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奈米科技助陣 微晶片快篩時代即將來臨 (2024.12.17)
全球面臨各種健康威脅，快速、可靠的居家診斷測試需求日益迫切。紐約大學坦登工程學院研發出突破性微晶片技術，可望實現多疾病同步檢測、數據即時傳輸，將居家診斷推向新紀元 |
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台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級 (2024.12.16)
台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產 |
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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程簡化與顯著的面積縮減，為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）開闢了微縮新途徑 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式 (2024.11.21)
為加速推進高效能、低功率的AI晶片新封裝技術，應對次世代節能運算需求。應用材料公司近日於新加坡主辦高峰會，除集結超過20多位半導體產業頂尖的研發領袖，並鼓勵設備製造商、材料供應商、元件廠商與研究機構之間聯盟合作，並採用專為加速先進晶片封裝技術商業化而設計的新合作模式，宣布推動全球EPIC創新平台擴展計畫 |
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貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
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3D IC 設計入門：探尋半導體先進封裝的未來 (2024.11.12)
CTIMES 東西講座日前舉辦了一場以「3D IC 設計的入門課」為主題的講座，邀請到Cadence技術經理陳博瑋，以淺顯易懂的方式，帶領聽眾了解3D IC設計的發展趨勢、技術挑戰和未來展望 |
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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
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東芝推出高額定無電阻步進馬達驅動器TB67S559FTG (2024.11.08)
東芝在步進馬達驅動器系列加入新產品TB67S559FTG，該產品支援辦公室自動化設備和工業設備（例如機器人、金融設備等）中使用的恆流控制，無需電流檢測電阻即可控制恆定電流電機已新增 |
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新思科技與台積電合作 實現數兆級電晶體AI與多晶粒晶片設計 (2024.11.06)
新思科技持續與台積電密切合作，並利用台積電最先進的製程與3DFabric技術提供先進的電子設計自動化 (EDA)與IP解決方案，為AI與多晶粒設計加速創新。由於AI應用對運算的需求永不停歇，半導體產業需要跟上步伐 |
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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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貿澤為基礎架構和智慧城市設立工程技術資源中心 (2024.10.30)
基礎架構是所有城市的基礎，涵蓋從公共運輸網路到電網和通訊系統的所有一切。隨著數位化程度不斷提升，智慧城市技術不只強化基礎架構，更改變人們的日常生活，例如透過整合智慧電表感測器收集有關能源和水的珍貴資料 |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計，用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用 |
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AI伺服器驅動PCB材料與技術革新 (2024.10.28)
目前台灣PCB產業除了積極轉型智慧製造節能以減碳之外，還須善用2024年上半年仍受惠於AI需求帶動出口好轉的契機，驅動AI伺服器供應鏈加工技術與材料革新開源，成為確保PCB產值能穩定成長的關鍵 |
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意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備 (2024.10.27)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新款EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）馬達驅動參考設計在直徑僅5公分的圓形PCB電路板上整合三相閘極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該電路板的休眠模式下功耗極低 |
