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三菱電機獲變頻站訂單 強化互聯互通穩定不同頻率的電網 (2023.10.02)
三菱電機（Mitsubishi Electric）已獲得J-Power Transmission Network公司的合同，為該項目提供300MW電壓源換流器（VSC）高壓直流（HVDC）輸電設備靜岡縣濱松市的新佐久間變頻站。該系統預計將於2028年3月底投入使用 |
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投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。 |
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安森美與大眾汽車集團就電動車SiC技術達成策略協議 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣佈與德國大眾汽車集團 (VW)簽署策略協定，為大眾汽車集團的下一代平台系列提供模組和半導體元件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統最佳化的一部分，形成能夠支援大眾車型前軸和後軸主驅逆變器的解決方案 |
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Microchip新型一體化混合動力驅動模組滿足電動航空應用 (2023.01.30)
電動飛機（MEA）設計製造商希望將飛行控制系統從液壓轉換為電動，以減輕重量和設計複雜性。為了滿足航空應用對整合和可配置電源解決方案的需求，Microchip今（30）日推出一款全新的綜合性混合動力驅動模組，可減少開發時間和重量，這是全新電源元件產品系列的首款型號 |
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恩智浦推出高效S32K39系列車用MCU 滿足未來電氣化需求 (2022.11.30)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）宣佈推出全新S32K39系列車用微控制器（MCU），該系列MCU針對電動車（EV）控制應用進行最佳化。新一代S32K39 MCU的高速、高解析度控制可提升能效，在延長行駛里程的同時，提供更順暢的電動車駕駛體驗，滿足未來電氣化需求 |
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瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體（Si-IGBT），以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車（EV）逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產 |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。 |
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TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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提高電動車充電率 TI推升車用GaN FETs開關頻率性能 (2021.02.23)
為了加速電動車（EV）技術導入，滿足消費者對續航里程、充電時間與性價比的要求，全球汽車大廠在研發上需要更高的電池容量、更快的充電性能，同時盡可能降低或維持設計尺寸、重量或元件成本 |
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電源元件市場高成長 激化品牌創新與縱橫合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧運算與無線互聯的科技願景當前，尋獲最適的新興材料、元件架構與系統設計，成為全球電源元件供應大廠爭相追求的火種—迸發創新的束束火光，已然在全球前沿電力電子市場發散熱力 |
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專為關鍵電力應用設計：600V大型模組化不斷電系統 (2019.11.25)
本文討論「原生600V」無變壓器和自耦變壓器UPS系統的技術面向，並詳細說明它們可提供的優勢。 |
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捷拓提供穩定隔離電源 微型化高功率 (2019.08.01)
目前隔離電源模組已被大量用於智慧製造的泛工業設備，以及綠能、電力與軌道交通等基礎設施，將為台灣電源的製造廠商直接或間接帶來龐大商機。 |
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您的電動汽車充電系統具有適當的安全性，有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市場上不同類型的電動汽車充電站，展示了常見的結構以及如何將安全性，效率和可靠性整合到最佳設計中。 |
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瞭解現代電磁爐的工作原理 (2017.10.18)
電磁鍋是通過電磁感應在鐵磁體鍋具內部產生渦流，從而產生熱量。 |
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D3 Semiconductor與貿澤電子簽署全球分銷協定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor宣佈貿澤電子 (Mouser Electronics) 現已成為其全球分銷合作夥伴。根據協定，貿澤電子目前儲備 D3 Semiconductor 的完整 650 伏額定電壓超結金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) +FET產品線 |
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Mouser率先備貨英飛凌TRENCHSTOP 5系列的S5系列IGBT (2015.12.15)
Mouser Electronics為供應英飛凌TRENCHSTOP 5 S5絕緣柵雙極電晶體(IGBT)的全球授權代理商。此超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列中的全新系列產品具備1.60 VCE(sat)低典型飽和電壓（於攝氏175度），即使在高溫運作環境中亦可維持高效率 |
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設計高性能低功耗三相無刷直流馬達控制系統 (2015.01.14)
概要
如今，工程師將馬達控制系統用於數位與類比技術來應對過去面臨的挑戰，包括馬達速度控制、旋轉方向、漂移及馬達疲勞等。微控制器(MCU) 的應用為當代工程師提供了動態控制馬達動作的機會，從而使其能夠應對環境壓力和狀況 |
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要環保 電動車電源效率就要好 (2013.12.09)
電動車發展的關鍵之一，在於功率元件的表現能否達到最佳化，
從最基本的靜態電流到切換損耗，每一個環結都必須審慎看待。 |
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IR宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體陣營 (2011.11.18)
國際整流器公司（IR）日前宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體（IGBT）陣營，為不斷電系統（UPS）、太陽能、工業用馬達及焊接應用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件。
IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件利用溝道纖薄晶圓技術，減低導通及開關損耗 |
