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宜普：氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? （GaN）技术在各产业中扮演起重要的角色，中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外，中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司，并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展 |
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英飞凌於马来西亚兴建全球最大8寸SiC晶圆厂 2030年贡献70亿欧元 (2023.08.03)
英飞凌科技宣布，将大幅扩建马来西亚居林 (Kulim) 晶圆厂，继之前於 2022 年 2 月宣布的投资计划之外，将打造全球最大的8 寸碳化矽（SiC）功率晶圆厂。支持这项扩建计画的动能，包含了约 50亿欧元在汽车与工业应用的design-win案件，以及约10亿欧元的预付款 |
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安森美和麦格纳签署策略协议 投资碳化矽生产 (2023.07.30)
安森美（onsemi）和麦格纳（Magna）达成一项长期供货协议，麦格纳将在其电驱动（eDrive）系统中，整合安森美的EliteSiC智能电源方案。麦格纳是一家行动科技公司，也是全球最大的汽车零组件供应商之一 |
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ST：以全面解决方案 为工业市场激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
意法半导体透过2023年工业巡??论坛，更进一步在不同城市，为不同客户延伸和展现工业解决方案、技术和产品。 透过「激发智慧 永续创新」的主轴，与会者能透过各种技术和产品以及解决方案的介绍，亲身体验前沿技术和激发智慧的应用 |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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ROHM与Vitesco签署SiC功率元件长期供货合作协定 (2023.06.20)
SiC（碳化矽）功率元件领域的领先企业ROHM（罗姆半导体）与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商Vitesco Technologies（纬湃科技）签署SiC功率元件的长期供货合作协定 |
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Tektronix发布双脉冲测试解决方案 加速SiC和GaN验证时间 (2023.06.08)
Tektronix今日宣布推出新版双脉冲测试解决方案（WBG-DPT解决方案）。各种新型的宽能隙切换装置正不断推动电动汽车、太阳能和工业控制等领域快速发展，Tektronix WBG-DPT解决方案能够对SiC和GaN MOSFET等宽能隙装置提供自动化、可重复和高准确的量测 |
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ST携手三安光电於中国重厌建立8寸SiC元件合资制造厂 (2023.06.08)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST），和涵盖LED、碳化矽、光通讯、RF、滤波器和氮化??等产品之中国化合物半导体领导企业三安光电宣布，双方已签署协定，将在中国重厌建立一个新的8寸碳化矽元件合资制造厂 |
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纬湃科技和安森美签署碳化矽长期供应协定 同意投资於碳化矽扩产 (2023.06.01)
纬湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）宣布了一项价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化矽（SiC）产品10年期供应协定，以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商，将向安森美提供2 |
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投身车电领域的入门课：IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19)
随着2021年全球政府激励政策和需求上升，正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心，IGBT和SiC模组极具市场潜力。 |
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ROHM发布2022年度财报 营业额续创新高 (2023.05.11)
半导体制造商ROHM公布2022年度（2022年4月-2023年3月）财报， 2022年度营业额达到5,078亿日币，连续二年刷新历史记录。SiC累计投资达5,100亿日币，产能提高35倍。
在车电和工控设备两大核心领域进一步成长，加上有利的汇率环境，全年营业额同期比成长12.3% |
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PI新型3300V IGBT模组闸极驱动器 可实现可预测性维护 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的单通道随??即用闸极驱动器，该产品适用於高达 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模组。1SP0635V2A0D 结合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切换效能和保护功能，具有可配置的隔离串列输出介面，增?了驱动器的可程式性，并提供了全面的遥测报告，以实现准确的使用寿命预估 |
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ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模组 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半导体制造商ROHM在开发SiC（碳化矽）功率模组方面，已有十多年的良好合作关系。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率领域推出的功率模组中，采用了ROHM新产品1200V IGBT「RGA系列」 |
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德州仪器m3携手光宝科技以GaN技术及即时微控制 MCU打造高效能伺服器电源供应器 (2023.03.02)
德州仪器（TI）宣布携手光宝科技（光宝）正式在北美市场推出搭载 TI 高整合式氮化??（GaN、Gallium nitride）与 C2000TM 即时微控制器（MCU）的商用化伺服器电源供应器（PSU） |
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安森美与大众汽车集团就电动车SiC技术达成策略协议 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署策略协定，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模组和半导体元件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统最隹化的一部分，形成能够支援大众车型前轴和後轴主驱逆变器的解决方案 |
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德州仪器新任总裁兼执行长Haviv Ilan将於四月走马上任 (2023.01.30)
德州仪器 （TI） 表示，董事会已遴选 Haviv Ilan 担任公司新任总裁兼执行长 （CEO），此次人事异动案自 4 月 1 日起生效。在 TI 服务 24 年的 Ilan 将接替现任总裁兼执行长 Rich Templeton，而 Templeton 将在未来两个月内卸任上述职务，并持续担任公司董事长 |
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立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司（EPC）和立??科技（Richtek）?手推出新型快充叁考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204，可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流 |
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重视汽车应用市场 ST持续加速碳化矽扩产 (2023.01.18)
汽车是ST非常重视的市场之一，2022年车用和离散元件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。车用和离散元件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支援汽车的所有应用 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称日立安斯泰莫）使用於电动车（以下简称EV）逆变器。
在全球实现减碳社会的过程中，汽车的电动化进程持续加速，在此背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路 |
