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SK海力士选用是德整合式PCIe 5.0测试平台 加速记忆体开发 (2022.04.26)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）宣布SK海力士（SK hynix）选用是德科技的整合式高速周边元件互连协定（PCIe）5.0测试平台，以加速记忆体开发，进而设计出可支援高速资料传输与大量资料管理的先进产品 |
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TrendForce：NAND Flash品牌商Q2营收季增3.5%，但Q3价格将跌 (2018.08.17)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新报告指出，NAND Flash市场在2018年第一季受传统淡季影响，导致市场转为供过於求。第二季随着智慧型手机需求复苏、中国智慧型手机厂商提升高容量产品的备货力道，虽位元出货量得以支撑，然而，NAND Flash仍是供过於求，第二季平均价格跌幅达15-20% |
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TrendForce：资料中心需求热，带动Q3的Server DRAM营收成长约25.2% (2017.11.17)
根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，受到平均零售价（Average Selling Price）垫高带动，三大DRAM原厂 (三星、SK海力士、美光)第三季营收成长约25.2%。
在北美资料中心的需求持续强劲，以及DRAM供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体伺服器记忆体市场需求，Server DRAM供不应求的情形在第三季度更为显着 |
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大批量制造的装置叠对方法 (2016.07.06)
本文介绍 DI/FI偏差表征结果和变化来源，并介绍对DI调整馈送 APC 系统的影响。本文回顾该方法在大批量制造（HVM）晶圆厂的实施详情，并在文章最后将讨论该研究的未来方向 |
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Altera公开整合HBM2 DRAM和FPGA的异质架构SiP元件 (2015.11.24)
Altera公司公开新款异质架构系统层级封装（SiP，System-in-Package）元件，整合了来自SK海力士（SK Hynix）公司的堆叠宽频记忆体（HBM2）以及高性能Stratix 10 FPGA和SoC。 Stratix 10 DRAM SiP代表了新一类元件，其特殊的架构设计满足了高性能系统对记忆体频宽最严格的要求 |
