良率挑战 (2025.01.17)
随着半导体技术迈向 2nm 及以下的节点，制程技术的每一步都成为推动摩尔定律延续的重要基石。在这其中，乾式光阻（dry resist）技术的出现，为解决极紫外光（EUV）微影制程中的解析度与良率挑战提供了突破性解决方案 |
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乾式光阻技术可有效解决EUV微影制程中的解析度与良率挑战 (2025.01.17)
随着半导体技术迈向 2nm 及以下的节点，制程技术的每一步都成为推动摩尔定律延续的重要基石。在这其中，乾式光阻（dry resist）技术的出现，为解决极紫外光（EUV）微影制程中的解析度与良率挑战提供了突破性解决方案 |
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默克在日本静冈建设先进材料开发中心 深化半导体创新与永续发展 (2024.12.24)
默克宣布将在日本静冈厂区投资逾7,000万欧元，兴建一个先进材料开发中心，预计此项目将於2026年投入营运。此次投资总额超过1.2亿欧元。新建的先进材料开发中心将以静冈现有的图形化制程卓越中心为基础，专注於开发与制程需求相符、符合环境标准的创新材料 |
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默克在日本静冈建设先进材料开发中心 深化半导体产业创新与永续发展 (2024.12.24)
默克宣布将在日本静冈厂区投资逾7,000万欧元，兴建一个先进材料开发中心，预计此项目将於2026年投入营运。此次投资总额超过1.2亿欧元。新建的先进材料开发中心将以静冈现有的图形化制程卓越中心为基础，专注於开发与制程需求相符、符合环境标准的创新材料 |
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ASML：高阶逻辑和记忆体EUV微影技术的支出可达两位数成长 (2024.11.14)
艾司摩尔（ASML）预估该公司 2030 年年营收约为 440 亿至 600 亿欧元之间，毛利率约为 56% 至 60%。除了几个重要终端市场的成长潜力之外，ASML 认为 AI 带来的发展可??成为驱动整体社会生产力与创新的主要动力，并为半导体产业创造显着商机 |
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ASML：高阶逻辑和记忆体EUV微影技术的支出可达两位数成长 (2024.11.14)
艾司摩尔（ASML）预估该公司 2030 年年营收约为 440 亿至 600 亿欧元之间，毛利率约为 56% 至 60%。除了几个重要终端市场的成长潜力之外，ASML 认为 AI 带来的发展可??成为驱动整体社会生产力与创新的主要动力，并为半导体产业创造显着商机 |
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ASML落实永续价值 加速布局净零碳排 (2024.10.03)
艾司摩尔（ASML）长年投注於永续经营，连续几年受到肯定表扬。彰显ASML在台长期针对环境永续、企业承诺和社会叁与的不懈努力。ASML推动循环经济不遗馀力，致力延长产品的生命周期，2010年至今，整新修复後再回到市场上的机台超过130台；公司成立40年至今，仍有95%的机台还在客户端运作 |
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ASML落实永续价值 加速布局净零碳排 (2024.10.03)
艾司摩尔（ASML）长年投注於永续经营，连续几年受到肯定表扬。彰显ASML在台长期针对环境永续、企业承诺和社会叁与的不懈努力。ASML推动循环经济不遗馀力，致力延长产品的生命周期，2010年至今，整新修复後再回到市场上的机台超过130台；公司成立40年至今，仍有95%的机台还在客户端运作 |
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ASML：第二季营收主要来自浸润式DUV系统销售动能 (2024.07.17)
艾司摩尔 (ASML) 发布 2024 年第二季财报，销售净额 (net sales)为 62 亿欧元，净收入为 (net income) 16 亿欧元，毛利率 (gross margin) 为 51.5%，第二季度订单金额为 56 亿欧元，其中 25 亿欧元为 EUV 订单 |
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ASML：第二季营收主要来自浸润式DUV系统销售动能 (2024.07.17)
艾司摩尔 (ASML) 发布 2024 年第二季财报，销售净额 (net sales)为 62 亿欧元，净收入为 (net income) 16 亿欧元，毛利率 (gross margin) 为 51.5%，第二季度订单金额为 56 亿欧元，其中 25 亿欧元为 EUV 订单 |
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英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装 (2024.04.22)
英特尔位於美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地中，研发人员已完成商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装。此台由微影技术领导者艾司摩尔（ASML）供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影设备，将开始进行多项校准步骤，预计於2027年启用、率先用於Intel 14A制程，协助英特尔推展未来制程蓝图 |
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英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装 (2024.04.22)
英特尔位於美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地中，研发人员已完成商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装。此台由微影技术领导者艾司摩尔（ASML）供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影设备，将开始进行多项校准步骤，预计於2027年启用、率先用於Intel 14A制程，协助英特尔推展未来制程蓝图 |
