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意法半導體新車規單晶片同步降壓轉換器讓應用設計更彈性化 (2024.08.29)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新系列汽車級降壓同步DC/DC轉換器，新產品有助於節省電路板空間，簡化車身電子、音訊系統和逆變器閘極驅動器等應用設計。A6983轉換器系列包括六款低功耗、低雜訊非隔離型降壓轉換器和一款隔離型降壓轉換器A6983I |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，成功導入至浙江吉利控股集團（以下稱吉利）的電動車（以下稱EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器 |
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ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域，隨著安全性和便利性的提高，電子產品逐漸增加，電子元件數量也與日俱增，而為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流 (2024.08.27)
本文探討綠氫的原理，並且展示如何運用功率組件，將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。 |
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100％綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08)
英飛凌科技宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式 |
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德州儀器與台達電子合作 推動電動車車載充電技術再進化 (2024.07.03)
德州儀器（TI）與台達電子展開長期合作，共同開發次世代電動車車載充電與電源解決方案。這項合作將於雙方在台灣平鎮的創新聯合實驗室進行，結合雙方在電源管理與電力傳輸方面的研發量能，共同推動功率密度、效能與尺寸最佳化，加速實現更安全、充電快速和實惠的電動車 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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2024.7(第392期)記憶體的鐵人三項 (2024.06.28)
記憶體發展會以容量、速度為重點來觀察。
可靠度也是未來發展關鍵指標。
各類AI應用的市場需求龐大，
記憶體競爭也異常的激烈，
保持容量、速度與可靠度才是王道 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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TI首款GaN IPM問世 實現更小更具能源效率的高電壓馬達設計 (2024.06.26)
德州儀器 (TI) 推出適用於 250W 馬達驅動器應用的 650V 三相 GaN IPM（Intelligent Power Module）。這款全新 GaN IPM 能協助工程師克服在設計大型家用電器以及暖通空調（HVAC）系統時常面臨的多數設計與性能的問題 |
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意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區，達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景 |
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安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠 完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20)
電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨，激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求，安森美採取了戰略舉措，宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠 |
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CML Ka波段GaN功率放大器用於商用衛星通訊終端設備開發 (2024.06.18)
CML Micro推出Ka波段氮化鎵（GaN）功率放大器CMX90A705，這是一個商用衛星通訊終端設備，並具有高成本效益的構建元件。CMX90A705是一款封裝兩級GaN線性功率放大器，可提供+37.4 dBm（5.5 W）飽和功率，覆蓋27.5至31GHz頻率範圍，小訊號增益為16.5 dB |
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Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE，這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出，支援量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低 |
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安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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Microchip全新車載充電器解決方案 支援車輛關鍵應用 (2024.06.11)
因應節能減碳排放的迫切需求，電池電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）市場持續增長。車載充電器是電動汽車的關鍵應用之一，將交流電轉換為直流電，為汽車高壓電池充電 |
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吉利汽車與ST簽署碳化矽長期供應協定 共同推動新能源汽車轉型 (2024.06.05)
意法半導體第三代SiC MOSFET協助吉利汽車集團純電車型提升電驅效能
全球半導體廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）與全球汽車及新能源汽車車商吉利汽車集團宣佈，雙方簽署碳化矽（SiC）元件長期供應協議，加速碳化矽元件的合作 |
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英飛凌發布高能效AI 資料中心電源供應單元產品路線圖 (2024.05.24)
人工智慧（AI）的發展推升全球資料中心的能源需求，並凸顯伺服器對於高效率及可靠的能源供應的重要性。英飛凌科技（Infineon）宣布在AI系統的能源供應領域開啟新篇章，並揭示針對AI資料中心當前和未來能源需求的特定設計電源供應單元（PSU）路線圖 |
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Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商，宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成，之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織 |
