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宇瞻科技工业用记忆体拓展抗硫化应用 抢占边缘储存商机 (2018.05.15)
宇瞻科技(Apacer)开发全球首款抗硫化记忆体模组，陆续取得多国专利，以创新专业技术站稳全球，锁定工业应用情境日趋复杂、智慧应用装置多元化发展，与边缘运算终端装置崛起趋势 |
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再进一程：三星40奈米DDR3样本已送达 (2010.03.30)
根据研究机构Gartner报告预测，2010年全球服务器出货量成长率将有5至9%的成长，面对此波市场机会，三星电子今日（3/30）宣布旗下专门提供服务器系统使用的32Gb内存模块已开始送交样品 |
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因应绿色节能 三星推40奈米技术4Gb DDR3 (2010.02.24)
三星电子（Samsung）今（24）日宣布，开始量产运用40奈米级制程技术完成的低功耗（节能）4 gigabit（Gb）DDR3产品。此高密度内存将为数据中心（data center）、服务器系统与高阶笔记本电脑节省相当显著的功率 |
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DDR3缺货何时休？至少再半年！ (2010.01.15)
DDR3（Double-Data-Rate 3，第3代双倍数据传输）从去年就开始缺货，上下游厂商可说是抢货抢疯了！今日（1/15）DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz现货季均价为3.04美元，较去年12/17时的2.45美元成长24% |
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广颖电通推出全新DDR3超频内存 (2010.01.06)
广颖电通于昨日（1/5）宣布推出Xpower DDR3超频系列产品，全系列产品有套装双信道4GB(2GBx2)及三信道6GB(2GBx3)，数据传输率有DDR3-1600、1800、2000、2133 MHz等可供选择，且完全支持新一代Intel四核心处理器Core i5与Core i7新平台 |
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IR针对DDR3内存模块推出全新芯片组 (2009.10.23)
国际整流器公司（IR）推出IR3522及IR3506 XPhase芯片组，为DDR3多相位内存应用提供全面的功率解决方案。
新推出的IR3522双输出脉冲宽度调变 (PWM) 控制器内建了I2C接口，同时为DDR3 VDDQ和Vtt轨线提供整体系统控制 |
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宇瞻推出新DDR3 Golden与Aeolus超频内存模块 (2009.10.13)
随着Intel最新一代四核心处理器Core i7-800series and Core i5-700series日前发表上市，为提供桌面计算机用户与超频玩家追求极佳的效能需求，宇瞻科技宣布旗下两款新推出之DDR3双信道超频内存模块：Golden与Aeolus系列，可全面支持Intel最新采用Nehalem微架构之Core i7，Core i5处理器，提供主流型桌面计算机最佳的平台佳容性，展现超频效能执行 |
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Rambus线程化内存模块原型 IDF 2009登场 (2009.09.20)
高速芯片设计技术授权公司Rambus与内存制造商Kingston，宣布运用DDR3 DRAM技术共同开发线程化（threaded）内存模块原型。相较于传统的模块，初期芯片的结果显示此一模块可提升50%的数据处理效能，并减少20%的功耗 |
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Agilent与FuturePlus合推DDR3总线除错方案 (2009.08.19)
安捷伦科技（Agilent）与FuturePlus共同发表DDR3 1866 DIMM插入式测试解决方案。这项新工具结合了Agilent 16962A逻辑分析仪模块和FS2352插入式分析测试探棒，以支持下一代双倍数据速率（DDR）SDRAM总线之分析与测试 |
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广颖新一代服务器内存模块内建温度传感器 (2009.07.30)
广颖电通看好未来服务器用内存将改换DDR3之商机，近日正式宣布针对服务器及工作站市场，推出内建温度传感器的DDR3 1333/1066内存模块。
广颖电通DDR3 1333/1066服务器内存模块不但完全支持采用三信道的最新Intel Nehalem-based Xeon 5500系列处理器服务器平台 |
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持续领先 三星电子率先量产40奈米DDR3产品 (2009.07.21)
外电消息报导，三星电子日前宣布，已开始量产40奈米制程的2GB DDR3。这将是全世界第一款量产的40nm的DDR3产品，同时也是该公司目前性能最好的产品。
据报导，三星电子在2008年9月首次量产50nm DDR3之后，该公司又在今年1月开发出40nm 2GB的DDR3，并将在本月首次量产 |
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分析并除错 DDR I、II和III频率抖动问题 (2009.07.03)
本文将重点介绍示波器中提供的一些工具和方法，能协助工程师迅速分析频率信号的抖动，以及侦测和找出抖动的问题。确保频率信号的抖动效能够好极为重要，才能保证DDR系统可以兼容互通 |
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Tektronix推出DDR3内存设计除错与验证测试台 (2009.06.22)
Tektronix宣布推出DPO/DSA70000B系列及DPO7000系列示波器适用的第三代DDR分析软件（opt.DDRA）。Tektronix DDR 测试解决方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR 和GDDR3的所有速度，同时可横跨PHY层与数字范围 |
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安捷伦推出DDR3协议除错与验证测试套件 (2009.03.17)
安捷伦科技（Agilent）发表完整的DDR3协议除错与验证测试套件，可协助数字设计工程师开发计算机与嵌入式内存应用。该测试平台提供了全信道2.0GT/s 16962A逻辑分析模块、DDR3 BGA和DIMM适用的完整探量产品、以及首款DDR3兼容性与效能测试软件环境 |
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奇梦达投资谈判未果，距破产启动日仅剩15天 (2009.03.16)
奇梦达无力清偿管理人Michael Jaffé博士上周五（3/13）在与债权人委员会召开会议后表示，虽然已有多位投资人表示投资奇梦达的兴趣，但目前尚未达成任何协议。预计在3月底前应无法完成任何确认的投资协议 |
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PANASONIC采用RAMBUS DDR3接口解决方案 (2009.01.14)
Rambus宣布Panasonic已获授权使用Rambus的DDR3内存控制器接口解决方案，运用于其消费性电子产品系统LSI实务。此一完全整合式宏功能芯片单元架构提供控制器逻辑与DDR3 DRAM装置之间的物理层（PHY）接口，数据传输率最高可达1.6 Gbps |
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十铨科技DDR3三信道系列上市 (2008.12.10)
十铨科技（Team Group Inc.）针对高频率与低时序之产品定位，因应Intel Core i7平台发表-Xtreem DDR3 1866、Xtreem Dark 1600/1333等一系列的三信道内存模块。
透过Core i7的内存架构革新 |
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安森美推出整合EEPROM的温度传感器 (2008.12.05)
安森美半导体(ON)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这款新组件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千字节(Kb)串行存在检测(SPD)电子可擦写可编程只读存储器(EEPROM) |
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Tektronix推出全新探测内存适用探棒头 (2008.11.26)
Tektronix发表数款新的探棒头，这些探棒头具备高达8 GHz的讯号带宽，包括P7500系列TriMode差动探棒的高温应用。新的探棒头是特别为探测DDR2和DDR3内存DIMM而设计，也可用于一般用途的探测应用 |
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IDT推出支持DDR3内存模块的低电压缓存器 (2008.07.25)
IDT(Integrated Device Technology)宣布推出第一个能够为高效能服务器和工作站提供标准与低电压作业支持的暂存频率驱动器(registered clock driver)。IDT DDR3缓存器的设计目的是为了协助降低服务器群集和数据中心的功耗与散热成本 |
