课程介绍

本课程着重于使学员了解LED原理与制程技术。探讨现今影响发光二极管效能之因素，并以实验结果结合仿真理论分析清楚地介绍其机制为何，使得学员不单单只是了解到发光二极管之结构设计，更可清楚的了解其背后之物理机制等，并分享实际案例与现今文献作比较。

另对于氮化物发光二极管有详尽的介绍介绍，透过仿真理论分析与实验结果讲述高效率高功率InGaN LED如何设计与成长。让欲从事发光二极管磊晶制程人士更加了解高效能氮化物发光二极管之磊晶结构，缩短切入的时间与提升基础的知识

讲师介绍

林教授_国立交通大学光电系统研究所助理教授

傅博士_工研院电光所

其他内容

101/07/06(五)单元一:LED磊晶及MOCVD设备技术与专利分析

101/07/20(五)单元二: LED量测与真空镀膜设备技术

101/08/03(五)单元三: LED原理制程与高效能高功率InGaN LED设计

101/08/17(五)单元四: MOCVD磊晶技术制程实作研习班※本课程为实作课程 限额12位!